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公开(公告)号:CN103531663B
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201310515757.X
申请日:2013-10-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: CuInS2薄膜太阳能电池吸收层的制备方法,它涉及太阳能电池吸收层的制备方法。本发明要解决目前制备CuInS2薄膜太阳能电池吸收层成本高,不能制备大面积的薄膜,且原材料的利用率不高的问题。本发明的方法如下:一,对基底进行清洗;二、取10mmol·L-1的CuSO4,7.5mmol·L-1的In2(SO4)3,60mmol·L-1的Na2S2O3和8.5mmol·L-1的C6H5O7Na3配制成电解液,对基底进行电沉积;三、对基底进行热处理。本发明采用电化学沉积法制备出产业化的非真空、低成本CIS2薄膜。本发明应用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号:CN103531663A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201310515757.X
申请日:2013-10-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1876 , H01L21/02568 , H01L21/02628
Abstract: CuInS2薄膜太阳能电池吸收层的制备方法,它涉及太阳能电池吸收层的制备方法。本发明要解决目前制备CuInS2薄膜太阳能电池吸收层成本高,不能制备大面积的薄膜,且原材料的利用率不高的问题。本发明的方法如下:一,对基底进行清洗;二、取10mmol·L-1的CuSO4,7.5mmol·L-1的In2(SO4)3,60mmol·L-1的Na2S2O3和8.5mmol·L-1的C6H5O7Na3配制成电解液,对基底进行电沉积;三、对基底进行热处理。本发明采用电化学沉积法制备出产业化的非真空、低成本CIS2薄膜。本发明应用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号:CN203503667U
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201320689117.6
申请日:2013-11-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/0224
Abstract: 一种柔性太阳能电池,它涉及一种太阳能电池。本实用新型为了解决现有的薄膜太阳电池都是以碱性玻璃做衬底材料,玻璃衬底存在着体积大、重量大、易碎等缺点,导致太阳能电池产业化发展受到制约,无法实现太阳能民用化。本实用新型包括衬底层(1)、金属层(2)、吸收层(3)、缓冲层(4)、窗口层(5)、金属电极(6)和透明电极(7),衬底层(1)、金属层(2)、吸收层(3)、缓冲层(4)和窗口层(5)由下至上依次设置,金属电极(6)设置在衬底层(1)上,透明电极(7)设置在窗口层(5)上。本实用新型用于太阳能发电。
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公开(公告)号:CN203481251U
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201320660111.6
申请日:2013-10-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种薄膜太阳能电池,它涉及一种太阳能电池。本实用新型为了解决现有的晶体硅太阳电池存在材料消耗多和制造能耗高的问题。本实用新型包括第一导电玻璃基底(1)、沉积吸收层(2)、缓冲层(3)、导电银胶(4)和第二导电玻璃基底(5),第一导电玻璃基底(1)、沉积吸收层(2)、缓冲层(3)、导电银胶(4)和第二导电玻璃基底(5)由上至下依次设置,第一导电玻璃基底(1)和第二导电玻璃基底(5)上引出电极6。本实用新型用于太阳能发电。
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