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发明公开
一种以镍掺杂氧化亚铜为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN115472755A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211178304.8

申请日：2022-09-26

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李丽波 , 曲文华 , 折雨珀

IPC: H01L51/48 , H01L51/46 , H01L51/42 , C01G3/02 , C01G53/04

Abstract: 一种以镍掺杂氧化亚铜为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，它涉及一种无电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明主要解决现有空穴材料成本过高以及叠层复杂的问题。本发明的方法如下：一、掺氟二氧化锡导电玻璃的清洗处理；二、在步骤一上制备钙钛矿薄膜；三、镍掺杂氧化亚铜的制备；四、在步骤二钙钛矿薄膜表面制备镍掺杂氧化亚铜薄膜作为空穴传输层；五、在步骤四镍掺杂氧化亚铜薄膜表面制备银电极层。本发明的方法制备的钙钛矿太阳能电池通过镍掺杂氧化亚铜薄膜和钙钛矿薄膜的结合配伍，省去电子传输层，尽可能最大的减少钙钛矿太阳能电池的制备成本。本发明应用于太阳能电池领域。

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