一种陶瓷基金字塔点阵结构复合材料制备模具

    公开(公告)号:CN103921451A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201410150533.8

    申请日:2014-04-15

    CPC classification number: B29C70/443 B29C70/54

    Abstract: 一种陶瓷基金字塔点阵结构复合材料制备模具,它涉及一种制备模具,以解决现有陶瓷基金字塔点阵结构复合材料难以一次成型、制备的陶瓷基金字塔点阵结构复合材料面板塌陷不平整、芯子杆不直和脱模较难的问题,它包括镂空框架、两个梯形插条、两个压板、两个侧板和多个三角插条;镂空框架的两端沿水平臂的宽度方向分别加工有一个截面为梯形的第一通孔,第一通孔内插装有与第一通孔相配合的梯形插条,第二通孔内插装有与第二通孔相配合的三角插条,镂空框架的平行的两个立臂的外侧分别安装有能盖合第一通孔和第二通孔的侧板,压板分别镶嵌在镂空框架的上凹形槽和下凹形槽内。本发明用于Cf/SiC陶瓷基金字塔点阵结构复合材料的制备。

    一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法

    公开(公告)号:CN109851362B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN201811639741.9

    申请日:2018-12-29

    Abstract: 一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法,它涉及一种陶瓷复合材料SiCf/SiC的制备方法。本发明的目的是要解决传统制备SiCf/SiC陶瓷材料构件时存在着难成型、难加工的问题。方法:一、混合粉末;二、参数设定;三、制备陶瓷坯体;四、固化;五、烧结;六、浸渍、裂解;七:重复步骤六操作,至裂解过程的质量增重小于1%为止,得到SiCf/SiC陶瓷复合材料。有益效果:一、解决了SLS技术制备陶瓷材料孔隙率大、力学性能差等问题;二、工艺简单,工时少,工艺稳定和重现性好。本发明主要用于3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料。

    一种三维四向编织复合材料的RVE模型离散化方法

    公开(公告)号:CN110765678A

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201910891484.6

    申请日:2019-09-20

    Abstract: 本公开提供一种三维四向编织复合材料的RVE模型离散化方法,为了克服传统的RVE模型建模需要对纤维束和基体分别建模,在进行大量的数值模拟的时候,实现只需要输入模型的几何参数和材料属性,对三维编织复合材料进行力学性能的分析;在Abaqus里生成纤维束单元、基体单元和既包含纤维束又包含基体的混合单元,再结合input文件的修改,实现了三维编织复合材料的细观力学性能分析,降低了RVE模型在建模过程消耗的大量时间,还可以推广到其他类型的复合材料,列如短纤维复合材料,颗粒夹杂复合材料等结构复杂的复合材料,而且也可以建立动态的界面函数,实现纤维弯曲、纤维脱粘、纤维滑移等问题的分析,有一定的工程应用价值。

    一种陶瓷基复合材料结构的制备方法

    公开(公告)号:CN110655405A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201910941782.1

    申请日:2019-09-30

    Inventor: 曾涛 张坤

    Abstract: 本发明公开了一种所述陶瓷基复合材料结构的制备方法包括步骤:1)建立陶瓷基复合材料的三维结构的数字模型;2)将所述数字模型导入SLS设备,进行选择性激光烧结,得到试件;3)对试件进行脱脂处理,得到坯体;4)坯体称得质量为x1,然后放入密封袋中,且密封袋中注满浸渍液,将密封袋送入CIP设备加压处理,取出后得到湿坯体;5)对湿坯体进行高温裂解处理,冷却后称得质量为x2;当x2<1.01*x1时即得陶瓷基复合材料结构件。将3D打印陶瓷技术与PIP法浸渍裂解工艺和CIP冷等静压技术相结合,实现了梯度点阵碳化硅陶瓷基复合材料结构的近净成型,制备出高致密性的梯度点阵SiCp/SiC陶瓷基复合材料结构件。

    一种氧化铝陶瓷部件的制备方法

    公开(公告)号:CN110590339A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910941153.9

    申请日:2019-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种氧化铝陶瓷部件的制备方法,通过3D打印技术打印出坯体,然后将坯体反复氧化铝溶胶浸渍、烘干和烧结,制得致密化程度高、强度高的氧化铝陶瓷部件。本发明的制备方法操作简便,成型速度快,氧化铝含量高,原料利用率高,生产成本低,应用范围广;本发明的制备方法通过浸渍氧化铝溶胶提高氧化铝陶瓷部件的致密度,同时具备较好的强度,解决了目前基于选择性激光烧结这种3D打印技术制备复杂结构的氧化铝陶瓷时致密化困难、抗弯强度低和生产成本高等问题,推动了3D打印在氧化铝陶瓷制备领域的发展。

    基于选择性激光烧结陶瓷基复杂结构件的制备方法

    公开(公告)号:CN110386823A

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201910628178.3

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于选择性激光烧结陶瓷基复杂结构件的制备方法,包括步骤:1)制备素坯;2)装模;3)干压处理;4)烧结。该制备方法采用间接选择性激光烧结技术成型陶瓷基素坯,然后置于模具中,在陶瓷基素坯的内部孔隙和外表面填充低压缩性粉体,限制了陶瓷基素坯在外力作用下发生坍塌的破坏。由于填充的低压缩性粉体的压缩性低于陶瓷基素坯,在机械载荷的作用下,外力通过填充的低压缩性粉体从各方向均匀传递给陶瓷基素坯,使得坯体内颗粒与颗粒之间相互靠近,孔隙率降低,致密度提高,在高温固相或液相烧结过程中,坯体内颗粒与颗粒之间相互粘结形成骨架,晶粒生长,孔隙进一步减小,形成致密的陶瓷基复杂结构复合材料零件。

    一种SiCw/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108264353A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201810073219.2

    申请日:2018-01-25

    Inventor: 曾涛 张坤 周义凯

    Abstract: 一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,本发明涉及一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法。本发明的目的是为了解决3D打印陶瓷成型试件后处理后孔隙率大,脆性大的问题。本发明方法为:SiC粉末和粘结剂粉末混合、制得陶瓷坯体,绘制SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的三维模型,设定3D打印机的参数,然后进行高温脱脂处理,再进行反复浸渍裂解,直至不再增重,即完成。本发明达到了致密和增韧的效果,孔隙率仅为8.5%,提高了陶瓷基复合材料的强度和韧性。本发明应用于SiC陶瓷基复合材料的制备领域。

    四棱锥构型Cf/SiC点阵复合材料平板的制备方法

    公开(公告)号:CN102898172B

    公开(公告)日:2013-11-13

    申请号:CN201210438367.2

    申请日:2012-11-06

    Abstract: 四棱锥构型Cf/SiC点阵复合材料平板的制备方法,涉及点阵复合材料制备方法的领域。本发明要解决现有的金属基和树脂基点阵材料不能满足需求,而现有技术中很难实现制备陶瓷基点阵复合材料的问题。四棱锥构型Cf/SiC点阵复合材料平板,由上面板、下面板以及在上下面板之间以点阵芯子进行周期排列的四棱锥胞元构成。制备方法:采用经聚碳硅烷浸渍的碳纤维穿插经聚碳硅烷浸渍的碳纤维布工艺制备出四棱锥构型Cf/SiC点阵复合材料平板的骨架,然后对骨架用聚碳硅烷浸渍后,固化,裂解处理,即得到四棱锥构型Cf/SiC点阵复合材料平板。本发明应用于降低噪音、屏蔽电磁辐射、抗冲击、隔热、降低热传导的领域。

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