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公开(公告)号：CN108264353A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810073219.2
申请日：2018-01-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/565 , B33Y10/00 , B33Y50/00
Abstract: 一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法，本发明涉及一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法。本发明的目的是为了解决3D打印陶瓷成型试件后处理后孔隙率大，脆性大的问题。本发明方法为：SiC粉末和粘结剂粉末混合、制得陶瓷坯体，绘制SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的三维模型，设定3D打印机的参数，然后进行高温脱脂处理，再进行反复浸渍裂解，直至不再增重，即完成。本发明达到了致密和增韧的效果，孔隙率仅为8.5％，提高了陶瓷基复合材料的强度和韧性。本发明应用于SiC陶瓷基复合材料的制备领域。
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