一种水基纳米银浆减薄方法及其用途

    公开(公告)号:CN105414556A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510839979.6

    申请日:2015-11-27

    CPC classification number: B22F9/06 B22F1/0022 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种水基纳米银浆减薄方法及其用途,该方法包含:步骤1,向水基纳米银浆中加入去离子水,进行稀释清洗;步骤2,搅拌、充分混合;步骤3,向混合溶液中加入硝酸盐电解质溶液,进行絮凝;步骤4,高速离心分离,去除上层溶液,保留底部纳米银浆;步骤5,重复步骤1-4若干次,得到有机包覆层减薄后的水基纳米银浆。本发明通过减薄稀释纳米银颗粒表面的有机包覆层,达到降低纳米银浆烧结温度、缩短烧结时间的效果,实现无压力辅助烧结互连;本发明制备的纳米银浆,用于芯片级烧结互连工艺,显著改善了未做减薄处理前纳米银浆互连接头的力学性能及热导率,对大功率密度电子封装中芯片级互连的散热意义重大。

    一种低温烧结纳米银浆及其制备方法

    公开(公告)号:CN102290117B8

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201110104399.4

    申请日:2011-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种低温烧结纳米银浆及其制备方法,其特征在于:纳米银浆组分与重量质量百分比如下:平均粒径为20~50nm的纳米银粉78.5~89.5%;有机载体聚乙烯醇5.0~10.0%;有机溶剂柠檬酸三丁酯5.0~10.0%;表面活性剂松香酸0.5~1.5%。纳米银浆制备方法依次有以下步骤:将乙醇溶液水域加热、加入组分混合、摄氏零度超声分散、机械搅动和真空烘干。本发明银浆的烧结温度显著降低,不必高达玻璃料的软化温度,且烧结后材料的含银量至少为98%,具有高热导率和高可靠性,其热导率比合金焊料高3~4倍,有效地解决了封装的散热问题。尤其适合应用于电子封装领域中作为功率型芯片互连的新型热界面材料。

    一种Cu@Sn核壳结构高温钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103753049B

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201310739337.X

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种Cu@Sn核壳结构高温钎料及其制备方法,所述核壳结构金属粉的成分仅有Sn、Cu两种元素,具有Sn包覆Cu颗粒的核壳结构,颗粒尺寸在1μm至20μm之间。所述金属粉与市售钎剂混合得钎料,可以用于多种基板的焊接,在回流过程中颗粒外层的Sn能够与内核的Cu反应形成Cu6Sn5,从而形成在金属间化合物中弥散分布铜颗粒的焊缝结构,该结构能够在Sn的熔点以上便形成,形成后可以在Cu6Sn5熔点以下服役,达到低温连接高温服役的目的。本发明工艺简单,成本低廉,实用性强,解决了目前功率器件芯片粘贴成本高,工艺温度高以及工艺时间长等问题。

    一种新型预制片高温钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104117782B

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201410393141.4

    申请日:2014-08-11

    Abstract: 本发明提供了一种新颖的Cu@Sn核壳结构金属粉,以及由其制成新型预制片高温钎料,以及所述预制片用于焊盘焊接的应用,从而形成高温焊缝的方法,所述金属粉颗粒尺寸在1μm至40μm之间。所述预制片可以用于多种基板的焊接,在回流过程中,预制片内部的颗粒由于压力作用紧密接触,从而能够形成在金属间化合物中弥散分布铜颗粒的致密焊缝结构,较钎料膏形成的焊缝质量高出很多。该结构能够在250℃作用形成,形成后可以在350℃下服役,达到低温连接高温服役的目的。本发明工艺简单,成本低廉,实用性强,解决了目前功率器件芯片粘贴成本高,工艺温度高以及工艺时间长等问题。

    一种Cu@Sn核壳结构高温钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103753049A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201310739337.X

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种Cu@Sn核壳结构高温钎料及其制备方法,所述核壳结构金属粉的成分仅有Sn、Cu两种元素,具有Sn包覆Cu颗粒的核壳结构,颗粒尺寸在1μm至20μm之间。所述金属粉与市售钎剂混合得钎料,可以用于多种基板的焊接,在回流过程中颗粒外层的Sn能够与内核的Cu反应形成Cu6Sn5,从而形成在金属间化合物中弥散分布铜颗粒的焊缝结构,该结构能够在Sn的熔点以上便形成,形成后可以在Cu6Sn5熔点以下服役,达到低温连接高温服役的目的。本发明工艺简单,成本低廉,实用性强,解决了目前功率器件芯片粘贴成本高,工艺温度高以及工艺时间长等问题。

    一种燃气驱动跳跃装置
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105882776B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201610255651.4

    申请日:2016-04-22

    Abstract: 本发明提供了一种燃气驱动跳跃装置,其包括:气缸缸体,其顶端通过气缸上盖封闭,其底部开口,气缸缸体与气缸上盖固定连接;气缸上盖设有压力检测口、排气口和点火装置,点火装置位于气缸上盖的内侧;气缸缸体的内侧壁以台阶状下窄上宽,从上往下分别形成第一级台阶、第二级台阶、第三级台阶;排气口由排气电磁阀控制;活塞,其可抽动地位于气缸缸体内;活塞中空,其顶部开口,其底端与底座固定连接,底座下部侧壁上设有进气口,进气口由进气电磁阀控制;活塞的顶端设有凸台;至少一个弹性元件,其顶端连接凸台,其底端连接于第二级台阶处。

    一种燃气驱动跳跃装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105882776A

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201610255651.4

    申请日:2016-04-22

    CPC classification number: B62D57/02

    Abstract: 本发明提供了一种燃气驱动跳跃装置,其包括:气缸缸体,其顶端通过气缸上盖封闭,其底部开口,气缸缸体与气缸上盖固定连接;气缸上盖设有压力检测口、排气口和点火装置,点火装置位于气缸上盖的内侧;气缸缸体的内侧壁以台阶状下窄上宽,从上往下分别形成第一级台阶、第二级台阶、第三级台阶;排气口由排气电磁阀控制;活塞,其可抽动地位于气缸缸体内;活塞中空,其顶部开口,其底端与底座固定连接,底座下部侧壁上设有进气口,进气口由进气电磁阀控制;活塞的顶端设有凸台;至少一个弹性元件,其顶端连接凸台,其底端连接于第二级台阶处。本发明的优势在于锁紧力大、可有效保证燃气纯度、结构紧凑、装卸方便,具有更高效的点火装置和较高的空间利用率,使得机器人具有较强的跨越极端障碍的能力,较强的机动性和灵活性。

    一种芯片贴装用纳米银浆及其制备方法

    公开(公告)号:CN102935518B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201210426581.6

    申请日:2012-10-31

    Abstract: 本发明提供一种制备芯片贴装用纳米银浆的方法,包括以下几个步骤:步骤A:将还原剂和分散剂滴入硝酸银溶液中,搅拌;步骤B:将步骤A所得的溶液进行离心分离,得到上层为混合溶液,下层为沉淀的纳米银颗粒;步骤C:将步骤B分离出的纳米银颗粒用去离子水清洗后,再用电解质溶液絮凝,重新析出可进行离心分离的纳米银颗粒;步骤D:将纳米银颗粒反复进行清洗、絮凝、离心多次,最终得到水溶性纳米银浆;步骤E:将步骤D得到的纳米银浆作用于芯片与基板表面进行互连,通过热风工作台或炉中加热形成烧结接头。

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