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公开(公告)号：CN102010015B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010509667.6
申请日：2010-10-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种磁场诱导磁性纳米线的制备方法，它涉及一种磁性纳米线的制备方法。本发明解决了现有的Fe3O4纳米线和尖晶石型铁酸盐纳米线的制备方法操作复杂、成本高、纳米线产率低的问题。制备方法：一、配制金属离子溶液、碱溶液和水溶性还原剂溶液；二、将金属离子溶液、碱溶液和水溶性还原剂溶液混合，装入反应釜，于磁场热处理炉中反应；三、洗涤、干燥，即得到磁性纳米线。本发明的制备方法操作简单，不污染环境，成本低，制备的磁性纳米线产率为95.6～99.9％。应用于磁性材料领域。
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公开(公告)号：CN101391770B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810137377.6
申请日：2008-10-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 五氧化二铌纳米棒的制备方法，它属于无机合成及制备领域，具体涉及一种纳米棒的制备方法。本发明解决了现有技术制备五氧化二铌一维纳米材料采用的设备昂贵、反应过程复杂的问题。本发明方法如下：一、将铌酸钙纳米棒与浓度为0.01～1mol/L的盐酸按照1:10～20的摩尔比混合后磁力搅拌30～120分钟，然后将得到的产物离心分离后用去离子水冲洗3～5次，得到铌酸纳米棒；二、将铌酸纳米棒在温度为600～750℃的空气中退火1～3小时，即得到五氧化二铌纳米棒。本发明方法简单易行，不需要昂贵的设备进行生产便能够得到一维五氧化二铌纳米材料，可以实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN101486594A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910071451.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/88
Abstract: 陶瓷晶须表面化学镀的方法，它涉及陶瓷晶须表面化学处理的方法。本发明解决了由于陶瓷晶须的尺寸小导致获得连续的化学镀层困难的问题。本方法如下：一、将陶瓷晶须粗化处理，再敏化－活化处理，再加入去离子水制得陶瓷晶须悬浊液；二、将步骤一得到的陶瓷晶须悬浊液加入陶瓷晶须镀液在超声振荡的条件下施镀即可。本发明的方法提高了陶瓷晶须表面的浸润性从而在陶瓷晶须表面镀上得到连续的镀层。
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公开(公告)号：CN101391815A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810137376.1
申请日：2008-10-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G33/00
Abstract: 铌酸盐一维纳米材料的制备方法，它涉及铌酸盐纳米材料的制备方法。本发明解决了现有液相合成铌酸盐一维纳米材料的反应时间长，得到的铌酸盐纳米材料结晶性差的问题。铌酸盐一维纳米材料的制备方法如下：将五氧化二铌与氯化钾混合、研磨后在陶瓷舟中保温、冷却至室温，然后研磨、去离子水清洗、离心分离和干燥后，即得。本发明方法反应时间短，所得到的铌酸盐一维纳米材料和铌酸盐纳米材料的大小均一、结晶性良好。
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公开(公告)号：CN114074956B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010842963.1
申请日：2020-08-20
Abstract: 一种水系钙离子电池正极活性材料及其制备方法和应用。本发明属于钙离子电池领域。本发明的目的在于解决现有钙离子电池比容量低，循环性差的技术问题。正极活性材料为纳米线或纳米带状的钒酸钾；所述钒酸钾为K2V6O16·nH2O，其中0≤n≤2.7。方法：将偏钒酸铵和氯化钾溶于去离子水，然后调节pH值至2～4，再进行水热反应，产物离心洗涤、冷冻干燥后得到正极活性材料。将水系钙离子电池正极活性材料作为钙离子电池正极材料的组成物应用在钙离子电池中。本发明采用一步水热法合成了钒酸钾电极活性材料，其作为钙离子电池正极材料，电化学性能良好，表现了比较高的比容量和良好的循环性能，具有良好的综合电化学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113707560B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010435764.9
申请日：2020-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法。本发明属于电子和光电子领域。本发明是要解决现有改善TMDs电接触方法改善效果不明显，以及绝缘插入层厚度严格受限的技术问题。本发明方法如下：一、通过机械剥离方法制备TMDs层，通过干法转移将TMDs层转移到清洗干净的SiO2/Si衬底上的SiO2一侧，然后进行退火处理；二、通过机械剥离方法制备InSe纳米片层，然后通过光学显微镜和原子力显微镜选择所需厚度的InSe纳米片层，并通过干法转移将InSe纳米片层转移至步骤一后的TMDs层上，然后进行退火处理，退火后自然冷却至室温，得到InSe与TMDs的异质结。本发明的方法简单有效，不同于其他插入的绝缘层必须严格地限制在1‑3nm之内，可有效地改善TMDs的电接触。
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公开(公告)号：CN116174027A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310227803.X
申请日：2023-02-28
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开了一种脱硝催化剂及其制备方法和应用，本发明的脱硝催化剂包括铟、H‑Beta分子筛和镍锰复合氧化物，铟、镍锰复合氧化物均负载在H‑Beta分子筛的表面；该脱硝催化剂的制备方法包括以下步骤：1)将高锰酸盐、H‑Beta分子筛、镍盐混合后，再加入二价锰盐，经水热反应、第一次焙烧，得到镍锰改性的H‑Beta分子筛；2)将镍锰改性的H‑Beta分子筛和铟盐混合，经离子交换、第二次焙烧，得到脱硝催化剂。本发明的脱硝催化剂不仅在低温条件下具备起活快、CH4转化率高、NOx去除率高的优势，而且还具备制备简单、可控、成本低、节能的效果，特别适合应用于CH4‑SCR脱硝设备或工艺中。
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公开(公告)号：CN115241307A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210884909.2
申请日：2022-07-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子学和神经形态器件技术领域，提供了一种二维硫化钼‑硫化铌范德华异质结光突触器件及其制备方法。本发明提供的光突触器件包括依次层叠设置的衬底层、介电层、二维硫化钼/硫化铌垂直异质结和电极层，该器件在底栅压和激光脉冲的共同调控下具备较好的光响应行为，还表现出良好的可持续光电导现象，能够有效实现双脉冲易化、多组态光写入和电擦除等突触行为，有望在图像传感器、神经形态器件和光响应储存设备上应用。本发明采用前驱体旋涂辅助化学气相沉积法或熔盐辅助化学气相沉积法制备二硫化钼纳米片，采用熔盐辅助化学气相沉积法制备二硫化铌纳米片，整个生长过程可控、工艺稳定，容易获得结晶质量较好的二维垂直异质结材料。
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公开(公告)号：CN109545476A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811391111.4
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了原子沉积氧化锌提升银纳米线电极稳定性的方法；属于透明电极领域。本发明要解决通过原子沉积TiO2来提升银纳米线电极稳定性存在成本较高，稳定性提升效果较差，化学反应较为迟缓的技术问题。本发明的方法：一、将银纳米线分散于无水乙醇中，得到银纳米线墨水；二、在PET基底上均匀涂布银纳米线墨水得到墨水薄层，红外线灯加热直至溶剂挥发完全；三、然后低温热处理；四、以二乙基锌(DMZ)和过氧化氢为前驱体，将氩气作为吹扫气流，对经步骤三处理后的基底进行原子层沉积ZnO，即完成。本发明方法电极稳定性明显提升，化学反应灵敏，并且成本相对更为低廉。
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公开(公告)号：CN102912177A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210442865.4
申请日：2012-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C5/06 , C22C32/00 , H01H1/0237
Abstract: 一种TCO/Ag电接触材料，本发明涉及一种电接触材料。本发明是要解决现有技术中由于第二相与基体之间润湿性差直接导致银基电接触材料接触电阻高、自灭弧能力低及致密度难以调控的问题。本发明一种TCO/Ag电接触材料，由透明导电氧化物和银制成。本发明制成的TCO/Ag电接触材料电阻率为2.0μΩ.cm~2.3μΩ.cm，第二相与基体之间有良好的润湿性，并且自灭弧能力提高，使电器寿命延长；本发明制成的电接触材料制备出的触头件，可满足接触器类长寿命电器的技术要求。本发明制成的TCO/Ag电接触材料，可用于电磁轨道炮导轨及高速列车受电弓滑板强电弧烧蚀环境电能转换装置电接触元件方面的制造。
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