公开(公告)号：CN222653952U

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202420893559.0

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟明慈 ,  郑光伟 ,  林咏淇

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50

Abstract: 本实用新型提供一种封装结构，包括：第一封装组件，包括：介电层，包括顶表面；含硅介电层，位于所述介电层的上方且接触所述介电层，其中所述含硅介电层具有小于约100埃的第一厚度；以及第二封装组件，与第一封装组件的所述含硅介电层接合。本实用新型可以降低散热路径中的热阻以及提高了接合强度。

公开(公告)号：CN222365584U

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202420879660.0

申请日：2024-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟明慈 ,  林咏淇 ,  陈燕铭

IPC: H01L23/10

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种半导体结构包括第一封装组件，第一封装组件包括第一表面介电层，第一表面介电层包括多个第一部分和多个第二部分。多个第一部分从所述第一表面介电层的表面延伸到所述第一表面介电层中，其中所述第一部分有第一氧原子百分比，多个第二部分将所述第一部分彼此分开，其中所述第二部分具有低于所述第一氧原子百分比的第二氧原子百分比，通过选择性地处理一些表面介电层的部分以形成第一部分和第二部分，使接合时接合波的传播不连续，从而缓解或消除微小的非接合问题。