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公开(公告)号：CN108957598A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810769087.7
申请日：2018-07-13
Inventor： 李志刚
IPC: G02B1/113
Abstract: 本发明公开了一种可见光区域二氧化硅双纳米空心球冠状结构增透膜，包括石英衬底和SiO2双纳米空心球冠状结构膜，所述SiO2双纳米空心球冠状结构膜附着于所述石英衬底表面；所述SiO2双纳米空心球冠状结构膜包括多个SiO2双纳米空心球冠状结构，多个所述SiO2双纳米空心球冠状结构紧密排列为规则的六方阵列；所述SiO2双纳米空心球冠状结构的其中一种纳米空心球冠状结构的直径为50‑60nm，另一种纳米空心球冠状结构的直径为200‑300nm；所述SiO2双纳米空心球冠状结构的厚度为20‑30nm。本发明可以在整个可见光380‑800nm波长范围内，实现光学透过率为98.7±0.15％，几乎是对所有的波长具有相同的透过率。
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公开(公告)号：CN105070664A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510554660.9
申请日：2015-09-04
IPC: H01L21/368 , H01L21/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296
CPC classification number: H01L21/02422 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02472 , H01L21/02554 , H01L21/02628 , H01L31/0296
Abstract: 本发明涉及光电子学技术领域，尤其涉及一种光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜制备方法，包括有清洗衬底、ZnO种子层制备、ZnO纳米棒有序阵列薄膜制备、ZnO/ZnS异质结构纳米阵列制备步骤，本发明具有工艺简单、操作方便、制备温度较低、产品性能优良、适于工程化应用等优点。
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公开(公告)号：CN106374094B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610977487.8
申请日：2016-11-08
Applicant: 钟文武 , 台州学院 , 上海电气集团上海电机厂有限公司 , 詹白勺
IPC: H01M4/36 , H01M10/0525 , H01M4/139
Abstract: 本发明涉及电池材料技术，尤其涉及一种ZnO/Ni蜂窝状电池负极材料、制备及电池组装方法，该材料包括衬底、设置在衬底上的ZnO层、设置在ZnO层上的Ni层；所述ZnO层为多孔蜂窝状纳米阵列。制备方法包括清洗Ni衬底；制备胶体球模板；沉积ZnO薄膜；去除胶体球模板，得到多孔ZnO阵列薄膜；溅射一层Ni薄膜，制备ZnO/Ni蜂窝状电池负极材料。电池组装方法，以上述材料为工作负极，以纯锂圆片为对电极，之间采用多孔聚丙烯膜隔开，采用扣式电池封口机，在手套箱内部将电池完全密封后取出。本发明用胶体球模板法制备的蜂窝状多孔ZnO阵列材料具有极大的比表面积，有效增大反应界面，提高材料的利用率并增大反应速度。
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公开(公告)号：CN107015296A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710264960.2
申请日：2017-04-21
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明公开了一种可见光区域SiO2柱状纳米结构阵列增透膜的制备方法，包括以下步骤：第一步、对石英衬底进行清洗；第二步、在石英衬底的其中一面合成胶体晶体模板；第三步、合成单面SiO2纳米柱状结构阵列膜；第四步、在石英衬底的另一面合成胶体晶体模板；第五步、合成双面SiO2纳米柱状结构阵列膜。本发明的SiO2柱状纳米阵列膜与石英衬底之间的结合十分牢固，超声清洗半小时对薄膜的形貌没有任何影响。本发明还公开了一种可见光区域SiO2柱状纳米结构阵列增透膜。
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公开(公告)号：CN104973624B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410139868.X
申请日：2014-04-09
Abstract: 本发明公开了一种网状四方相氧化锆纳米粉体的制备方法，其步骤包括：将锆及钇的无机盐溶解到蒸馏水中，然后加入丙烯酰胺、N,N’‑亚甲基双丙烯酰胺和过硫酸铵等物质，最后通过控制物质溶度、反应温度、时间和热处理温度获得纳米级的网状四方相氧化锆粉体。本发明得到的网状四方相纳米粉体结晶好，纯度较高，网状直径约为500～1500nm，纳米颗粒直径约为10～20nm。本发明提供制备网状氧化锆粉体的方法具有四方相产物纯度高、颗粒分散好，工艺操作简单、可重复性好、合成速度快，合成原料来源广泛、价格低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103769577B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410011134.3
申请日：2014-01-10
Abstract: 本发明公开了一种可磁场调控宽紫外光吸收性能的FeGa空心球纳米阵列材料，包括衬底、FeGa空心球阵列膜，FeGa空心球阵列膜覆盖于衬底上；所述FeGa空心球阵列膜由多个FeGa空心球单层紧密排列为蜂巢形阵列；所述FeGa空心球的直径为500～1000nm，壁厚为20～120nm。本发明将FeGa材料做成金属光子晶体，可通过外加磁场，利用FeGa良好的磁滞伸缩性能来调控材料的形态结构，能够实现进一步调控材料的光学方面性能。本发明还公开了一种FeGa空心球纳米阵列材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN102515086B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110369479.2
申请日：2011-11-21
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明公开了一种Co纳米结构阵列材料合成方法，所合成的Co纳米结构阵列包括衬底、Co纳米孔、Co空心球、Co多孔膜等纳米结构阵列，纳米结构阵列材料为钴磁性材料。样品的磁性具有很强的形态相关性，本发明可合成多种不同材料的纳米结构阵列，可广泛应用于磁存储、纳米器件加工及多功能纳米器件制备。
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公开(公告)号：CN102050419A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010569383.6
申请日：2010-12-02
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明公开了一种磁性双纳米结构阵列材料，包括衬底、双纳米结构阵列，双纳米结构阵列由两个单结构阵列所组成，双纳米结构设置于衬底上；两个单结构阵列分别为氧化铁、钴两种磁性材料；两个单结构阵列分别为纳米环或金字塔状等纳米结构阵列。本发明可合成多种不同材料的双结构阵列，同时还可集成两种材料的双重性质，可广泛应用于纳米器件加工及多功能纳米器件制备。本发明还公开了一种磁性双纳米结构阵列材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN106842757B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710217430.2
申请日：2017-04-05
Applicant: 台州学院
IPC: G02F1/1523
Abstract: 本发明涉及材料技术领域，尤其涉及一种NiO纳米结构阵列材料、制备方法、电致变色器件，该材料包括衬底和设置在衬底上的NiO层，所述NiO层为形貌均一、六角堆积排列的球壳状纳米结构阵列。制备方法包括清洗衬底；在衬底制备聚苯乙烯单层薄膜，用衬底捞起薄膜后热处理，再置于磁控溅射仪中，进行溅射镀膜；加热，去除模板。使用上述材料或制备方法制备的电致变色器件。本发明形貌均一，周期性排列的球壳状NiO纳米结构阵列，球壳的纳米单元尺寸可通过微球的尺寸、溅射功率、溅射时间等参数来调控，这种周期性的空心纳米结构阵列不仅具有巨大的比表面积，也为离子在材料中的脱嵌提供了便利，可解决材料电致变色的响应速度慢的问题。
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公开(公告)号：CN105590838B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510984282.8
申请日：2015-12-25
Abstract: 本发明涉及材料领域，尤其涉及一种强磁性TiO2半导体材料，包括衬底和设置在衬底上的TiO2层；所述TiO2层为形貌均一、六角堆积的蜂窝状纳米结构阵列；所述TiO2层的纳米颗粒大小3~5 nm。该材料制备方法包括：清洗衬底；在硅衬底形成单层胶体晶体模板；浸泡在前驱体溶液中；取出后浸入二氯甲烷中，溶解掉聚苯乙烯模板，形成蜂窝状结构的TiO2纳米阵列材料。本发明以单层胶体晶体为模板，结合溶液浸渍法成功制备出形貌均一，周期性排列的蜂窝状TiO2纳米结构阵列，该材料在室温下显现出较强的铁磁性。本发明可促进TiO2稀磁半导体材料在新型自旋电子器件领域的应用。
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