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公开(公告)号：CN106842757A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710217430.2
申请日：2017-04-05
Applicant: 台州学院
IPC: G02F1/15
CPC classification number: G02F1/15
Abstract: 本发明涉及材料技术领域，尤其涉及一种NiO纳米结构阵列材料、制备方法、电致变色器件，该材料包括衬底和设置在衬底上的NiO层，所述NiO层为形貌均一、六角堆积排列的球壳状纳米结构阵列。制备方法包括清洗衬底；在衬底制备聚苯乙烯单层薄膜，用衬底捞起薄膜后热处理，再置于磁控溅射仪中，进行溅射镀膜；加热，去除模板。使用上述材料或制备方法制备的电致变色器件。本发明形貌均一，周期性排列的球壳状NiO纳米结构阵列，球壳的纳米单元尺寸可通过微球的尺寸、溅射功率、溅射时间等参数来调控，这种周期性的空心纳米结构阵列不仅具有巨大的比表面积，也为离子在材料中的脱嵌提供了便利，可解决材料电致变色的响应速度慢的问题。
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公开(公告)号：CN105990512A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610466968.2
申请日：2016-06-24
Abstract: 本发明公开了一种聚苯乙烯胶体球与铌膜复合异质结构超导材料，包括衬底、铌膜和聚苯乙烯胶体六角阵列膜，铌膜位于衬底之上，聚苯乙烯六角阵列膜覆盖于铌膜之上；聚苯乙烯六角阵列膜包括多个聚苯乙烯胶体微球，各聚苯乙烯胶体微球以单层紧密排列为六角状阵列。本发明还公开了所述超导材料的制备方法。本发明将聚苯乙烯胶体微球和铌超导薄膜材料构筑为异质结构纳米结构材料，通过改变胶体球和铌衬底的接触面积，调控超导转变的临界温度，从而提高铌薄膜的超导转变温度Tconset，材料制备工艺简单，所需的设备较少，大大降低超导材料的制备成本，有利于推广应用。
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公开(公告)号：CN106842757B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710217430.2
申请日：2017-04-05
Applicant: 台州学院
IPC: G02F1/1523
Abstract: 本发明涉及材料技术领域，尤其涉及一种NiO纳米结构阵列材料、制备方法、电致变色器件，该材料包括衬底和设置在衬底上的NiO层，所述NiO层为形貌均一、六角堆积排列的球壳状纳米结构阵列。制备方法包括清洗衬底；在衬底制备聚苯乙烯单层薄膜，用衬底捞起薄膜后热处理，再置于磁控溅射仪中，进行溅射镀膜；加热，去除模板。使用上述材料或制备方法制备的电致变色器件。本发明形貌均一，周期性排列的球壳状NiO纳米结构阵列，球壳的纳米单元尺寸可通过微球的尺寸、溅射功率、溅射时间等参数来调控，这种周期性的空心纳米结构阵列不仅具有巨大的比表面积，也为离子在材料中的脱嵌提供了便利，可解决材料电致变色的响应速度慢的问题。
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公开(公告)号：CN107287461B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710556296.9
申请日：2017-07-10
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明属于新材料技术领域，公开了一种超细晶高性能Ti(C,N)‑TiB2‑WC‑TaC复合金属陶瓷刀具及制备方法。所述超细晶高性能Ti(C,N)‑TiB2‑WC‑TaC复合金属陶瓷材料为一步法原位合成，晶粒尺寸小于500nm。其主要由以下材料组成：Co：8wt.％(纯度99wt.％，粒度
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公开(公告)号：CN107287566A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710556057.3
申请日：2017-07-10
Applicant: 台州学院
CPC classification number: C23C14/325 , C23C14/0641 , C23C14/0688
Abstract: 本发明属于金属表面涂层技术领域，公开了一种在WC/CO硬质合金基体上沉积纳米复合锆铝钼氮化物涂层及其制备方法。本发明所述的锆铝钼氮化物涂层分为两层，一层为Zr/ZrN打底层，厚度为100～400纳米；一层为纳米复合锆铝钼氮化物涂层，厚度为2.8～3.4微米；涂层总厚度为2.9～3.8微米。本发明所述的涂层采用多弧离子镀技术沉积。涂层中含有锆、铝、钼和氮四种元素，涂层显微硬度达到33.6GPa，耐高温氧化温度可达1130℃，摩擦系数为0.33。通过本发明制备的硬质合金刀具可实现对高硬度的金属材料进行高速干切削。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106277822A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610604267.0
申请日：2016-07-28
CPC classification number: C03C17/22 , B81C1/00349 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C03C2218/156
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米柱状阵列材料，包括衬底和硅纳米柱状阵列膜，所述硅柱状阵列膜覆盖于所述衬底上；所述硅纳米柱状阵列膜包括多个硅纳米柱，各所述硅纳米柱紧密排列成蜂窝状六角阵列；各所述硅纳米柱的直径为50 nm~500 nm，硅纳米柱的高度为10 nm~150 nm。本发明还公开了所述硅纳米柱状阵列材料的制备方法。本发明基于胶体晶体模板，合成各种尺寸可控的硅纳米柱状阵列，该柱状阵列不仅具有良好的光吸收性能，而且其光吸收峰位和硅纳米柱尺寸具有良好的尺寸相关性。本发明所制备的硅纳米柱状阵列材料成本低、适用面广、制备简便、易于推广，使其在防反射、光敏器件、能源器件等方面具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN103769577A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410011134.3
申请日：2014-01-10
Abstract: 本发明公开了一种可磁场调控宽紫外光吸收性能的FeGa空心球纳米阵列材料，包括衬底、FeGa空心球阵列膜，FeGa空心球阵列膜覆盖于衬底上；所述FeGa空心球阵列膜由多个FeGa空心球单层紧密排列为蜂巢形阵列；所述FeGa空心球的直径为500～1000nm，壁厚为20～120nm。本发明将FeGa材料做成金属光子晶体，可通过外加磁场，利用FeGa良好的磁滞伸缩性能来调控材料的形态结构，能够实现进一步调控材料的光学方面性能。本发明还公开了一种FeGa空心球纳米阵列材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN101714451B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200910153351.5
申请日：2009-10-15
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明是一种铁磁形状记忆合金及其制备方法，特别是一种NiMnGaSi合金粘结磁体及其制备方法。NiMnGaSi合金粘结磁体的制备方法是选用原料Ni2O3粉末、Ga2O3粉末、Mn粉、Ca粉和SiO2乳胶液，通过还原反应和扩散反应得到NiMnGaSi合金粉末；再将NiMnGaSi合金粉末粘结成一体，即得到NiMnGaSi合金粘结磁体。本发明的NiMnGaSi合金粘结磁体，其磁致应变性能和机械性能都得到明显的提高，在高频电磁场作用下不易发热，可以根据工件的要求加工成不同尺寸和形状，有较大的应用价值。
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公开(公告)号：CN109183065A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811096665.1
申请日：2018-09-19
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明公开一种水热制备1T/2H相MoSSe的方法，包括以下步骤：采用纯度为99%的七钼酸铵；纯度为99%的硫脲；纯度为99%的硒粉；纯度为98%的硼氢化钠；纯度为99.5%的乙酸；按照1:3的比例称量硒粉与硼氢化钠于烧杯中，加入一定量的去离子水。然后，在30℃下持续搅拌1h，使其完全溶解。用乙酸调节混合溶液的PH值达到3；称量七钼酸铵与硼氢化钠：按照1:30的比例称量七钼酸铵与硫脲于反应釜中。其中，硫脲的S元素与上述称量的硒粉的比例按照MoSSe中S/Se的元素比例；将PH值为3的硒粉与硼氢化钠混合溶液迅速倒入反应釜中。拧好反应釜，在180℃保温6小时，获得最终样品。本发明还公开1T/2H相MoSSe，其采用如上所述的方法制备而成，运用于催化析氢领域。
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