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公开(公告)号：CN102914323B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210395731.1
申请日：2012-10-17
Applicant: 厦门大学
IPC: G01D18/00
Abstract: 一种光电探测器绝对光谱响应的校准方法，涉及光电探测器的测试。设有光栅光谱仪、光电采集电路、计算机、待测光电探测器、标准光谱辐照度探头、套筒、会聚透镜组、光源、LED温控夹具和LED稳流源。测出待测光电探测器相对光谱响应得相对光谱响应曲线；把探头和光源固定在套筒里，点亮LED和开启夹具，测出不同电流下LED的光谱辐照度分布；把探头卸掉，将待测光电探测器固定在套筒中，待测光电探测器响应电流经光电采集电路采集不同波长光照下的响应电流值，并送给计算机；已知相对光谱响应和待测光电探测器在LED光源的照射下的响应电流可计算出待测光电探测器的绝对光谱响应度。最终绘出响应度-波长曲线。
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公开(公告)号：CN103308499A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310196584.X
申请日：2013-05-24
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种蓝光LED激发荧光粉性能测试装置及测试方法，涉及荧光粉。提供基于积分球的一种蓝光LED激发荧光粉性能测试装置及测试方法。所述测试装置设有固定底座、积分球、出光筒、蓝光LED光源、TEC控温夹具、恒流源、余弦收集器、光谱仪、计算机、挡板和标准白板。利用LED光谱参数可调、发光稳定的优点作为激发光源，以及积分球装置封闭的特点完整收集荧光粉反射的光线，提出了一套适用性强的荧光粉性能测量系统，可以方便准确地测量分析荧光粉在实际工作条件下的发光效能、外量子效率、光转换效率等重要发光性能指标。同时，系统可以通过灵活更换LED激发光源，实现不同荧光粉对不同激发光源的要求，具有良好的扩展性能。
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公开(公告)号：CN101572288B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910111881.3
申请日：2009-05-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率和输出功率较高的GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法。设有蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上外延生长多层异质结构，多层异质结构自下而上设有低温GaN缓冲层、N型GaN电极接触层、N型AlGaN/GaN超晶格光限制层、N型GaN波导层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型AlGaN电子阻挡层、P型GaN波导层、P型AlGaN/GaN超晶格光限制层、P型GaN层和p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层，在N型GaN电极接触层上设有n型电极，在P型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层上设有p型电极。
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公开(公告)号：CN101183697A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710009956.8
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率高、晶体质量好的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。设有衬底、GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、介质层、第2掺硅GaN层，InGaN/GaN多量子阱、掺镁AlGaN层和掺镁GaN层，并从下至上设于衬底上。将(0001)面的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下热处理；降温生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长第1掺硅GaN层，降温取出样品；在样品上沉积介质层，沿第1掺硅GaN层的 方向刻出窗口作为图形衬底，样品清洗后外延生长：整个外延生长完成后，将外延片退火。
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公开(公告)号：CN119814097A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510027531.8
申请日：2025-01-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B7/0456 , H04L27/34
Abstract: 本发明公开了一种降低微型LED光通信系统峰值平均功率比的方法及装置，包括：在VLC系统的发射端通过预编码矩阵分别对第一用户的调制数据和第二用户的调制数据进行预编码，分别得到第一用户的预编码输出信号和第二用户的预编码输出信号；基于功率分配因子以及第一用户的预编码输出信号和第二用户的预编码输出信号的总功率对第一用户的预编码输出信号和第二用户的预编码输出信号进行组合计算，得到预编码频域信号；将预编码频域信号扩展为具有Hermitian对称性的扩展频域信号，对扩展频域信号进行快速傅里叶逆变换，得到预编码时域信号；对预编码时域信号进行μ律压缩处理，得到压缩信号，根据压缩信号计算得到峰值平均功率比。本发明能够有效降低PAPR。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119767891A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411992297.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/814 , H10H20/812 , H10H20/858 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种缓解电流拥挤效应的Micro‑LED器件及其制备方法，其外延结构由背面至正面按序包括衬底、缓冲层、n‑GaN层，多量子阱层和p‑GaN层，并通过正面蚀刻至n‑GaN层形成发光台面；p‑GaN层上设有电流扩展层，电流扩展层上设有p电极，n‑GaN层上设有n电极；其中p‑GaN层的正面于电流扩展层下方具有若干凹槽，凹槽内填充高反射率的金属导电材料，显著改善了电流在整个器件中的均匀分布，提高了器件的电流扩展能力，能够显著提升器件的稳定性、可靠性。
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公开(公告)号：CN116798339A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310687674.2
申请日：2023-06-12
Applicant: 厦门大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本申请提出了一种基于FPGA的芯驱集成micro‑LED显示像素驱动方法，步骤包括：S1：基于FPGA的串口接收与译码设计电路：FPGA接收上位机通过串口发送过来的控制指令，并对其进行译码，控制指令经译码后转换为n组RGB信息，其中n为一帧图像中像素点数量；S2：响应于FPGA发出的n组RGB信息，n组串联的驱动芯片逐级传输n‑1组RGB信息，直到n组RGB信息全部传输完毕；S3：各级驱动芯片根据接收的RGB信息控制对应RGB灯珠工作。基于FPGA全彩LED器件驱动编码技术方案具有多个有益效果，可以有效提高LED器件的控制精度、稳定性、光效和色彩还原度，同时降低了控制电路的复杂度和控制器资源占用，使得LED器件更加高效、方便和可靠。
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公开(公告)号：CN116344715A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310419422.1
申请日：2023-04-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种高转换效率量子点色转换层的制备方法，其是对硬质透明衬底的表面进行图案化，得到分立间隔排布的凸起结构阵列，并于图案化的表面上沉积量子点单元得到量子点色转换层，其图案化的表面可以帮助器件内部光子纵向传播，从而提高光提取效率；用于Micro‑LED全彩显示，显示效果好，且制作工艺简单，避免巨量转移，成本低，可以作为显示器的封装层，更易于批量化生产。
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公开(公告)号：CN114264452B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111591246.7
申请日：2021-12-23
Applicant: 厦门大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 一种微型发光器件阵列单像素的光色检测系统及检测方法，涉及微型发光器件阵列的光色检测。检测系统包括机械手臂、集光盖板、标准积分球光源、标准LED器件、显微高光谱成像光谱仪、电流源和计算机。使用二步式校准法进行检测系统相对和绝对响应曲线校准；测试微型发光器件阵列时，机械手臂控制集光盖板，使集光盖板上的通孔与微型发光器件阵列芯片一一对应，通过显微高光谱成像光谱仪测试并收集单颗芯片的图像和光谱信息，通过计算得微型发光器件阵列光度学和色度学参数。解决微型发光器件阵列单像素检测时光信号弱、像素间光串扰等问题，实现微型发光器件阵列单像素光通量、光功率绝对值批量快速检测，提升检测效率和准确性。
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公开(公告)号：CN114967316A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210513754.1
申请日：2022-05-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法，根据光刻图形设计分隔构件，所述分隔构件包括罩板，罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件，并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开，然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶，可实现九十度的垂直剖面，实现了低成本，高精度的光刻工艺。
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