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公开(公告)号：CN119295860A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411805695.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 南昌大学
IPC: G06V10/774 , H04N23/54 , H04N23/55 , G06V10/776 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/067 , G06N3/0895
Abstract: 本发明涉及光学探测成像技术领域，尤其是涉及一种单像素成像方法及系统。包括获取光信号得到参考图像和目标光场信息并将其分别作为标记集和信号集，建立神经光场模型和特征提取网络；根据相同随机种子函数，将对应数据集，随机抽样分成训练集、测试集和验证集；以神经光场模型进行训练，经过训练得到损失函数的最小值小于设定阈值时，输出作为模型文件；采用验证集对训练的模型文件进行验证，得到准确率大于第一阈值范围则为合格，否则采用新的随机种子函数重复进行迭代模型训练及验证，本发明无复杂的光机结构和空间调制方式，可采用单像素传感器实现了物体的高精度成像，同时采用半监督深度学习算法，有利于提高训练速度，节省硬件资源。
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公开(公告)号：CN118738190B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411206043.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于PbSe/CsPbBr3异质结可控生长的钙钛矿光电探测器及制备方法，涉及光电探测技术领域，探测器包括：基底、在所述基底上生长的PbSe薄膜层以及在所述PbSe薄膜层上外延生长的CsPbBr3薄膜层；所述PbSe和所述CsPbBr3形成PbSe/CsPbBr3异质结。制备方法包括：在基底表面沉积PbSe薄膜，形成PbSe薄膜层；以CsBr和PbBr为原料，采用化学气相沉积的方法在带有PbSe薄膜的基底表面进行生长，形成CsPbBr3薄膜层。本发明的有益效果是制备高质量、单晶性优秀、表面平整的CsPbBr3薄膜，同时异质结可以有效减少载流子非辐射复合降低和抑制暗电流。
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公开(公告)号：CN117288246B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311592313.6
申请日：2023-11-27
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种基于热电子效应的多象限探测器校正检测方法及系统，包括：校正信号采集单元，用于测量多象限探测器的不同象限芯片在不同光源输出光功率下和标准黑体下的响应电压；校正计算单元，用于根据不同条件下采集的响应电压，计算多象限探测器的不同象限芯片的校正参数，并写入对应信号放大器中；合格判定单元，用于根据计算的分压电阻比例和在不同温度下的暗电压是否符合预设阈值；若符合预设阈值，则认为多象限探测器中对应象限的芯片合格；否则认为多象限探测器中对应象限的芯片不合格。本发明通过对各象限芯片的响应电压值和不同温度下暗电压进行校正，有效解决了因制造工艺限制，导致每个象限芯片的性能参数都存在一定差异的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118738190A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411206043.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于PbSe/CsPbBr3异质结可控生长的钙钛矿光电探测器及制备方法，涉及光电探测技术领域，探测器包括：基底、在所述基底上生长的PbSe薄膜层以及在所述PbSe薄膜层上外延生长的CsPbBr3薄膜层；所述PbSe和所述CsPbBr3形成PbSe/CsPbBr3异质结。制备方法包括：在基底表面沉积PbSe薄膜，形成PbSe薄膜层；以CbBr和PbBr为原料，采用化学气相沉积的方法在带有PbSe薄膜的基底表面进行生长，形成CsPbBr3薄膜层。本发明的有益效果是制备高质量、单晶性优秀、表面平整的CsPbBr3薄膜，同时异质结可以有效减少载流子非辐射复合降低和抑制暗电流。
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公开(公告)号：CN117288246A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311592313.6
申请日：2023-11-27
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种基于热电子效应的多象限探测器校正检测方法及系统，包括：校正信号采集单元，用于测量多象限探测器的不同象限芯片在不同光源输出光功率下和标准黑体下的响应电压；校正计算单元，用于根据不同条件下采集的响应电压，计算多象限探测器的不同象限芯片的校正参数，并写入对应信号放大器中；合格判定单元，用于根据计算的分压电阻比例和在不同温度下的暗电压是否符合预设阈值；若符合预设阈值，则认为多象限探测器中对应象限的芯片合格；否则认为多象限探测器中对应象限的芯片不合格。本发明通过对各象限芯片的响应电压值和不同温度下暗电压进行校正，有效解决了因制造工艺限制，导致每个象限芯片的性能参数都存在一定差异的问题。
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公开(公告)号：CN117110250A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311387558.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 南昌大学
IPC: G01N21/47 , G06N3/0895
Abstract: 本发明提供了一种深度学习辅助的物质定量分析方法，利用光源及驱动单元产生入射光波；利用光散射及物质作用单元与待测物质作用形成多模态散射光；利用多象限红外探测器通过N个独立光电探测芯片接收多模态散射光，并形成N个电压信号；利用智能分析单元对实时探测的N个电压信号以相同序列组成向量组，通过半监督型深度学习进行物质定量识别。本发明不受光谱分辨力局限、且无复杂通用光谱仪光谱结构实现了物质（混合气体和水污染物等）的高精度定量监测，同时采用半监督深度学习算法，有利于提高训练速度，节省硬件资源。
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公开(公告)号：CN115807219A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202310102877.0
申请日：2023-02-13
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种光电薄膜材料制备控制系统及方法，包括：薄膜生长实时监测单元，通过至少两个波段光源，汇聚透镜和宽光波段光电探测器组成，其中，光源采用正弦波调制，通过分析至少两个波段光源发出光束在基片上生长过程中的薄膜反射后，被汇聚透镜汇聚到光电探测器，通过分析薄膜对特定波长的吸收和反射特性，来判断薄膜是否达到预设的吸收信号阈值和反射信号阈值；光电薄膜生长控制系统，通过薄膜生长实时监测单元连续采集薄膜对特定波长的吸收和反射特性，以及吸收强度信号，通过模糊PID控制器控制加热块温度，惰性气体流量，以达到既定材料单晶结构和薄膜厚度，保障薄膜材料生长的一致性。
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公开(公告)号：CN115326206A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211028948.9
申请日：2022-08-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种热调控的上转换红外探测装置，包括可见光光源、分束镜，上转换器件，斩波器，红外目标光源，可见光探测器；可见光光源发出的光透过分束镜照射到上转换器件的发光材料上，在上转换器件发生光致发光效应；分束镜透过可见光光源发射的光波，且反射上转换器件表面的光致发光光波；可见光探测器探测经分束镜反射的上转换器件的发射光；红外目标光源发出的辐射经斩波器调制后成脉冲光，作用于上转换器件的红外探测材料上，用于调控上转换器件发光强度；斩波器用于调控辐射光源的频率。本发明制备成本低，制作工艺简单；对材料单晶性要求低，器件结构可调，操作简单；上转换效率可调，易于探测。
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