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公开(公告)号：CN106283194B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610766947.2
申请日：2016-08-29
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明提出了一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法，其目的在于解决现有极化技术在铌酸锂晶体中制备纳米畴结构中存在的技术难题，其适用于铁电晶体纳米畴工程领域中纳米畴结构的制备，尤其适用于Z切向的同成分铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体等。所述制备方法包括步骤：第一步，在铌酸锂晶体中构造畴壁结构；第二步，对该样品进行热处理；第三步，对样品进行二次极化。本技术通过改变热处理温度和热处理时间，可以制备出不同尺寸的纳米畴结构。畴结构的尺寸一般在百纳米量级，深度在百微米量级。利用该技术可以制备百微米长的高质量纳米畴结构。该技术具有操作简单，可以实现批量化、大面积制备纳米畴结构等特点。
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公开(公告)号：CN119395821A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411489982.5
申请日：2024-10-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本公开涉及光栅技术领域，特别是涉及一种光栅耦合器。光栅耦合器包括：衬底；光栅层，位于衬底的一侧，光栅层包括波导部与光栅部，光栅部包括在光栅层的延伸方向上相对设置的第一端和第二端，第一端用于连接波导部，且光栅部包括第一光栅部，在第一端指向第二端的方向上，第一光栅部的占空比减小，周期增大；光纤，位于光栅部远离衬底的一侧，光纤在衬底上的正投影与第一光栅部在衬底上的正投影存在交叠部分。通过设置第一光栅部的占空比减小，从而在第一光栅部内，第一光栅部的衍射场可以平缓调节，以使得第一光栅部的衍射场与光纤的模式场更匹配。通过设置第一光栅部的周期增大，从而在占空比减小变化的情况下，光栅仍旧基本满足相位匹配条件。
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公开(公告)号：CN115933052B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211266246.4
申请日：2022-10-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种光波导耦合器和光波导耦合器的制备方法。一种光波导耦合器用于与光纤耦合，光波导耦合器包括基片以及高折射率波导，高折射率波导形成于基片上，且沿第一方向延伸；高折射率波导具有沿第一方向相对设置的第一端部和第二端部。相较于第二端部，第一端部更靠近光纤。其中，高折射率波导的第一端部的厚度为第一预设值，高折射率波导的第一端部沿第二方向的尺寸为第二预设值，以使第一端部能够与光纤进行TE基模耦合。该光波导耦合器器件简单，易于制作、且具备了端面耦合器兼起偏的功能。
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公开(公告)号：CN114361331B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111404360.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种铌酸锂半导体结构的制备方法，包括以下步骤：S100，提供铌酸锂材料薄膜，所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向沿第一方向；S200，在所述铌酸锂材料薄膜表面间隔设置多个第一电极层和多个第二电极层，多个所述第一电极层和多个所述第二电极层形成叉指电极；S300，给所述第一电极层和所述第二电极层施加脉冲电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间的所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向反转为沿第二方向，所述第二方向与所述第一方向相反。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114361330B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111403828.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层；第二铌酸锂材料层，与所述第一铌酸锂材料层间隔设置，所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿相同方向排列；以及第三铌酸锂材料层，夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间，所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向相反。
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公开(公告)号：CN114361330A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111403828.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层；第二铌酸锂材料层，与所述第一铌酸锂材料层间隔设置，所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿相同方向排列；以及第三铌酸锂材料层，夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间，所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向相反。
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公开(公告)号：CN113943978A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111195202.2
申请日：2021-10-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及铁电畴制备技术领域，具体而言，涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤：用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构，其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度，铌酸锂晶体为非极性的X切向或非极性的Y切向的晶体。本发明提供的制备方法对样品结构无要求，无需底电极，且能够制备出任意图案且完整的畴结构。本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。
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公开(公告)号：CN110670134A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910894519.1
申请日：2019-09-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提出了一种p型和n型导电铌酸锂纳米线的制备方法，其包括以下步骤：步骤一：利用热固定技术，对多畴铌酸锂晶体进行均匀加热一定时间，并自然冷却至室温，使晶体中的质子被固定在畴壁区域；步骤二：利用电极化技术将上述制得的铌酸锂晶体进行一次极化；步骤三：利用电极化技术将上述制得的铌酸锂晶体进行第二次极化，可以改变步骤二中制备的纳米线导电类型，其能够通过一次极化反转实现p型和n型导电载流子类型的转换。所述方法解决铌酸锂晶体中纳米尺度下输运载流子的调控技术，实现了在纳米尺度下铌酸锂电学特性的调控难题。
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公开(公告)号：CN108983445A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810999804.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种光纤声光器件应力可调节支架及其系统和安装方法。本发明采用在一维精密平移装置上固定光纤支架，从而对光纤施加轴向应力，并且通过辅助安装设备使声光驱动角锥的尖端与光纤重合；本发明解决了光纤声光器件在使用中应力需要随时调整的问题，并且兼顾了不同应用的光纤声光器件的灵活性，为光纤声光器件真正实用化提供了必要的结构；同时本发明提出了辅助安装设备，该结构调整灵活，可重复利用，能够满足光纤声光器件应力可调节支架的批量安装使用，解决了生产过程中声光角锥与光纤精密对准的问题；本发明使光纤声光器件真正进行脱离实验室走向应用，为其在全光纤通信、全光纤传感、全光纤激光器等领域的应用奠定了坚实的基础。
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