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公开(公告)号：CN117310846A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311381891.5
申请日：2023-10-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高透射和圆二色性的功能集成超材料装置，包括呈阵列结构排列的多个不同旋转取向角的超材料单元；所述超材料单元包括呈十字形中心部和两个半圆形延伸部；十字形中心部包括竖直交叉呈十字形的横轴和纵轴，两个半圆形延伸部的其中一端分别连接在纵轴的两个端部上，另一端分别向横轴的两个端部方向延伸。本发明采用的超材料单元在蓝光范围内的460nm处实现了0.99的透射或反射和CD值；另外，采用几何相位延迟的方式设计单元结构的排布可以实现如异常折射、聚焦、全息图等不同的功能。
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公开(公告)号：CN116519175A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310798318.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种基于Si衬底生长GaN基纳米线的柔性器件及制备方法，包括顶部连接电极和底部连接电极，所述顶部连接电极和底部连接电极之间连接有GaN纳米线，所述顶部连接电极为ITO薄膜，所述底部连接电极为环氧树脂银。本发明在2.0 kPa常压下最大输出电压为12 V，现有技术中的基于柔性氮化镓薄膜压电压力传感器及基于ZnO NWs生长在阳极氧化铝上的超皮肤压力传感器的最大电压仅为毫伏级别。较大的内置输出电压，会使得外电路电流增加，意味着会产生较大的电荷量，我们可以将通过压力产生的电荷存储起来，从而实现自供电。不依赖外部电源的供电方式，更符合可穿戴生物传感器的发展趋势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114582995A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210098785.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种基于极化增强的Ⅱ型量子点光学门控场效应晶体管日盲紫外探测器，包括衬底，所述衬底上依次叠设有AlGaN层、AlGaN复合功能层和InAlN薄膜层；其中，所述InAlN薄膜层中具有AlGaN/InAlNⅡ型量子点；所述AlGaN层为二维电子气的诱导层；所述AlGaN复合功能层为极化增强层，及所述Ⅱ型量子点与二维电子气沟道之间的隔离层。本发明的有益效果在于提供一种实现了具有高探测灵敏度和单光子探测能力的基于极化增强的AlGaN/InAlNⅡ型量子点光学门控场效应晶体管日盲紫外探测器。
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公开(公告)号：CN119694795A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411285549.X
申请日：2024-09-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的NiO纳米颗粒@AlGaN纳米线光电极的制备及应用，包括，通过利用浸渍和煅烧的方法在AlGaN纳米线上修饰NiO纳米颗粒从而形成该结构。一方面NiO和AlGaN构成II型异质结，可以促进载流子分离，有效提升光生载流子的分离效率；另一方面NiO和AlGaN对不同波长的光穿透深度不同，因此在不同波长下产生主导光生载流子的对象不同，因而该电极可以在不同波长光照下产生极性相反的光电流。
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公开(公告)号：CN119677221A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411866449.6
申请日：2024-12-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种增强光电流的氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用，属于电极技术领域；光电极制备过程包括：将n‑GaN晶圆切割后冲洗后吹干；将Co(NO3)2、NaIO3和甲醇混合配置成溶液A，然后将n‑GaN晶圆放入溶液A中，接着在紫外光下光沉积；冲洗后再用氮气干燥，得到带有Co3O4纳米粒子的n‑GaN晶圆样品；将Na2SO3水溶液与CuSO4水溶液混合搅拌得到溶液B；将带有Co3O4纳米粒子的n‑GaN晶圆样品悬挂于溶液B中水浴加热，并滴加NaOH溶液，之后冲洗过后再用氮气干燥，得到氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极；将氧化钴与氧化亚铜修饰的氮化镓光电极干燥定型，得益于合理的Co3O4/Cu2O装饰，在365nm光照下实现了的高响应和快速响应/恢复时间。
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公开(公告)号：CN118422257A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410506246.X
申请日：2024-04-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/02 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明属于电极技术领域，具体涉及一种锗掺杂氧化钴修饰的氮化镓光电极、制备方法及应用；所述制备方法包括：S1、将GeO2、NaOH以及去离子水混合配制成溶液A，将溶液A水热处理，然后蒸发得到白色粉末，将白色粉末进行流动退火处理，得到Na2GeO3粉末；S2、将C4H6CoO4·4H2O、C6H5Na3O7·2H2O以及去离子水配制溶液B，将NaOH、CO(NH2)2以及去离子水配制溶液C，向溶液C中加入溶液B以及Na2GeO3粉末得到混合溶液，将混合溶液水热、离心处理，再用乙醇洗涤，得到紫红色粉末，对紫红色粉末干燥、脱水处理，得到锗掺杂氧化钴粉末；将掺锗氧化钴粉末以及去离子水混合得溶液D，用去离子水对溶液D稀释配制成溶液E，将氮化镓光电极置于溶液E中，然后烧结得到锗掺杂氧化钴修饰的氮化镓光电极。
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公开(公告)号：CN111048637B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201911251245.0
申请日：2019-12-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高落差台阶结构的多色LED外延芯片，包括衬底层，其特征在于：所述衬底层上形成至少一层的台阶结构，台阶与衬底层表面之间的落差≥5μm，每层台阶之间的落差≥5μm，在含有台阶结构的衬底层上依次生长GaN缓冲层、InGaN多量子阱结构，形成多色LED外延芯片。并公开了其制备方法。本发明利用紫外曝光、刻蚀等技术制备蓝宝石的高低落差，进MOCVD、MBE炉外延生长时，这种高低落差会造成表面具有较大的温度差，进而调控了不同区域铟镓组分。本方法可有效在同一外延片上获得不同发光波长区域，从而实现双色甚至多色LED芯片，该方法可低成本、高稳定实现全色高清显示芯片。
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