公开(公告)号：CN105843555A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610159340.8

申请日：2016-03-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 胡海峰 ,  朱力 ,  吴建盛

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/067 ,  G06F3/0604

Abstract: 本发明公开了分布式存储中基于随机梯度下降的谱哈希方法，该方法在语义一致的谱哈希算法的基础上，利用随机梯度下降减少算法训练时间，且进一步提出基于柯西分布的一致性哈希算法并利用该算法将每一个数据项压缩成一个一维的实数值。这样便能利用一致性哈希的思想，在动态的网络拓扑中实现分布式存储，且使相似的数据项存储在相同的或者相近的存储服务器节点。本发明的方法使得每个存储服务器节点仅需要维护少量近邻节点的信息，当服务器节点加入或者退出系统时，仅有少量相关节点参与到拓扑的维护之中，提高了收敛速度和存储准确性。

公开(公告)号：CN116504815A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310762255.0

申请日：2023-06-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 杨光安 ,  黄辰阳 ,  朱洪 ,  徐勇 ,  孙华斌 ,  于志浩 ,  陈子龙 ,  吴洁 ,  朱力

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 一种高功率a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，包括基底、支撑层、栅电极层、栅介质层、a‑IGZO有源层、变掺杂区、源电极层和漏电极层，支撑层设于基底上表面；栅电极层设于支撑层上表面中部；栅介质层覆盖于所述栅电极层和所述支撑层上；a‑IGZO有源层设于栅介质层上表面，变掺杂区为a‑IGZO有源层右端经处理后形成的变掺杂区；源电极层设于a‑IGZO有源层上表面的左侧，漏电极层设于变掺杂区上表面的右侧。本发明提供的漂移区变掺杂结构通过调制漂移区中的电场分布，能够有效提升器件击穿电压，降低漂移区电阻，优化器件导通电阻，显著提升薄膜晶体管的Baliga优值，可以用以提升晶体管的耐压性能和输出电流能力。

公开(公告)号：CN116381439A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310214741.9

申请日：2023-03-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  杨涛 ,  于志浩 ,  徐勇 ,  吴洁 ,  陈子龙 ,  朱力 ,  万相

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种利用态密度曲线评估有机场效应晶体管退化性能的方法，涉及有机半导体器件技术领域。态密度曲线是在器件的传输特性曲线的基础上通过使用有效迁移率以及接触电阻亚阈值斜率等传统参数进行处理后绘制得到的，使用态密度曲线评估器件能够更直观的观察到薄膜层陷阱在能量上的分布，载流子从深陷阱中释放大致需要的能量，器件性能的退化可以通过态密度曲线有效表现出来，因而利用态密度曲线评估器件退化性能是具有较强的可行性与通用性的。