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公开(公告)号：CN114891022B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210338305.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , C07D493/22 , C07D517/22 , H10K85/60 , H10K10/46 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的有机纳米格子分子材料具有良好的电本发明公开了一种有机纳米格子分子材料， 化学稳定性，其框架的刚性结构可减少器件制备过程中的薄膜溶剂依赖性，适用于制备有机场效应晶体管存储器的存储层。其结构通式为：其中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链
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公开(公告)号：CN117412609A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311351580.4
申请日：2023-10-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开基于PM系列宽带隙聚合物和Y6受体共混材料体系的有机场效应晶体管存储器及制备方法，属于有机半导体新型存储器和信息技术领域；存储器为从上至下分别为源漏电极、有机半导体层，存储介质层，栅绝缘层及栅极；存储介质层为PM系列宽带隙聚合物和Y6混合后一起旋涂形成的单层结构或为PM系列宽带隙聚合物和Y6分别旋涂形成的多层结构；能够实现在给定光强和电调控下的较大的存储空间，而且能够通过多层结构实现电调控存储；可应用于可见光感应以及柔性电子存储中，并在未来柔性可穿戴电子器件的发展种得到进一步推广与生产；其制备成本低、操作简便且过程稳定可靠。
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公开(公告)号：CN111848698B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010716229.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化还原格芳烃、基于该氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器及制备方法，所述氧化还原格芳烃具有对称的几何结构，具有较明显分离的LUMO和HOMO能级，结构式如下：本发明将氧化还原格芳烃作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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公开(公告)号：CN110423238B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910739710.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π‑π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。
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公开(公告)号：CN109053722B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810768096.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D471/04
Abstract: 本发明公开了一种菲啰啉配合物，其结构通式如下：本发明同时公开了一种菲啰啉配合物忆阻器，包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层，其中阻变层包括由菲啰啉配合物形成的菲啰啉配合物活性薄膜层，该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109053722A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810768096.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D471/04
CPC classification number: C07D471/04
Abstract: 本发明公开了一种菲啰啉配合物，其结构通式如下：本发明同时公开了一种菲啰啉配合物忆阻器，包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层，其中阻变层包括由菲啰啉配合物形成的菲啰啉配合物活性薄膜层，该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。
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公开(公告)号：CN116655593A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310520492.6
申请日：2023-05-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D401/06 , H10K85/60 , H10K10/46
Abstract: 本发明公开了一种基于吖啶酮的有机存储材料、制备方法及其应用，属于有机存储材料技术领域。基于吖啶酮的有机存储材料的结构通式为：其中，n为1‑22，Ar为以下结构式中的任意一种：本发明采用简单、低成本的工艺手段制备有机存储材料，可充当存储器的电荷俘获层，能够将其应用于OFET存储器中，并且具有很好的存储容量和响应速度。
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公开(公告)号：CN116199707A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310209593.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。
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公开(公告)号：CN111848698A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010716229.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化还原格芳烃、基于该氧化还原格芳烃的有机场效应晶体管存储器及制备方法，所述氧化还原格芳烃具有对称的几何结构，具有较明显分离的LUMO和HOMO能级，结构式如下： 本发明将氧化还原格芳烃作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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