公开(公告)号：CN116199707A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310209593.1

申请日：2023-03-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 卞临沂 ,  刘广毅 ,  张哲玮 ,  崇昊 ,  韩秋数 ,  周鑫阳 ,  朱金成 ,  解令海 ,  张广维

IPC: C07F7/08 ,  H10K85/40 ,  H10K71/16 ,  H10K71/40 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。

公开(公告)号：CN116199707B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202310209593.1

申请日：2023-03-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 卞临沂 ,  刘广毅 ,  张哲玮 ,  崇昊 ,  韩秋数 ,  周鑫阳 ,  朱金成 ,  解令海 ,  张广维

IPC: C07F7/08 ,  H10K85/40 ,  H10K71/16 ,  H10K71/40 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。

公开(公告)号：CN114891022B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202210338305.8

申请日：2022-04-01

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 卞临沂 ,  张哲玮 ,  解蒙 ,  刘广毅 ,  崇昊 ,  解令海

IPC: C07D495/22 ,  C07D493/22 ,  C07D517/22 ,  H10K85/60 ,  H10K10/46 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明的有机纳米格子分子材料具有良好的电本发明公开了一种有机纳米格子分子材料， 化学稳定性，其框架的刚性结构可减少器件制备过程中的薄膜溶剂依赖性，适用于制备有机场效应晶体管存储器的存储层。其结构通式为：其中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链

公开(公告)号：CN114891022A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210338305.8

申请日：2022-04-01

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 卞临沂 ,  张哲玮 ,  解蒙 ,  刘广毅 ,  崇昊 ,  解令海

IPC: C07D495/22 ,  C07D493/22 ,  C07D517/22 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种有机纳米格子分子材料，其结构通式为：其中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基链；X原子为C或N；Y原子为O,S或Se；G为芳香基团或者非芳香基团。本发明的有机纳米格子分子材料具有良好的电化学稳定性，其框架的刚性结构可减少器件制备过程中的薄膜溶剂依赖性，适用于制备有机场效应晶体管存储器的存储层。