基于二维有机功能材料的超低功耗铁电晶体管型存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110047996A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910335663.1

    申请日:2019-04-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种用基于二维有机功能材料的超低功耗铁电晶体管型存储器及其制备方法,以原子束沉积的方法在衬底上生长一层氧化铝绝缘层,然后利用反溶剂辅助结晶法在室温下制备一层超薄的铁电聚合物晶态薄膜,然后利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法同时生长一层超薄聚甲基丙烯酸甲酯和一层超薄二辛基苯并噻吩苯并噻吩,最后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到二辛基苯并噻吩苯并噻吩层上作为源极和漏极。本发明以准二维铁电聚合物晶态薄膜为介电层和二维有机分子晶体C8-BTBT材料作为半导体层制备快速晶体管存储器,可以大幅度降低铁电有机场效应晶体管存储器的功耗,同时具有低压操作能力以及快速存储能力。

    一种基于有监督情感文本和词向量的情感词典构建方法

    公开(公告)号:CN108647191A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810473308.6

    申请日:2018-05-17

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提出一种基于有监督情感文本和词向量的情感词典构建方法,包括数据处理阶段、词向量情感嵌入阶段、情感词典生成阶段共三个阶段。本方法使用神经网络生成词向量,将情感嵌入到词向量内部,挖掘词与词之间的内在联系,然后构建词关系图,使用标签传播算法传播情感标签,自动构建特定领域的情感词典。通过本发明解决了基于人工和基于知识库的方法所构造的情感词典在处理特定领域的情感分析任务时不准确的问题。

    一种基于FPGA的迭代最近点算法的加速方法

    公开(公告)号:CN119850434A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202411958580.5

    申请日:2024-12-30

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的迭代最近点算法的加速方法,将三维空间进行体素化,体素化完毕后,对目标点云采用膨胀策略使得迭代最近点算法中的最近邻搜索从全局搜索转换为局部搜索,并且使用多个计算单元同时计算多个源点的最近邻目标点,充分的利用了FPGA的并行性,进而提升最近邻搜索的速度,实现加速迭代最近点算法的效果。另外,本发明在膨胀策略的基础上,利用事先遍历的方法对内存进行分配,大大减少了内存的使用,使得本方法只使用片上内存就可以完成点云配准,进而完成算法的低功耗实现。

    一种有机垂直分子二极管及其制法、二极管阵列的制法

    公开(公告)号:CN116249359A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202310168702.X

    申请日:2023-02-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种有机垂直分子二极管及其制法、二极管阵列的制法,该二极管包括衬底、绝缘层、底电极、有机半导体薄膜和顶电极;金属层制备于绝缘层表面,且制得的金属表面平滑,对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性;有机半导体材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子。其制法为:在衬底上生长绝缘层,在绝缘层上制备底电极,在底电极上生长有机半导体薄膜;另取衬底制备顶电极;将顶电极金属转移到有机半导体薄膜上,制得。本发明制备的有机垂直分子二极管实现了破纪录的整流比高达108,单位电导超过103S/cm2,本发明还制备了有机垂直分子二极管阵列,阵列实现了100%的产率,表现出高均一性。

    一种基于ZNCC算法和神经网络的实时立体匹配方法

    公开(公告)号:CN114972474A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210595064.5

    申请日:2022-05-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于ZNCC算法和神经网络的实时立体匹配方法,能既快速又准确地通过目标图像与参考图像计算出深度图像。首先,对输入的RGB图像进行下采样,并转换为灰度图像,得到低分辨率的灰度图像,然后,利用ZNCC算法进行低分辨率图片的匹配成本计算,并通过SGM算法、WTA算法、SMP算法生成初始的低分辨率的视差图,然后,通过神经网络算法得到高分辨率的视差图,最后,将其转换为深度图像。本发明方法是基于传统方案和神经网络算法的混合系统,其中,传统方案用以快速生成视差图,神经网络着重于对视差图的放大优化。通过本发明的技术方案,实现了实时立体视觉匹配系统,且系统具有很高的精确度。

    一种基于神经网络的视差图超解像方法

    公开(公告)号:CN114494016A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210087815.2

    申请日:2022-01-25

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的视差图超解像方法,对输入的RGB进行数据预处理后,输入具有残差、跳越连接卷积神经网络模型中,得到原始分辨率的视差图。本发明提出的方法是基于神经网络,低分辨率图像作为输入,加上残差结构与跳越链接结构,降低了网络模型的计算量,除损失函数外网络无其他约束条件,与传统算法相结合,这种特殊的结构能对视差图进行高速且高质量的超解像,无需其他预处理及后处理方法,即可以突破传统算法运行精度的上限,能够在移动端GPU上能达到实时运行。相比端到端的神经网络算法,在精度相同的情况下,本方法运行速度更快,增强了立体视觉匹配系统的实用性。

    一种具有选择性探测功能的自供电人造光电突触及其制备方法

    公开(公告)号:CN114203913A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111518420.5

    申请日:2021-12-10

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有选择性探测功能的自供电人造光电突触及其制备方法,顺序地在SiO2/Si衬底上生长一层聚合物介电层和两层不同的超薄半导体光响应层,其中上层超薄半导体光响应功能层半覆盖在下层超薄半导体光响应层上形成非对称异质结,然后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜分别转移到下层和上层半导体光响应功能层上作为源极和漏极,完成具有选择性探测功能的自供电人造光电突触的制备。本发明的具有选择性探测功能的自供电光电突触通过耦合光伏效应和界面电荷捕获行为,可以实现在不加任何电压的情况下选择性地探测并处理紫外光,同时在加电压的情况下具有宽谱探测的能力,可以模拟视网膜的感知以及信号处理功能。

    一种液相制备超薄二维电学功能性薄膜的方法

    公开(公告)号:CN106486609A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610826195.4

    申请日:2016-09-14

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: H01L51/50 C08J5/18 C08J2365/00 H01L51/5048 H01L51/56

    Abstract: 一种液相制备超薄二维电学功能性薄膜的方法,将有机聚合物分子材料或有机无机杂化钙钛矿材料溶解到有机主溶剂与微量反溶剂中,在30~80℃的条件下磁力搅拌1~4h,使其完全溶解混合,再冷却至室温;用移液枪把混合溶液滴注到SiO2或Si衬底上;滴注时以抽气方式混合溶液蒸发、溶质分子的结晶成膜。所述抽气方式是,通过一个或若干吸气管置于衬底上方滴注管的周围,通过控制吸气管的方向与流量、流速对结晶成膜进行控制。控制吸气管的气流拖动液滴在SiO2或Si衬底上移动时,改变气流的流速,得到不同结构、形态的薄膜。

    一种基于神经网络的视差图超解像方法

    公开(公告)号:CN114494016B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202210087815.2

    申请日:2022-01-25

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的视差图超解像方法,对输入的RGB进行数据预处理后,输入具有残差、跳越连接卷积神经网络模型中,得到原始分辨率的视差图。本发明提出的方法是基于神经网络,低分辨率图像作为输入,加上残差结构与跳越链接结构,降低了网络模型的计算量,除损失函数外网络无其他约束条件,与传统算法相结合,这种特殊的结构能对视差图进行高速且高质量的超解像,无需其他预处理及后处理方法,即可以突破传统算法运行精度的上限,能够在移动端GPU上能达到实时运行。相比端到端的神经网络算法,在精度相同的情况下,本方法运行速度更快,增强了立体视觉匹配系统的实用性。

    基于单层分子半导体薄膜提升有机场效应晶体管器件性能的方法

    公开(公告)号:CN108447990B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201810155377.2

    申请日:2018-02-23

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 李昀 王启晶

    Abstract: 本发明公开了基于单层分子半导体薄膜提升有机场效应晶体管器件性能的方法,先利用反溶剂辅助旋涂法在SiO2/Si衬底上进行高结晶性有机单层分子薄膜的旋涂制备,旋涂的材料为:有机半导体材料(p型)为C8‑BTBT 2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩,溶于苯甲醚和甲氧基苯甲醚与反溶剂DMF混合溶液中,C8‑BTBT浓度为0.25~1wt%,反溶剂为DMF二甲基甲酰胺,反溶剂DMF与C8‑BTBT溶液的体积相同(如60µL);旋涂完成后即可得到大尺寸均一的单层薄膜;用该单层薄膜作为衬底,进行有机场效应晶体管器件的生长。

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