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公开(公告)号:CN111551249A
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN202010601532.6
申请日:2020-06-29
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种激光功率计结构,包括激光功率计单元,该激光功率计单元包括自下而上依次设置的基板、绝缘层、金属弹性形变层;本发明的激光功率计结构基于光力效应,并通过平板电容结构实现对激光功率的测量,光力效应不需要能量吸收过程,功率测量更具及时性;本发明的激光功率计结构通过高反射镜,能有效的利用测量激光,实现在正常工作过程中对激光功率的实时监控。
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公开(公告)号:CN119300571A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411429289.9
申请日:2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/816 , H10H20/01 , H10H20/825 , H10H20/818 , H10H29/30
Abstract: 本发明公开了一种独立台面结构的非极性面微型发光二极管(Micro‑LED)及其制备方法,基于选区外延和侧向外延实现外延结构的充分弛豫,可有效抑制外延层中缺陷的产生。同时,在相互独立的台面上生长相互独立的量子阱等Micro‑LED功能层,可以免量子阱刻蚀损伤制备Micro‑LED,消除传统方案通过工艺刻蚀减小LED尺寸造成的量子阱刻蚀损伤和额外导致的非辐射复合,有效提高Micro‑LED的效率。本发明为制备Micro‑LED提供了新的结构和方法,有利于推动Micro‑LED的商业化应用。
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公开(公告)号:CN119300570A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411428799.4
申请日:2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/816 , H10H20/01 , H10H20/818 , H10H20/825 , H10H29/30
Abstract: 本发明公开了一种双出射方向的Micro‑LED结构及其制备方法,其结构包括向上晶面为非极性面的N型GaN层、掩膜层、N型InxGa1‑xN三角岛、量子阱层、P型层、电极以及其它功能层。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得具有高度对称性的N型InxGa1‑xN三角岛,并在三角岛的两个对称斜面上生长LED外延层,形成双出射方向的Micro‑LED结构,可作为近眼裸眼三维显示的基础显示单元;同时,在三角岛斜面上生长相互独立的外延LED结构,可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响,有效抑制每个发光单元的边缘效应,提高发光效率;以密堆积为基础排列发光单元,可以最大程度上有效利用外延片的面积,将经济效益最大化。
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公开(公告)号:CN119545997A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411429192.8
申请日:2024-10-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/816 , H10H29/01 , H10H20/818 , H10H20/825 , H10H29/30
Abstract: 本发明公开了一种含驱动的微型发光二极管(Micro‑LED)结构及其制备方法,其结构包括向上晶面为非极性面的氮化镓(GaN)层、含有微孔的掩膜层、GaN立体三角岛、以及在三角岛一侧斜面上设置的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构、另一侧斜面上设置的Micro‑LED结构。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛,此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构,在两侧分别设置HEMT和Micro‑LED结构,可以直接利用一侧的HEMT驱动另一侧的Micro‑LED,不仅解决了传统Micro‑LED需要额外驱动的问题,还避免了传统选区外延MicroLED结构时微孔为电流的束缚。此外,在三角岛斜面上生长具有独立结构的Micro‑LED,可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响,有效抑制每个发光单元的边缘效应,提高发光效率;以密堆积为基础排列发光单元,可以最大程度上有效利用外延片的面积,将经济效益最大化。
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公开(公告)号:CN112992653B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202110153096.5
申请日:2021-02-04
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法,该复合衬底在特定取向的衬底上定义特定的两个方向,沿不同方向制备具有不同周期的图形,用于二次外延非、半极性III族氮化物材料。使用该复合衬底,可解决非、半极性III族氮化物在生长面内与传统常规衬底存在晶格失配各向异性的问题,从而提高非、半极性III族氮化物的外延生长质量,广泛应用于非、半极性III族氮化物光电子和电力电子器件。
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公开(公告)号:CN112018199B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201910461768.1
申请日:2019-05-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构,包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1‑xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力,从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源,实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化,最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜,广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备,并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。
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公开(公告)号:CN115566121A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202211423695.5
申请日:2022-11-15
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种用于生长Ⅲ族氮化物的AlN复合衬底及制备方法,包括由下至上排列的蓝宝石衬底及含有多个纳米孔洞的AlN薄膜,其中纳米孔洞的直径为300nm‑2μm,呈密堆积排列。本发明以聚苯乙烯微球为掩膜层制备含有纳米孔洞阵列的新型AlN复合衬底,可替代价格昂贵的纳米级图形化蓝宝石衬底,用于外延生长III族氮化物,并降低外延生长的III族氮化物半导体材料的缺陷密度。
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公开(公告)号:CN112992653A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202110153096.5
申请日:2021-02-04
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法,该复合衬底在特定取向的衬底上定义特定的两个方向,沿不同方向制备具有不同周期的图形,用于二次外延非、半极性III族氮化物材料。使用该复合衬底,可解决非、半极性III族氮化物在生长面内与传统常规衬底存在晶格失配各向异性的问题,从而提高非、半极性III族氮化物的外延生长质量,广泛应用于非、半极性III族氮化物光电子和电力电子器件。
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公开(公告)号:CN112018199A
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN201910461768.1
申请日:2019-05-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构,包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1-xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力,从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源,实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化,最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜,广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备,并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。
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公开(公告)号:CN216776615U
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202123248387.7
申请日:2021-12-22
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: A47G11/00
Abstract: 本实用新型公开一种多功能的一次性桌布,桌布包括桌布主体,桌布主体上设有用于固定桌布主体的紧固机构,紧固机构包括条形夹层、固定绳,固定绳滑动设置在条形夹层内;桌布主体的一侧设有阵列分布的条形夹层,相邻的条形夹层间相互垂直,条形夹层的两端设有开口,固定绳的两端穿过开口,桌布主体上吸附层,吸附层上设置有用于防滑的橡胶凸点。本实用新型桌布,采用条形夹层内设有固定绳,固定绳收紧条形夹层,使桌布贴合桌面,适合不同形状的桌子使用,通过固定绳对桌布进行固定,使用完后,固定绳紧固桌布,方便收纳垃圾,固定绳收紧条形夹层,固定桌布,紧固桌布端口,防止垃圾倾洒。
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