一种激光功率计结构
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111551249A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN202010601532.6

    申请日:2020-06-29

    Abstract: 本发明公开一种激光功率计结构,包括激光功率计单元,该激光功率计单元包括自下而上依次设置的基板、绝缘层、金属弹性形变层;本发明的激光功率计结构基于光力效应,并通过平板电容结构实现对激光功率的测量,光力效应不需要能量吸收过程,功率测量更具及时性;本发明的激光功率计结构通过高反射镜,能有效的利用测量激光,实现在正常工作过程中对激光功率的实时监控。

    一种双出射方向的Micro-LED结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN119300570A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411428799.4

    申请日:2024-10-14

    Abstract: 本发明公开了一种双出射方向的Micro‑LED结构及其制备方法,其结构包括向上晶面为非极性面的N型GaN层、掩膜层、N型InxGa1‑xN三角岛、量子阱层、P型层、电极以及其它功能层。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得具有高度对称性的N型InxGa1‑xN三角岛,并在三角岛的两个对称斜面上生长LED外延层,形成双出射方向的Micro‑LED结构,可作为近眼裸眼三维显示的基础显示单元;同时,在三角岛斜面上生长相互独立的外延LED结构,可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响,有效抑制每个发光单元的边缘效应,提高发光效率;以密堆积为基础排列发光单元,可以最大程度上有效利用外延片的面积,将经济效益最大化。

    一种含驱动的Micro-LED结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN119545997A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411429192.8

    申请日:2024-10-14

    Abstract: 本发明公开了一种含驱动的微型发光二极管(Micro‑LED)结构及其制备方法,其结构包括向上晶面为非极性面的氮化镓(GaN)层、含有微孔的掩膜层、GaN立体三角岛、以及在三角岛一侧斜面上设置的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构、另一侧斜面上设置的Micro‑LED结构。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛,此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构,在两侧分别设置HEMT和Micro‑LED结构,可以直接利用一侧的HEMT驱动另一侧的Micro‑LED,不仅解决了传统Micro‑LED需要额外驱动的问题,还避免了传统选区外延MicroLED结构时微孔为电流的束缚。此外,在三角岛斜面上生长具有独立结构的Micro‑LED,可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响,有效抑制每个发光单元的边缘效应,提高发光效率;以密堆积为基础排列发光单元,可以最大程度上有效利用外延片的面积,将经济效益最大化。

    一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法

    公开(公告)号:CN112018199B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201910461768.1

    申请日:2019-05-30

    Abstract: 本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构,包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1‑xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力,从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源,实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化,最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜,广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备,并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。

    一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法

    公开(公告)号:CN112018199A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201910461768.1

    申请日:2019-05-30

    Abstract: 本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构,包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1-xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力,从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源,实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化,最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜,广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备,并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。

    一种多功能的一次性桌布
    20.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216776615U

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202123248387.7

    申请日:2021-12-22

    Inventor: 赵见国 蔡欣馨

    Abstract: 本实用新型公开一种多功能的一次性桌布,桌布包括桌布主体,桌布主体上设有用于固定桌布主体的紧固机构,紧固机构包括条形夹层、固定绳,固定绳滑动设置在条形夹层内;桌布主体的一侧设有阵列分布的条形夹层,相邻的条形夹层间相互垂直,条形夹层的两端设有开口,固定绳的两端穿过开口,桌布主体上吸附层,吸附层上设置有用于防滑的橡胶凸点。本实用新型桌布,采用条形夹层内设有固定绳,固定绳收紧条形夹层,使桌布贴合桌面,适合不同形状的桌子使用,通过固定绳对桌布进行固定,使用完后,固定绳紧固桌布,方便收纳垃圾,固定绳收紧条形夹层,固定桌布,紧固桌布端口,防止垃圾倾洒。

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