公开(公告)号：CN112992653B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202110153096.5

申请日：2021-02-04

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 赵见国 ,  杨旻荟 ,  曹锡哲 ,  施江熠 ,  王孟璇 ,  田澄睿 ,  顾浚哲

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法，该复合衬底在特定取向的衬底上定义特定的两个方向，沿不同方向制备具有不同周期的图形，用于二次外延非、半极性III族氮化物材料。使用该复合衬底，可解决非、半极性III族氮化物在生长面内与传统常规衬底存在晶格失配各向异性的问题，从而提高非、半极性III族氮化物的外延生长质量，广泛应用于非、半极性III族氮化物光电子和电力电子器件。

公开(公告)号：CN112992653A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110153096.5

申请日：2021-02-04

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 赵见国 ,  杨旻荟 ,  曹锡哲 ,  施江熠 ,  王孟璇 ,  田澄睿 ,  顾浚哲

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法，该复合衬底在特定取向的衬底上定义特定的两个方向，沿不同方向制备具有不同周期的图形，用于二次外延非、半极性III族氮化物材料。使用该复合衬底，可解决非、半极性III族氮化物在生长面内与传统常规衬底存在晶格失配各向异性的问题，从而提高非、半极性III族氮化物的外延生长质量，广泛应用于非、半极性III族氮化物光电子和电力电子器件。