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公开(公告)号：CN109742144A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910080310.1
申请日：2019-01-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种槽栅增强型MISHEMT器件，包括衬底；位于所述衬底上异质外延生长的SiN成核层；位于所述SiN成核层上外延生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上外延生长的AlGaN背势垒层；位于所述AlGaN背势垒层上外延生长的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层上外延生长的AlGaN势垒层；位于所述AlGaN势垒层上外延生长的第一AlGaN调制层；位于所述第一AlGaN调制层上外延生长的第二AlGaN调制层；所述第二AlGaN调制层的中部刻蚀有凹栅槽，凹栅槽表面淀积有Al2O3绝缘层，所本发明的器件的有益之处在于击穿电压增大、阈值电压增大和饱和电流密度增大。
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公开(公告)号：CN104882289A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510270841.9
申请日：2015-05-25
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供基于TiO2-ZnS光阳极的染料敏化太阳能电池，其结构从下至上依次包括导电玻璃层FTO、TiO2-ZnS多孔复合薄膜、染料N719、电解质、铂对电极。本发明采用TiO2-ZnS多孔复合薄膜结构作为染料敏化太阳能电池光阳极，可以提高载流子的分离，减小载流子的复合减小暗反应的进行以提高染料敏化太阳能电池的转化效率。同时TiO2-ZnS复合结构可以用于净化污染物，用于环境净化。
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公开(公告)号：CN103022070A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210476298.4
申请日：2012-11-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种具有新型发光单元结构的大尺寸LED芯片，其衬底为长方体，而外延层分割成多个发光单元，发光单元侧壁制备有微结构，微结构呈随机分布或周期分布。对于导电型衬底，所述发光单元为圆柱形、正圆台形或倒圆台形，发光单元以并联的形式组成单个的大功率LED芯片；对于绝缘型衬底的大尺寸LED芯片，所述发光单元台形结构的台基和台面分别为圆柱形、正圆台形或倒圆台形，发光单元以串联或并联的形式组成单个的大功率LED芯片。本发明保持简单的芯片切割工艺，而对芯片内部的发光单元应用塑形技术和侧面粗化技术，并对电极优化设计，增强各发光单元的光提取效率和电注入效率，从而提高大尺寸LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN119836223A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510017438.9
申请日：2025-01-06
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10N70/20 , H10N70/00 , G06V30/226 , G06V30/19 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法和应用，该光电忆阻器包括由下至上依次设置的底电极层、Ga2O3层、IZTO层以及顶电极层；其中，所述Ga2O3层、IZTO层作为异质结构层。最终形成了一个具有三明治结构的光电忆阻器件。本发明制备工艺简单，可大规模制备，性能优异稳定，在电信号与多波长光信号下都具有明显的忆阻效应，并且阻值可以根据电压值或者光照强度的不同而发生变化，其阻值变化与人类大脑的神经突触具有高度相似性。这种特性使得光电忆阻器能够模拟生物神经突触的行为，具有感知和记忆一体的视觉仿生系统的能力。
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公开(公告)号：CN118311320A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410332903.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于时钟边沿对齐检测的时钟频率检测装置，包括：异步复位同步释放模块、自适应时钟分频模块、时钟边沿对齐检测模块和混频时钟频率检测模块；异步复位信号通过异步复位同步释放模块，将具有时钟同步的复位信号输入自适应时钟分频模块、时钟边沿对齐检测模块和混频时钟频率检测模块，自适应时钟分频模块和时钟边沿对齐检测模块相连接，时钟边沿对齐检测模块与混频时钟频率检测模块相连接。本发明通过时钟边沿对齐检测模块输出时钟边沿对齐信号，在时钟边沿对其时进行时钟计数，且本发明为数字电路设计，可移植性高，实现简单，解决了模拟电路实现复杂，可配置性差，通用性差的问题。本发明可广泛应用于时钟频率检测领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116564716A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310364668.3
申请日：2023-04-06
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性非对称超级电容器及其制备方法和应用。本发明的柔性非对称超级电容器的组成包括依次层叠设置的第一柔性衬底、第一电极、电解质层、第二电极和第二柔性衬底，第一电极的组成包括NiO纳米片修饰的碳包覆ZnO纳米线阵列，第二电极的组成包括氮掺杂的多孔碳多面体材料。本发明的柔性非对称超级电容器具有能量密度和功率密度大、容量大、循环稳定性优异、电位窗口大、柔韧性好等优点，在可穿戴电子器件、人工智能和汽车等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113312756B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110513603.1
申请日：2021-05-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种同步确定二极管边界电场与电流密度的方法，包括以下步骤：一、给定两个电子电流密度初始值以及一个离子电流密度初始值；二、将电子电流密度初始值以及一个离子电流密度初始值代入泊松方程，获取对应的阴极边界电场值；三、预测电子电流密度值；四、基于预测的电子电流密度值，得到新的阴极边界电场值，判断新的阴极边界电场值是否满足所要求的阴极边界条件；五、给定新的离子电流密度值，执行步骤一到步骤四，得到两个阳极边界电场值；六、预测离子电流密度值；七、预测阳极边界电场值，判断预测的阳极边界电场值是否满足所要求的阳极边界条件；八、输出最终的电子和离子电流密度。
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公开(公告)号：CN115274716A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210839758.9
申请日：2022-07-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L27/13 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L41/08 , H01L41/22 , A61B8/00
Abstract: 本发明公开了一种超声换能器及其制备方法和应用。本发明的超声换能器的组成包括依次设置的柔性衬底、薄膜晶体管、压电触觉传感器和电容式微加工超声换能器。本发明的超声换能器的制备方法包括以下步骤：在柔性衬底上依次制备薄膜晶体管、压电触觉传感器和电容式微加工超声换能器，即得超声换能器。本发明的超声换能器兼具超声成像和触觉传感功能，具有超声驱动电压低、信噪比高、灵敏度高、可寻址阵列化、柔性可弯曲等优点，适合进行大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN114923960A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210388046.X
申请日：2022-04-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种NO2气敏传感器及其制备方法。一种NO2气敏传感器，包含：衬底；ZnO/金属氧化物纳米异质结构，ZnO/金属氧化物纳米异质结构设置在衬底表面；ZnO/金属氧化物纳米异质结构包括ZnO纳米阵列及其表面的非ZnO的金属氧化物；金属电极，金属电极设置在ZnO/金属氧化物纳米异质结构表面。本发明的气敏传感器与单一ZnO材料制备的传感器相比，对NO2气体的响应度有了极大的提高，气敏性能有极大改善；本发明的气敏传感器具有良好的选择性和抗干扰能力，此外，还具有稳定性好、重复性好、响应和恢复时间短、工作温度范围较广等优点，可适用于不同场景的NO2气体检测。
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公开(公告)号：CN114744090A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210300144.3
申请日：2022-03-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明提供抑制SRH非辐射复合的微米正装LED器件及其制备方法和应用，通过在微尺寸器件上制备微米孔阵列，并注入N型材料，其作用是在P型半导体材料传输层边缘形成一圈高阻区，从而限制电流向器件边缘的侧壁缺陷较多的区域扩展。而载流子向边缘扩散时，由于刻蚀缺陷的存在会引起SRH复合，因此可以从根本上降低载流子发生SRH复合，提高外量子效率。
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