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公开(公告)号：CN118352314A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410417236.9
申请日：2024-04-09
Applicant: 广东汇芯半导体有限公司 , 华南理工大学
IPC: H01L23/13 , H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及电路技术领域，提供了一种集成式半导体电路，其包括线路板、嵌入所述线路板具备元器件的一侧并与所述线路板电连接的半导体电路板以及固定于所述线路板远离所述半导体电路板一侧并与所述半导体电路板相对设置的散热器。本发明中集成式半导体电路通过无引脚设置的方式实现了半导体电路板与线路板的集成，不仅避免了通过引脚连接两个电路模块而因引脚焊接公差在塑封时产生的应力导致引脚焊接处的绝缘层出现分层情况，还避免了人体静电对内部芯片产生的影响，并降低其生产成本，提高生产效率，另外，还提升了其散热能力。
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公开(公告)号：CN117875253B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410046590.5
申请日：2024-01-11
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06N3/126 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种面向工艺节点可迁移的标准单元版图自动生成方法，涉及电子设计自动化，针对现有技术中人工布图耗时的问题提出本方案。定义设计规则文件和Netlist文件；利用启发式搜索算法得到最优解作为晶体管相对位置局部信息；根据所述最优解进行版图布线，对符合设计规则的标准单元版图生成GDSII文件；最后根据所述最优解和GDSII文件进行不同工艺节点的布局迁移生成新的版图。优点在于，既能够满足单一工艺节点下的批量版图生成，还能满足不同工艺节点下的版图生成，实现不同工艺节点间的迁移。可以从180nm的工艺节点迁移到55nm、40nm、28nm或者其他的工艺节点中也适用。
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公开(公告)号：CN117833493B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410238575.0
申请日：2024-03-04
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种无线能量传输系统及其全局控制方法，涉及新一代信息技术中的电能存储系统，针对现有技术中负载移位键控法失效问题提出本方案。对发射端输出至无线功率传输链路串联谐振腔的电流信号进行采样，根据电流信号峰值变化的速率得到负载移位信息，控制发射端在全功率模式与低功率模式之间切换；在接收端输出信号的电压值到达限值时，对无线功率传输链路并联谐振腔作一定时长的短路，以使通过所述无线功率传输链路反馈负载移位信息至所述发射端。优点在于，可以通过检测发射端电流峰值变化的速率，来判断接收端的等效阻抗信息，不受接收端等效阻抗变化发生时刻的影响，提高了此类无线能量传输系统的稳定性和设计便利性。
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公开(公告)号：CN118199598A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410393462.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03K17/687 , H03M1/12 , H03M3/00
Abstract: 本发明公开了应用于高精度ΣΔ调制器的高线性度栅压自举开关电路，涉及集成电路，针对现有技术中采样线性度不足的问题提出本方案。利用对称设置且反相导通的N型自举开关通路和P型自举开关通路分别进行信号采样。其中N型自举开关通路和P型自举开关通路分别设有对应虚拟开关管，利用虚拟开关管的时钟馈通效应将采样开关管所产生的时钟馈通效应反向补偿，抑制了时钟馈通效应对ΣΔ调制器性能的影响。同时还配置电荷注入效应、并联等效导通电阻，进一步改善器件性能。最终有效提升器件整体输出的采样线性度。
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公开(公告)号：CN117439406B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311382084.5
申请日：2023-10-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种高转换比的三电流路径混合降压变换器，涉及电压转换技术，针对现有技术中双电感存在的问题提出本方案。在电感磁化期间，利用前置于电感的若干飞电容分担电感的电压以降低开关节点的电压摆幅，进而减小电感的电流纹波和AC损耗；在电感退磁期间，所述若干飞电容构成两路容性电流路径以减小电感的电流应力。优点在于，采用了单电感双相工作，因此不需要相位交错，实现稳态全范围占空比。同时通过引入容性电流路径，减小电感电流应力。合适地引入三个飞电容，有效降低了开关节点的电压摆幅，减小了电感电流纹波和AC损耗。由于变换器支持全范围的占空比，因此输出电压的最大值扩展到VIN/4。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117494644B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311478539.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N20/00
Abstract: 本发明公开了一种自监督学习的DTCO标准单元库版图布局方法。针对全自动标准单元库版图布局生成问题，该方法收集行业相关语义文件、标准单元库Spice网表文件、设计规则文件以及相对应的标准单元库版图布局信息的数据文件。建立自监督学习深度学习模型，采用无监督预训练结合监督微调的深度框架。在训练过程中，自适应动态调整深度学习模型的参数权重和超参数，直到生成内容满足某工艺节点设计规则的版图布局要求。该发明实现了标准单元库版图布局的全自动生成，降低了人工设计成本，可广泛应用于芯片设计流程的智能化和自动化。
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公开(公告)号：CN117556770B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410043869.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型，涉及半导体器件建模技术，针对现有技术中临拟合程度较低等问题提出本方案。寄生部分等效电路分别设置微带线串接在本征部分等效电路的源漏栅各连接点与对应极之间；再设置栅极散粒噪声电流源#imgabs0#串接在微带线TLg和微带线TLs之间。优点在于，采用分布参数元件与集总参数元件混合构建，提升了GaN HEMT等效电路模型在毫米波频段的适用性和准确度。所引入的有耗传输线的等效电感电阻值随频率变化，扩展了适用带宽。传输线参数可通过工艺参数或版图结构信息直接得出，简化了参数提取步骤。
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公开(公告)号：CN117895909A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410288071.X
申请日：2024-03-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高输入阻抗的电容斩波仪表放大器，涉及微电信号放大技术，针对现有技术中输入阻抗急剧下降的问题提出本方案。在最前端的斩波调节器两端并联一路阻抗提升辅助回路，以在所述斩波调节器的调节信号非交叠区间对斩波调节器后端的输入电容进行预充电。优点在于，将斩波电路、运算放大电路、纹波抑制电容、阻抗提升辅助回路及内嵌式直流伺服回路相结合，能够极大的提升仪表放大器的输入阻抗。同时在保持低功耗的前提下，能有效的降低仪表放大器的等效输入噪声。并且在直流伺服回路中，采用传输门电路做伪电阻，可以有效的构建一个较低的高通转角频率去抑制电极偏移。
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公开(公告)号：CN117879513A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311701259.4
申请日：2023-12-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种集成陷波滤波的放大电路及多频点陷波设计方法，属于集成电路与系统技术领域。其中放大电路包括全差分运算放大器、差分转单端电路以及陷波负反馈阻抗网络；全差分运算放大器的同相输入端接交流信号地，其反相输入端作为交流信号输入端，通过一个电阻器与交流信号连接；陷波负反馈阻抗网络两端分别跨接在全差分运算放大器的反相输入端和系统的信号输出端。与现有技术相比，本申请通过在放大电路中跨接负反馈阻抗网络，实现多频率点陷波滤波电路与放大电路，从而降低放大电路和陷波滤波电路级联的复杂度，并实现陷波品质因数可调控；另外在放大器负载中添加有源电感，使得在保证增益的情况下，实现对放大器带宽的拓展。
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公开(公告)号：CN117856615A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410250875.0
申请日：2024-03-06
Applicant: 华南理工大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明公开了一种应用于开关电容DC‑DC转换器的控制方法，涉及DC‑DC转换器的控制方法，针对现有技术中动态性能差的问题提出本方案。在中载至重载时，工作在连续调频控制模式；在轻载时，工作在跳脉冲控制模式；模式切换模块监控控制变量以在到达预设条件时切换工作模式。优点在于，实现环路之间更平滑的过渡。该发明解决了系统在低负载条件下瞬态响应速度慢和效率低的问题，能够使系统在宽负载范围内实现高效率和快速瞬态响应。
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