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公开(公告)号：CN102354661A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110251150.6
申请日：2011-08-29
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明公开了属于微电子技术领域的一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用丙酮、CP4-A溶液和氢氟酸常温预处理得到清洁的硅表面。配制硝酸银、双氧水、氢氟酸均匀混合的减薄液并放入水浴中预热，把硅片浸入减薄液，通过控制反应时间、温度与溶液配比可获得所需厚度的超薄硅片。本发明首次利用金属纳米粒子催化特性进行硅片均匀腐蚀，利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得厚度小于50μm的超薄硅片，拓宽了金属纳米粒子催化硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN102304766A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110260398.9
申请日：2011-09-05
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面陷光结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)硅片，采用银镜反应在硅片表面镀银，把镀银后的硅片在酸性刻蚀液中浸泡，获得了减反射陷光结构。该陷光结构在300nm到1000nm的光谱范围内的反射率降低到3.4％。本发明在保持常温湿法刻蚀特征的基础上，通过银镜反应简化了贵金属纳米粒子镀覆的工艺过程，获得了硅表面更高的减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN102299207A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110252280.1
申请日：2011-08-30
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法，清洗硅片后，采用碱刻蚀制备金字塔结构表面，然后再结合贵金属纳米粒子催化刻蚀的方法制得多孔金字塔表面陷光结构，采用本发明的方法制备出的硅表面多孔金字塔型陷光结构，在300nm到1000nm的光谱范围内其平均反射率降到了3.3％的水平，为提高硅太阳能电池的效率提供了新的技术手段。本发明综合利用传统碱刻蚀与贵金属纳米粒子辅助刻蚀的工艺方法、保持湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果。
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公开(公告)号：CN103030100B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310007946.6
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于纳米技术领域，特别涉及一种具有减反射特性的亚波长硅纳米线阵列的制备方法。本发明采用n型（100）硅片，利用高真空磁控溅射技术在其表面沉积具有网状结构的银膜，然后采用湿法刻蚀技术，在硅表面获得具有减反射特性的亚波长锥形硅纳米线阵列，经测试，其反射率低于1%。本发明首次利用银膜催化刻蚀硅技术，具有无掩模与常温常压的工艺特征，操作简单，重复性与可控性好，为制备具有亚波长尺度的超减反硅表面纳米结构提供了新思路，为设计和构建新型高效硅太阳能电池提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN102330142B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110261035.7
申请日：2011-09-05
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)取向单晶硅片，将清洗后的硅片直接浸入到酸性刻蚀溶液中，经短时间(2-10分钟)刻蚀后在硅表面形成纳米多孔结构，获得了较好减反射效果的陷光结构，在300～1000nm的光谱范围内的反射率降低到5％。本发明采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，简化了贵金属辅助化学刻蚀硅的工艺过程，同时保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105442049A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410440150.4
申请日：2014-09-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶硅表面图案化微加工的贵金属催化化学腐蚀法。本发明采用（100）或（111）单晶硅片，常温下利用丙酮、无水乙醇和氢氟酸处理得到清洁的硅表面，然后在清洁的单晶硅表面上做设定图案的光刻掩膜；配制氢氟酸/贵金属盐溶液/氧化剂均匀混合的腐蚀液并放入水浴中预热，把硅片浸入腐蚀液，在一定的溶液配比下通过控制水浴温度与反应时间即可获得表面图案化微加工的单晶硅片。本发明利用特定贵金属催化工艺技术，单步法即可实现硅片表面图案的均匀腐蚀，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得表面图案化微加工的单晶硅片，拓宽了贵金属催化硅腐蚀的应用范畴，为硅片表面图案化微加工提供了新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN103050378B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210470483.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料技术和应用技术领域。本发明首先对硅片进行处理，得到表面清洁光滑的硅片；然后将硅片放在两个电极之间，并和电极一起放入刻蚀液中刻蚀反应，得到不同长度的硅纳米线阵列；在刻蚀结束前的10~15min时，加入电场强度为150~220V/cm且垂直于刻蚀方向的横向电场直至反应结束；最后用硝酸去除残留在硅纳米线阵列中的银、用氢氟酸去除硅片表面的氧化层即得到易于大面积分离的硅纳米线阵列。本发明工艺简单、可重复性好、灵活可控、成本低；首次引入外加横向电场制备易于分离的硅纳米线阵列，解决了传统硅纳米线阵列转移中不易分离且转移后长度不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN105047528A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510219200.0
申请日：2015-05-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/02052
Abstract: 本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法。本发明采用N（100）双面抛光单晶硅片，利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面，配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀混合而成的减薄液并放入水浴中预热，然后把用夹具固定好的硅片浸入减薄液，通过控制反应时间和温度可获得所需厚度的超薄硅片。超薄硅片表面光亮平整，呈镜面效果，无明显的减薄缺陷。本发明利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了低温、常压下湿法腐蚀的特征，首次获得了厚度可达10mm以下的超薄硅片，拓宽了湿法硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供了新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN103103511B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310064543.5
申请日：2013-02-28
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池纳米结构技术领域，特别涉及一种利用银镜反应制备硅表面形貌可控纳米银粒子的方法。本发明采用不同温度下的、无添加剂的银镜反应在（100）硅片表面制备了尺寸、形状、均匀性可控的纳米银粒子，采用不同形貌的纳米银粒子催化刻蚀，获得了不同形貌的硅表面纳米结构。本发明在保持催化刻蚀特征的基础上，通过银镜反应简化了纳米银粒子镀覆的工艺过程，制备出长米状、短棒状、多面体状银粒子以及絮状银，为硅表面催化银粒子的形貌可控制备工艺提供了新的方法。纳米银粒子可直接应用于催化刻蚀工艺，制备出圆孔、密集小孔、凹凸孔和方孔硅表面纳米结构，实现了太阳能电池中纳米陷光结构的可控制备。
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公开(公告)号：CN103103511A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310064543.5
申请日：2013-02-28
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池纳米结构技术领域，特别涉及一种利用银镜反应制备硅表面形貌可控纳米银粒子的方法。本发明采用不同温度下的、无添加剂的银镜反应在（100）硅片表面制备了尺寸、形状、均匀性可控的纳米银粒子，采用不同形貌的纳米银粒子催化刻蚀，获得了不同形貌的硅表面纳米结构。本发明在保持催化刻蚀特征的基础上，通过银镜反应简化了纳米银粒子镀覆的工艺过程，制备出长米状、短棒状、多面体状银粒子以及絮状银，为硅表面催化银粒子的形貌可控制备工艺提供了新的方法。纳米银粒子可直接应用于催化刻蚀工艺，制备出圆孔、密集小孔、凹凸孔和方孔硅表面纳米结构，实现了太阳能电池中纳米陷光结构的可控制备。
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