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公开(公告)号：CN102330142B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110261035.7
申请日：2011-09-05
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)取向单晶硅片，将清洗后的硅片直接浸入到酸性刻蚀溶液中，经短时间(2-10分钟)刻蚀后在硅表面形成纳米多孔结构，获得了较好减反射效果的陷光结构，在300～1000nm的光谱范围内的反射率降低到5％。本发明采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，简化了贵金属辅助化学刻蚀硅的工艺过程，同时保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN102102227A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010551140.X
申请日：2010-11-18
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种具有疏水性的硅表面陷光结构制备方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用热次氯酸钠溶液和HF清洗得到清洁的硅表面。先用碱性腐蚀剂对单晶硅进行腐蚀，形成表面金字塔型的织构或采用贵金属纳米粒子催化刻蚀：在硅片表面采用银镜反应镀银，把镀银后的硅片在酸性腐蚀剂中浸泡；获得了减反射层的陷光结构。在380nm到780nm的可见光波段发射率降到了5％的水平。本发明简化贵金属纳米粒子镀覆的工艺过程、保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果。而且(100)硅片表面的接触角达到110度，具有超疏水性能，为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN102102227B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010551140.X
申请日：2010-11-18
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种具有疏水性的硅表面陷光结构制备方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用热次氯酸钠溶液和HF清洗得到清洁的硅表面。先用碱性腐蚀剂对单晶硅进行腐蚀，形成表面金字塔型的织构或采用贵金属纳米粒子催化刻蚀：在硅片表面采用银镜反应镀银，把镀银后的硅片在酸性腐蚀剂中浸泡；获得了减反射层的陷光结构。在380nm到780nm的可见光波段发射率降到了5％的水平。本发明简化贵金属纳米粒子镀覆的工艺过程、保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果。而且(100)硅片表面的接触角达到110度，具有超疏水性能，为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN102354661B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110251150.6
申请日：2011-08-29
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明公开了属于微电子技术领域的一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用丙酮、CP4-A溶液和氢氟酸常温预处理得到清洁的硅表面。配制硝酸银、双氧水、氢氟酸均匀混合的减薄液并放入水浴中预热，把硅片浸入减薄液，通过控制反应时间、温度与溶液配比可获得所需厚度的超薄硅片。本发明首次利用金属纳米粒子催化特性进行硅片均匀腐蚀，利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得厚度小于50μm的超薄硅片，拓宽了金属纳米粒子催化硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN102299207B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110252280.1
申请日：2011-08-30
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法，清洗硅片后，采用碱刻蚀制备金字塔结构表面，然后再结合贵金属纳米粒子催化刻蚀的方法制得多孔金字塔表面陷光结构，采用本发明的方法制备出的硅表面多孔金字塔型陷光结构，在300nm到1000nm的光谱范围内其平均反射率降到了3.3％的水平，为提高硅太阳能电池的效率提供了新的技术手段。本发明综合利用传统碱刻蚀与贵金属纳米粒子辅助刻蚀的工艺方法、保持湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102330142A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110261035.7
申请日：2011-09-05
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)取向单晶硅片，将清洗后的硅片直接浸入到酸性刻蚀溶液中，经短时间(2-10分钟)刻蚀后在硅表面形成纳米多孔结构，获得了较好减反射效果的陷光结构，在300～1000nm的光谱范围内的反射率降低到5％。本发明采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，简化了贵金属辅助化学刻蚀硅的工艺过程，同时保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN102304766B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110260398.9
申请日：2011-09-05
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面陷光结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)硅片，采用银镜反应在硅片表面镀银，把镀银后的硅片在酸性刻蚀液中浸泡，获得了减反射陷光结构。该陷光结构在300nm到1000nm的光谱范围内的反射率降低到3.4％。本发明在保持常温湿法刻蚀特征的基础上，通过银镜反应简化了贵金属纳米粒子镀覆的工艺过程，获得了硅表面更高的减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN102354661A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110251150.6
申请日：2011-08-29
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明公开了属于微电子技术领域的一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用丙酮、CP4-A溶液和氢氟酸常温预处理得到清洁的硅表面。配制硝酸银、双氧水、氢氟酸均匀混合的减薄液并放入水浴中预热，把硅片浸入减薄液，通过控制反应时间、温度与溶液配比可获得所需厚度的超薄硅片。本发明首次利用金属纳米粒子催化特性进行硅片均匀腐蚀，利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得厚度小于50μm的超薄硅片，拓宽了金属纳米粒子催化硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN102304766A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110260398.9
申请日：2011-09-05
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面陷光结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)硅片，采用银镜反应在硅片表面镀银，把镀银后的硅片在酸性刻蚀液中浸泡，获得了减反射陷光结构。该陷光结构在300nm到1000nm的光谱范围内的反射率降低到3.4％。本发明在保持常温湿法刻蚀特征的基础上，通过银镜反应简化了贵金属纳米粒子镀覆的工艺过程，获得了硅表面更高的减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN102299207A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110252280.1
申请日：2011-08-30
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法，清洗硅片后，采用碱刻蚀制备金字塔结构表面，然后再结合贵金属纳米粒子催化刻蚀的方法制得多孔金字塔表面陷光结构，采用本发明的方法制备出的硅表面多孔金字塔型陷光结构，在300nm到1000nm的光谱范围内其平均反射率降到了3.3％的水平，为提高硅太阳能电池的效率提供了新的技术手段。本发明综合利用传统碱刻蚀与贵金属纳米粒子辅助刻蚀的工艺方法、保持湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果。
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