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公开(公告)号：CN110698077B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910847897.4
申请日：2019-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: C03C17/22 , C04B41/85 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/115
Abstract: 本发明属于以半导体材料制备的辐射探测技术领域，公开了一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用，其中制备方法具体是：(1)将铯铅卤素钙钛矿材料分散在基底上，然后加热使温度升至铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，直至铯铅卤素钙钛矿完全熔化成液态；(2)将石英片覆盖在液态的钙钛矿材料上，使被石英片覆盖的液态钙钛矿材料在所述基底上均匀分散；(3)将温度以0.1～5℃/min的速率缓慢降低进行冷却，然后将石英片揭掉，即可得到粘连在基底上的钙钛矿厚膜。本发明通过对制备方法的整体工艺流程设计(包括温度控制程序)等进行改进，能够获得高性能、取向一致、稳定的、高灵敏度大面积厚膜，解决现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、取向不一致等问题。
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公开(公告)号：CN108559503B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810293648.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: C09K11/74
Abstract: 本发明公开了一种Cs2AgBiBr6双钙钛矿及其制备方法，该制备方法引入两步析晶过程，避免Cs2AgBiBr6钙钛矿在有机溶剂中组分偏析现象。主要在于：采用反溶剂滴定前驱体溶液，去除早期析晶副产物，离心分离后获得清液作为Cs2AgBiBr6钙钛矿长晶溶液，再通过反溶剂析晶过程缓慢合成出Cs2AgBiBr6钙钛矿材料。本发明制备方法能有效避免由于组分溶解度不同导致的偏析现象。相对于用酸作为溶剂，有机溶剂的溶解度更大，对密封性和容器的抗腐蚀性要求更低，能够显著提高合成效率。
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公开(公告)号：CN106637403B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201611066423.9
申请日：2016-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿单晶的制备方法，包括取第一卤化物和第二卤化物混合，并用极性溶剂搅拌溶解，制得钙钛矿溶液，第一卤化物、第二卤化物和极性溶剂的质量比要求使钙钛矿溶液过饱和；将钙钛矿溶液进行过滤处理；将所述进行过滤处理的钙钛矿溶液置于疏水容器中，加热析出钙钛矿单晶。本发明中选择疏水材料作为钙钛矿单晶的生长容器，由于疏水容器壁的疏水性，疏水容器壁上生成的晶核数急剧减少，长出的单晶数量相对减少，单位时间内长出的晶体更大，碎晶的数量减少，溶液利用率得到提升，晶体质量显著提高。
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公开(公告)号：CN107248538B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710375865.X
申请日：2017-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用，其中该后处理方法包括以下步骤：对双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6进行退火处理，然后冷却，接着对冷却后的所述晶体利用溶剂进行表面钝化处理，从而提高该双钙钛矿晶体的迁移率，降低其表面复合速率。本发明通过对关键后处理所采用的工艺流程、以及各个工艺步骤所采用的具体条件参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决双钙钛矿Cs2AgBiX6晶体Ag、Bi的错位发生概率高、晶体内部缺陷多、晶体的载流子迁移率和载流子寿命乘积(μτ)不高等问题，并且使用本发明中的后处理方法得到的晶体尤其适用于应用于辐射探测器中。
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公开(公告)号：CN113013292B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110211981.4
申请日：2021-02-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/117
Abstract: 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种提高基于铯铅溴CsPbBr3的辐射探测器性能的方法，该方法是通过对辐射探测器的吸光层铯铅溴CsPbBr3钙钛矿材料进行含氧气氛围的退火处理，在避免使CsPbBr3体相中的溴元素被氧化以致失去钙钛矿结构的前提下，仅在吸光层CsPbBr3的表面形成宽带隙的铅的氧化物以钝化缺陷，降低暗电流，从而提高辐射探测器CsPbBr3的辐射探测性能。本发明通过对辐射探测器的吸光层CsPbBr3进行氧气氛围的退火处理，能够有效解决现有的吸光层缺陷多，暗电流大等问题，同时兼顾灵敏度、稳定性等指标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113061313A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110350062.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: C08L33/20 , C08L33/12 , C08L33/08 , C08L23/06 , C08L25/06 , C08L27/18 , C08K3/16 , C08J5/18 , C09K11/02 , C09K11/06 , C09K11/66 , G01T1/202
Abstract: 本发明属于辐射探测领域，公开了一种柔性钙钛矿闪烁体厚膜及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：(1)制备钙钛矿前驱体溶液；(2)在钙钛矿前驱体溶液中加入高分子聚合物并搅拌，得到钙钛矿‑聚合物前驱体溶液；(3)将钙钛矿‑聚合物前驱体溶液均匀滴涂于基底并静置，即可得到湿膜；(4)将湿膜在负压条件下进行处理，以加速溶剂挥发、聚合物结晶以及钙钛矿析晶的速度，从而最终得到柔性钙钛矿聚合物闪烁体膜。本发明直接利用聚合物的限域效应，得到的厚膜可大大扩展现有闪烁体的种类。并且，本发明还通过对制备方法整体工艺流程设计、关键工艺参数进行控制和调整，尤其可在10～30℃的室温条件下实现柔性钙钛矿闪烁体厚膜的制备。
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公开(公告)号：CN113013292A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110211981.4
申请日：2021-02-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/117
Abstract: 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种提高基于铯铅溴CsPbBr3的辐射探测器性能的方法，该方法是通过对辐射探测器的吸光层铯铅溴CsPbBr3钙钛矿材料进行含氧气氛围的退火处理，在避免使CsPbBr3体相中的溴元素被氧化以致失去钙钛矿结构的前提下，仅在吸光层CsPbBr3的表面形成宽带隙的铅的氧化物以钝化缺陷，降低暗电流，从而提高辐射探测器CsPbBr3的辐射探测性能。本发明通过对辐射探测器的吸光层CsPbBr3进行氧气氛围的退火处理，能够有效解决现有的吸光层缺陷多，暗电流大等问题，同时兼顾灵敏度、稳定性等指标。
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公开(公告)号：CN110137359A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910278177.0
申请日：2019-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/48 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种用交流电抑制钙钛矿光电探测器电流漂移的方法及器件，其中的方法具体是通过将向钙钛矿光电探测器中钙钛矿功能层两端施加的偏压控制为交流电，利用该交流电减弱钙钛矿功能层中钙钛矿材料内的离子迁移现象，从而抑制钙钛矿光电探测器工作时的电流漂移。相应的器件包括用于最终向钙钛矿功能层两端施加交流电的交流电源，该交流电作为钙钛矿功能层偏压，减弱钙钛矿功能层中钙钛矿材料内的离子迁移现象，能够抑制该器件工作时的电流漂移。本发明通过控制钙钛矿光电探测器工作时所加的偏压为交流电，利用交流电将减弱离子迁移现象，从而有效的抑制钙钛矿光电探测器工作时的电流漂移问题。
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公开(公告)号：CN108365031B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201810163874.7
申请日：2018-02-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种提高辐射探测性能的方法、对应的辐射探测器及制备，其中提高辐射探测性能的方法是向辐射探测器的辐射探测活性层中掺杂离子迁移惰性材料，由此提高该辐射探测活性层的辐射探测性能；离子迁移惰性材料优选为铋氧溴、氮化硼、单壁碳管中的至少一种；辐射探测活性层采用全无机钙钛矿，优选采用Cs2AgBiBr6。本发明通过对关键掺杂物(如掺杂物的具体种类及掺杂量)、相应辐射探测器制备方法的整体工艺流程设计及关键步骤所使用的参数条件(如退火工艺所采用的温度及时间等)进行改进，能够有效解决现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、环境污染和稳定性差等问题，以及灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾问题。
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公开(公告)号：CN108365031A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810163874.7
申请日：2018-02-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/115 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0321 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种提高辐射探测性能的方法、对应的辐射探测器及制备，其中提高辐射探测性能的方法是向辐射探测器的辐射探测活性层中掺杂离子迁移惰性材料，由此提高该辐射探测活性层的辐射探测性能；离子迁移惰性材料优选为铋氧溴、氮化硼、单壁碳管中的至少一种；辐射探测活性层采用全无机钙钛矿，优选采用Cs2AgBiBr6。本发明通过对关键掺杂物(如掺杂物的具体种类及掺杂量)、相应辐射探测器制备方法的整体工艺流程设计及关键步骤所使用的参数条件(如退火工艺所采用的温度及时间等)进行改进，能够有效解决现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、环境污染和稳定性差等问题，以及灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾问题。
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