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公开(公告)号：CN115558994B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211121809.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种卤化物的提纯方法，属于卤化物提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯卤化物进行定向凝固，得到高纯卤化物；其中，所述高纯卤化物的纯度≥7N；在所述定向凝固中，待提纯卤化物的恒定移动速率为3～5mm/h。该提纯方法采用定向凝固技术，控制待提纯卤化物的移动速率为3～5mm/h，因为过快的待提纯卤化物移动速度会导致杂质分凝效果变差，过慢的待提纯卤化物移动速度会降低生产效率。因此，在保证较好杂质分凝效果、顺利去除卤化物内杂质，制得纯度≥7N的高纯卤化物；同时提高生产效率，满足了大批量高纯卤化物的快速制备需求。
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公开(公告)号：CN115196656B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211031605.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C01D17/00
Abstract: 本发明提供了一种CsBr的提纯方法，属于CsBr提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯的CsBr进行重结晶，得到重结晶后的CsBr；将重结晶后的所述CsBr进行定向凝固，得到定向凝固后的CsBr；将定向凝固后的所述CsBr进行区域熔融，得到高纯CsBr；所述高纯CsBr的纯度≥8N。该提纯方法结合重结晶技术、定向凝固技术和区域熔融技术，通过上述三种技术协同配合，可有效除去低纯CsBr中Cs2O、CsOH等杂相污染，大幅提升CsBr纯度，制备出可用于高结晶质量单晶生长的高纯CsBr。
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公开(公告)号：CN115196656A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211031605.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C01D17/00
Abstract: 本发明提供了一种CsBr的提纯方法，属于CsBr提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯的CsBr进行重结晶，得到重结晶后的CsBr；将重结晶后的所述CsBr进行定向凝固，得到定向凝固后的CsBr；将定向凝固后的所述CsBr进行区域熔融，得到高纯CsBr；所述高纯CsBr的纯度≥8N。该提纯方法结合重结晶技术、定向凝固技术和区域熔融技术，通过上述三种技术协同配合，可有效除去低纯CsBr中Cs2O、CsOH等杂相污染，大幅提升CsBr纯度，制备出可用于高结晶质量单晶生长的高纯CsBr。
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公开(公告)号：CN115558994A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211121809.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种卤化物的提纯方法，属于卤化物提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯卤化物进行定向凝固，得到高纯卤化物；其中，所述高纯卤化物的纯度≥7N；在所述定向凝固中，待提纯卤化物的恒定移动速率为3～5mm/h。该提纯方法采用定向凝固技术，控制待提纯卤化物的移动速率为3～5mm/h，因为过快的待提纯卤化物移动速度会导致杂质分凝效果变差，过慢的待提纯卤化物移动速度会降低生产效率。因此，在保证较好杂质分凝效果、顺利去除卤化物内杂质，制得纯度≥7N的高纯卤化物；同时提高生产效率，满足了大批量高纯卤化物的快速制备需求。
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公开(公告)号：CN115347054A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211027122.0
申请日：2022-08-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/0203 , H01L31/02 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供了一种X射线探测器及其封装方法，其中，X射线探测器封装方法包括：在X射线吸收转化层的第一电极上引出第一导线，接着，在导电玻璃基板上涂覆可固化的导电液，并将X射线吸收转化层的第二电极与导电液接触，最后，从导电液上引出第二导线，并将预先配置的封装胶液覆盖在X射线吸收转化层上。由于封装胶液能够隔绝空气中的水蒸汽，并且只需第一导线以及第二导线从封装胶液中暴露出，就能够使得X射线吸收转化层不会接触水汽而发生潮解，相较于蒸镀存在蒸镀时长以及镀膜厚度要求，封装胶液更节约封装时间，因而能够有效提高X射线探测器的封装效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115261786A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210979094.6
申请日：2022-08-16
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种Micro‑CT探测器镀膜方法、一种掩膜。其中，Micro‑CT探测器镀膜方法包括：将预制电子显微镜载网掩盖在Micro‑CT探测器单晶上，由于预制电子显微镜载网暴露有Micro‑CT探测器单晶需要镀膜的目标晶面，因而可以直接对目标晶面进行真空镀膜，来制备得到Micro‑CT探测器像素化电极阵列。由于电子显微镜载网的制造成本较精细金属掩模版低，能有效降低对Micro‑CT探测器进行镀膜过程的成本。
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公开(公告)号：CN113013292B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110211981.4
申请日：2021-02-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/117
Abstract: 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种提高基于铯铅溴CsPbBr3的辐射探测器性能的方法，该方法是通过对辐射探测器的吸光层铯铅溴CsPbBr3钙钛矿材料进行含氧气氛围的退火处理，在避免使CsPbBr3体相中的溴元素被氧化以致失去钙钛矿结构的前提下，仅在吸光层CsPbBr3的表面形成宽带隙的铅的氧化物以钝化缺陷，降低暗电流，从而提高辐射探测器CsPbBr3的辐射探测性能。本发明通过对辐射探测器的吸光层CsPbBr3进行氧气氛围的退火处理，能够有效解决现有的吸光层缺陷多，暗电流大等问题，同时兼顾灵敏度、稳定性等指标。
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公开(公告)号：CN113204047A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110436518.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01T1/24 , H01L27/144 , H01L31/115 , H01L31/0224
Abstract: 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种半导体辐射探测器，包括至少2组电极对，并且位于辐射响应区内的半导体材料，根据距辐射射线入射端面距离的不同被划分为多个厚度区域；每组电极对对应着某一个厚度区域，不同组电极对对应着不同的厚度区域；该半导体辐射探测器能够利用不同能量粒子在半导体材料中衰减程度的不同，通过不同组电极对收集不同目标能量粒子的辐射响应信号，从而实现能谱区分，实现多能谱探测。本发明通过采用不同于现有技术中已有的能谱区分方案，利用不同能量的高能辐射粒子对于材料的穿透能力不同这一特点，通过设置位于不同位置的电极对，能够探测不同深度上的探测信号，从而能够实现能谱区分、应用于多能谱探测。
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公开(公告)号：CN113061313A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110350062.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: C08L33/20 , C08L33/12 , C08L33/08 , C08L23/06 , C08L25/06 , C08L27/18 , C08K3/16 , C08J5/18 , C09K11/02 , C09K11/06 , C09K11/66 , G01T1/202
Abstract: 本发明属于辐射探测领域，公开了一种柔性钙钛矿闪烁体厚膜及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：(1)制备钙钛矿前驱体溶液；(2)在钙钛矿前驱体溶液中加入高分子聚合物并搅拌，得到钙钛矿‑聚合物前驱体溶液；(3)将钙钛矿‑聚合物前驱体溶液均匀滴涂于基底并静置，即可得到湿膜；(4)将湿膜在负压条件下进行处理，以加速溶剂挥发、聚合物结晶以及钙钛矿析晶的速度，从而最终得到柔性钙钛矿聚合物闪烁体膜。本发明直接利用聚合物的限域效应，得到的厚膜可大大扩展现有闪烁体的种类。并且，本发明还通过对制备方法整体工艺流程设计、关键工艺参数进行控制和调整，尤其可在10～30℃的室温条件下实现柔性钙钛矿闪烁体厚膜的制备。
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公开(公告)号：CN113013292A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110211981.4
申请日：2021-02-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/117
Abstract: 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种提高基于铯铅溴CsPbBr3的辐射探测器性能的方法，该方法是通过对辐射探测器的吸光层铯铅溴CsPbBr3钙钛矿材料进行含氧气氛围的退火处理，在避免使CsPbBr3体相中的溴元素被氧化以致失去钙钛矿结构的前提下，仅在吸光层CsPbBr3的表面形成宽带隙的铅的氧化物以钝化缺陷，降低暗电流，从而提高辐射探测器CsPbBr3的辐射探测性能。本发明通过对辐射探测器的吸光层CsPbBr3进行氧气氛围的退火处理，能够有效解决现有的吸光层缺陷多，暗电流大等问题，同时兼顾灵敏度、稳定性等指标。
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