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公开(公告)号：CN101434408A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810236931.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及信息存储薄膜材料领域，公开了一种A位Pr掺杂BTO薄膜材料，它是由镨、铋、钛和氧离子组成的，其组成分子式为Bi(4－11x/9)PrxTi3O12，x取值为0.3～0.9。该薄膜材料采用射频磁控溅射方法制备，具体为：将Bi(4－11x/9)PrxTi3O12靶材沉积在Pt/TiO2/SiO2/p－Si衬底上，抽至高真空，预溅射，通入氧气和氩气调节工作气压，再次溅射，最后快速退火，得到薄膜。本发明制得的薄膜为随机取向的多晶薄膜，薄膜表面光滑，晶粒尺寸均匀，具有低的漏电流和较好的电滞回线，可与现有CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101159271A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710168367.4
申请日：2007-11-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于铁电存储器技术，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、底电极金属层、缓冲层、铁电薄膜层和顶电极金属层构成，缓冲层的材料为TiO2，厚度为10－30nm。制备过程中，采用磁控溅射法在底电极金属层上制备10－30nm厚度的TiO2缓冲层，溅射工艺条件为：溅射气压1～3Pa，溅射基片温度为200－400℃，溅射气氛为O2和Ar的混合气体；本发明铁电薄膜结晶性能良好、非c轴取向度高、电滞回线饱满、剩余极化值大。
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公开(公告)号：CN1356728A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01138334.8
申请日：2001-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开的铁电场效应晶体管,其存储介质层为钛酸铋(BIT)薄膜。其制备方法为:在清洗后Si基片上涂布光刻胶、曝光、显影,得到套刻标记图形后,再刻蚀,得到套刻标记凹痕;涂布光刻胶,光刻形成源区和漏区的注入窗口;进行N+离子注入,形成源区和漏区;采用Sol－Gel工艺淀积BIT铁电薄膜;刻蚀掉源区和漏区上方的BIT铁电薄膜,得到源、漏电极窗口;采用直流磁控溅射方法镀Ag金属层,反刻Ag金属层得到源、漏、栅极。本发明有效地克服了一般铁电存储场效应器件界面特性差、易疲劳的缺点,使信息存储时间延长;简化了制作工艺,并有效地提高器件的成品率。本发明仍保持了MFS结构存储器件的优点,并与标准IC工艺兼容。
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公开(公告)号：CN110443345B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910699882.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于人工智能技术领域，涉及一种利用氧化/还原分子吸附调控多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料神经网络电脉冲发放行为的方法以及基于该调控方法获得的一种新型的三元分子神经网络。通过调控氧化/还原分子在所述多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料复合结构表面的吸附，改变多金属氧酸盐与半导体低维纳米材料间的电荷转移，从而改变多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料复合结构的电导，进而改变多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料复合结构单元之间的电荷势垒及对应的电荷传输机制，从而调控多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料神经网络的电脉冲发放行为，由此解决现有技术提出的分子神经网络中电脉冲行为不可控的技术问题。
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公开(公告)号：CN106945404B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201710200069.2
申请日：2017-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B41J2/16
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法，采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺，在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道；采用阳极键合工艺，以石墨烯碎片作为中间层，将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通，进墨通道深度小于喷墨腔室深度；喷嘴设置在喷墨腔室底部；碳纳米管‑石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域，且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室，制备时精度易于控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100515776C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710053288.9
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米管微气泡发生器的喷印阀及其制备方法。喷印阀由制作有碳纳米管微气泡发生器的玻璃衬底或硅衬底和经微加工的硅基底键合而成。碳纳米管、二个金电极以及二氧化硅层构成碳纳米管微气泡发生器；碳纳米管架设于金电极之间；碳纳米管与金电极的接触部位覆盖二氧化硅层；硅基底上开有通孔作为进液管，在硅基底的表面开有与进液管相连的凹槽；衬底与硅基底键合，使碳纳米管微气泡发生器与凹槽的位置相对，形成喷嘴。其制备方法是在衬底上制作碳纳米管微气泡发生器，在硅基底上制作进液管和凹槽，再将二者键合即可。本发明克服了传统微气泡发生器功耗大的缺点，并具有良好的高密度集成的潜力，在先进制造领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101130300A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710053288.9
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米管微气泡发生器的喷印阀及其制备方法。喷印阀由制作有碳纳米管微气泡发生器的玻璃衬底或硅衬底和经微加工的硅基底键合而成。碳纳米管、二个金电极以及二氧化硅层构成碳纳米管微气泡发生器；碳纳米管架设于金电极之间；碳纳米管与金电极的接触部位覆盖二氧化硅层；硅基底上开有通孔作为进液管，在硅基底的表面开有与进液管相连的凹槽；衬底与硅基底键合，使碳纳米管微气泡发生器与凹槽的位置相对，形成喷嘴。其制备方法是在衬底上制作碳纳米管微气泡发生器，在硅基底上制作进液管和凹槽，再将二者键合即可。本发明克服了传统微气泡发生器功耗大的缺点，并具有良好的高密度集成的潜力，在先进制造领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1967848A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610125087.0
申请日：2006-11-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/04 , H01L21/8247 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法，本发明铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成；二氧化钛粘结层的厚度为10～30nm；下电极金属层的厚度为100nm～200nm；下缓冲层的厚度为5～20nm；铁电薄膜层的厚度为200nm～500nm；上缓冲层的厚度为100nm～200nm；上电极金属层的厚度为80nm～150nm。本发明铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小，漏电流较小。本发明铁电存储器用铁电薄膜电容采用磁控溅射的方法逐层溅射制备，制备的薄膜结晶性能较好，可获得单一取向的薄膜。
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公开(公告)号：CN1232728C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03118917.2
申请日：2003-04-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: F04B43/04
Abstract: 本发明公开了一种无阀薄膜驱动型微泵，该微泵是一种单膜双腔结构，双腔中间由基底膜与功能膜构成的驱动膜完全隔离，每个泵腔通过各自的锥形扩散管与进水孔相连，通过各自的锥形收缩管与出水孔相连。本发明采用单膜双腔结构，利用信号控制两个腔体容积的变化，使两个腔体容积变化得到实时互补，输出流量稳定，且具有结构及制备工艺简单、响应快、驱动频率宽、可控性强、能耗低、寿命长等特点。此外，本发明可采用微细加工和微机械技术相兼容的材料和工艺制造，具有体积小、成本低、容易和其它微检测和微控制元件集成等特点，适应于大批量生产，具有可观的应用前景。
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公开(公告)号：CN110443345A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910699882.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于人工智能技术领域，涉及一种利用氧化/还原分子吸附调控多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料神经网络电脉冲发放行为的方法以及基于该调控方法获得的一种新型的三元分子神经网络。通过调控氧化/还原分子在所述多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料复合结构表面的吸附，改变多金属氧酸盐与半导体低维纳米材料间的电荷转移，从而改变多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料复合结构的电导，进而改变多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料复合结构单元之间的电荷势垒及对应的电荷传输机制，从而调控多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料神经网络的电脉冲发放行为，由此解决现有技术提出的分子神经网络中电脉冲行为不可控的技术问题。
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