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公开(公告)号：CN110335844A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910519471.6
申请日：2019-06-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L33/48 , H01L25/075 , H01F13/00
Abstract: 本发明属于巨量转移技术领域，并具体公开了一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置及方法，其包括基板及设置在基板上表面的磁性方块阵列，磁性方块阵列中每一磁性方块均具有磁性且上下表面为异名磁极，并且各磁性方块能够在外部加热的作用下失去磁性，转移操作时磁性方块阵列与待转移的具有磁性的MicroLED阵列一一对应，利用磁性方块阵列先整体拾取MicroLED阵列，再选择性的加热磁性方块使其失去磁性以将MicroLED选择性的转移至具有磁性的目标电路基板上。本发明可实现MicroLED的图案化、选择性巨量转移，具有操作方便，适用性强，定位精确等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117800281A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311834516.1
申请日：2023-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于柔性电子制备相关技术领域，其公开了一种PI仿生纳米结构及其制备方法与应用，该方法包括以下步骤：(1)在基板上制备PI膜，并采用紫外激光穿过所述基板后对PI膜进行扫描，使得激光扫描区域的界面发生纳米尺度空化以达到亚剥离态，此时PI膜与玻璃基板之间的界面产生纳米纤维连接；(2)在PI膜上粘贴热释放胶带，借助所述热释放胶带的外力辅助使得PI膜自玻璃基板上剥离；(3)对热释放胶带进行加热以完成PI膜的热释放，从而得到PI仿生纳米结构。本发明结合了激光扫描及热释放胶带，可以直接通过激光扫描，无需光刻步骤，具有操作步骤简单、环境污染小等特点，可适用于大面积生产。
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公开(公告)号：CN110349902B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910519450.4
申请日：2019-06-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L25/075 , H01L33/48 , H01F13/00
Abstract: 本发明属于巨量转移技术领域，并具体公开了一种基于可寻址电磁阵列的MicroLED巨量转移装置及方法，其包括上位机、驱动模块阵列和电路模块，驱动模块阵列由多个呈阵列分布的驱动模块构成，各驱动模块上均设置有上电极和下电极，且两者之间布置有带电磁铁；电路模块分别与上位机及各驱动模块相连，用于根据上位机的控制指令实现各驱动模块的上电极和下电极所带电荷电性的独立控制，以改变各带电磁铁与具有磁性的MicroLED间的磁力大小，实现MicroLED的拾取与释放。所述方法包括：将MicroLED转移至中间载体基板上；利用装置将MicroLED转移至目标电路基板上。本发明可实现MicroLED的图案化、选择性巨量转移，具有操作方便，适用性强等优点。
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公开(公告)号：CN110349902A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910519450.4
申请日：2019-06-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L25/075 , H01L33/48 , H01F13/00
Abstract: 本发明属于巨量转移技术领域，并具体公开了一种基于可寻址电磁阵列的MicroLED巨量转移装置及方法，其包括上位机、驱动模块阵列和电路模块，驱动模块阵列由多个呈阵列分布的驱动模块构成，各驱动模块上均设置有上电极和下电极，且两者之间布置有带电磁铁；电路模块分别与上位机及各驱动模块相连，用于根据上位机的控制指令实现各驱动模块的上电极和下电极所带电荷电性的独立控制，以改变各带电磁铁与具有磁性的MicroLED间的磁力大小，实现MicroLED的拾取与释放。所述方法包括：将MicroLED转移至中间载体基板上；利用装置将MicroLED转移至目标电路基板上。本发明可实现MicroLED的图案化、选择性巨量转移，具有操作方便，适用性强等优点。
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公开(公告)号：CN106910678B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710135335.8
申请日：2017-03-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明属于电子器件制备工艺领域，并公开了一种图案化掩膜版的制备方法，包括以下步骤：1)在透明基板的第一表面上沉积一层吸光材料层并图案化；2)在透明基板的第二表面上旋涂聚合物材料层；3)用激光照射透明基板的第一表面，该透明基板上被吸光材料覆盖的区域，激光能量未达到聚合物材料烧蚀阈值，聚合物得以保留；而透明基板上未被吸光材料覆盖的区域的聚合物会被激光烧蚀，聚合物材料层被烧蚀后实现图案化，并且图案的形状与透明基板的第一表面沉积的吸光材料的形状一致，从而形成所述图案化掩膜版。本发明可以实现对激光剥离后的界面粘附强度调控，通过控制剥离后的界面粘附强度，使大面积柔性超薄器件剥离后依然粘附在刚性衬底上。
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公开(公告)号：CN109087882A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810775111.8
申请日：2018-07-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/66
Abstract: 本发明属于激光剥离制备柔性电子器件的技术领域，并公开了一种柔性电子器件的制备方法及其产品与系统。该方法包括下列步骤：(a)在刚性透明基板上制备柔性电子器件和压电传感器获得多个预制品；(b)选取一部分预制品采用激光照射，并标定使得柔性衬底从基板上剥离对应的激光工艺参数范围和电压范围；(c)对于剩余的预制品，设定激光的工艺参数，采用激光照射基板的底部，记录剥离时压电传感器测量的实时电压，将其与标定的电压范围进行比较，以此判断产品是否合格，由此获得合格的柔性电子器件。通过本发明，实现剥离应变冲击与电信号关系的定量标定，进而实现产品的科学分拣和工艺控制，提高良品率，提高生产设备和制造流程的敏捷性。
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