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公开(公告)号:CN109524512A
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201811360533.5
申请日:2018-11-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微型元件巨量转移相关技术领域,其公开了一种基于可控微反射镜阵列的微型发光二极管巨量转移方法,该方法包括以下步骤:(1)将红色微型发光二极管阵列、蓝色微型发光二极管阵列及绿色微型发光二极管阵列分别粘接在三个临时转移基板上;(2)分别将上述三种颜色的微型发光二极管阵列自对应的所述临时转移基板转移至透明基板上,该透明基板设置有激光释放层;(3)紫外激光经该可控微反射镜阵列后被分为三束图案化激光,该三束图案化激光分别照射于三种微型发光二极管所连接的激光释放层上,进而使三种颜色的微型发光二极管选择性地转移至目标基板上。本发明提高了转移效率,且可同时转移红、绿、蓝三种颜色的微型发光二极管。
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公开(公告)号:CN109661122A
公开(公告)日:2019-04-19
申请号:CN201811332087.7
申请日:2018-11-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微型发光二极管转移相关技术领域,其公开了一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法,该方法包括以下步骤:(1)将制备在蓝宝石基板上的微型发光二极管阵列粘接在临时转移基板上;(2)将所述微型发光二极管阵列自所述临时转移基板转移到透明基板上,所述透明基板设置有热释放胶层;(3)选择性地点亮所述微型发光二极管阵列中的待转移微型发光二极管;(4)采用紫外激光扫描所述透明基板的背面,使点亮的所述待转移微型发光二极管脱离所述热释放胶层并转移到目标基板上。本发明工艺简单,适用性较强,准确性较高,且提高了良品率及生产效率。
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公开(公告)号:CN109087882A
公开(公告)日:2018-12-25
申请号:CN201810775111.8
申请日:2018-07-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/66
Abstract: 本发明属于激光剥离制备柔性电子器件的技术领域,并公开了一种柔性电子器件的制备方法及其产品与系统。该方法包括下列步骤:(a)在刚性透明基板上制备柔性电子器件和压电传感器获得多个预制品;(b)选取一部分预制品采用激光照射,并标定使得柔性衬底从基板上剥离对应的激光工艺参数范围和电压范围;(c)对于剩余的预制品,设定激光的工艺参数,采用激光照射基板的底部,记录剥离时压电传感器测量的实时电压,将其与标定的电压范围进行比较,以此判断产品是否合格,由此获得合格的柔性电子器件。通过本发明,实现剥离应变冲击与电信号关系的定量标定,进而实现产品的科学分拣和工艺控制,提高良品率,提高生产设备和制造流程的敏捷性。
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公开(公告)号:CN109524512B
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN201811360533.5
申请日:2018-11-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微型元件巨量转移相关技术领域,其公开了一种基于可控微反射镜阵列的微型发光二极管巨量转移方法,该方法包括以下步骤:(1)将红色微型发光二极管阵列、蓝色微型发光二极管阵列及绿色微型发光二极管阵列分别粘接在三个临时转移基板上;(2)分别将上述三种颜色的微型发光二极管阵列自对应的所述临时转移基板转移至透明基板上,该透明基板设置有激光释放层;(3)紫外激光经该可控微反射镜阵列后被分为三束图案化激光,该三束图案化激光分别照射于三种微型发光二极管所连接的激光释放层上,进而使三种颜色的微型发光二极管选择性地转移至目标基板上。本发明提高了转移效率,且可同时转移红、绿、蓝三种颜色的微型发光二极管。
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公开(公告)号:CN109087882B
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN201810775111.8
申请日:2018-07-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/66
Abstract: 本发明属于激光剥离制备柔性电子器件的技术领域,并公开了一种柔性电子器件的制备方法及其产品与系统。该方法包括下列步骤:(a)在刚性透明基板上制备柔性电子器件和压电传感器获得多个预制品;(b)选取一部分预制品采用激光照射,并标定使得柔性衬底从基板上剥离对应的激光工艺参数范围和电压范围;(c)对于剩余的预制品,设定激光的工艺参数,采用激光照射基板的底部,记录剥离时压电传感器测量的实时电压,将其与标定的电压范围进行比较,以此判断产品是否合格,由此获得合格的柔性电子器件。通过本发明,实现剥离应变冲击与电信号关系的定量标定,进而实现产品的科学分拣和工艺控制,提高良品率,提高生产设备和制造流程的敏捷性。
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公开(公告)号:CN109661122B
公开(公告)日:2020-01-21
申请号:CN201811332087.7
申请日:2018-11-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微型发光二极管转移相关技术领域,其公开了一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法,该方法包括以下步骤:(1)将制备在蓝宝石基板上的微型发光二极管阵列粘接在临时转移基板上;(2)将所述微型发光二极管阵列自所述临时转移基板转移到透明基板上,所述透明基板设置有热释放胶层;(3)选择性地点亮所述微型发光二极管阵列中的待转移微型发光二极管;(4)采用紫外激光扫描所述透明基板的背面,使点亮的所述待转移微型发光二极管脱离所述热释放胶层并转移到目标基板上。本发明工艺简单,适用性较强,准确性较高,且提高了良品率及生产效率。
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