公开(公告)号：CN114105087A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111479941.4

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 曹卫达 ,  丁景兵 ,  吴梦茹

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，它包括以下步骤：S1、选取SOI晶圆并刻蚀形成台阶；S2、清洗所述SOI晶圆；S3、刻蚀顶层硅及台阶，形成梳齿结构及硅草；S4、在梳齿结构和硅草上设置厚钝化层；S5、刻蚀气体去除水平面上的钝化层；S6、刻蚀气体钻蚀所述台阶和硅草的根部；S7、刻蚀气体去除硅草表面上的钝化层；S8、刻蚀气体刻蚀倒在所述台阶上的硅草；S9、清洗残留的所述钝化层及硅草。本发明操作方便，硅草去除干净，有效的提升了器件的使用可靠性，增加了工作寿命。

公开(公告)号：CN221326381U

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202323311984.9

申请日：2023-11-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 曹卫达 ,  宋东方 ,  王帆 ,  丁景兵 ,  白建新

IPC: G01N23/2204 ,  G01N23/2251

Abstract: 本实用新型提供了一种MEMS晶圆微结构取样装置，包括框架、水平定距位移台、三轴位移台、晶圆托盘、晶圆、显微镜筒、取样杆和扫描电镜样品台；其中，框架包括底座和横梁；水平定距位移台安装在底座上，可往返移动于显微镜筒与取样杆的正下方位置之间；三轴位移台安装在水平定距位移台上部，用于实现三个方向轴上的平移；晶圆托盘安装在三轴位移台上部，用于容置晶圆；显微镜筒安装于横梁，用于观察晶圆微结构；取样杆安装于横梁，且与显微镜筒的安装位置位于同一水平线；扫描电镜样品台安装于取样杆底部，底端设有导电胶带。本实用新型装置取样简单、定位准确，同时符合规范，不易引入沾污。