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公开(公告)号：CN119364880B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411896873.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H10F30/225 , H10F71/00 , H10F77/20 , H10F77/14
Abstract: 本申请实施例提供一种雪崩光电探测器及其制备方法。雪崩光电探测器包括雪崩光电二极管和提取结构，雪崩光电二极管包括依次设置的第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层；第一接触层、提取结构具有第一掺杂类型，电荷层和光吸收层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型不同，第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层共同形成第一电场；提取结构位于雪崩光电二极管沿第二方向的外侧，提取结构和光吸收层共同形成第二电场，第一方向与第二方向相交；第一电场与第二电场不接触。通过在原有的雪崩光电探测器的电场区外侧引入提取结构，提取结构可以吸引外侧的载流子，减少载流子扩散进入电场区以引入额外的扩散电流，从而降低器件噪声。
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公开(公告)号：CN119364880A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411896873.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H10F30/225 , H10F71/00 , H10F77/20 , H10F77/14
Abstract: 本申请实施例提供一种雪崩光电探测器及其制备方法。雪崩光电探测器包括雪崩光电二极管和提取结构，雪崩光电二极管包括依次设置的第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层；第一接触层、提取结构具有第一掺杂类型，电荷层和光吸收层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型不同，第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层共同形成第一电场；提取结构位于雪崩光电二极管沿第二方向的外侧，提取结构和光吸收层共同形成第二电场，第一方向与第二方向相交；第一电场与第二电场不接触。通过在原有的雪崩光电探测器的电场区外侧引入提取结构，提取结构可以吸引外侧的载流子，减少载流子扩散进入电场区以引入额外的扩散电流，从而降低器件噪声。
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公开(公告)号：CN113838942B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110893871.0
申请日：2021-08-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232
Abstract: 本申请实施例提供一种超低噪声光电探测器。超低噪声光电探测器包括探测器本体和超表面微纳结构，所述超表面微纳结构与所述探测器本体的光敏面耦合，用于将目标入射光的大光斑尺寸变换为与所述探测器本体的光敏面相匹配的小光斑尺寸。本申请实施例提供的方案，通过超表面微纳结构实现目标入射光尺寸的缩小，从而减小了探测器中的电场体积，因此，在保证入射光通量的前提下，可以大幅减小噪声。由于超表面微纳结构的尺寸小、重量轻，可以非常方便地实现与其他半导体光电子器件的集成。
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公开(公告)号：CN118276618A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410694059.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 本申请提供一种温度控制装置以及温度控制系统。该装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，误差放大器模块用于对温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据电压信号、以及对目标芯片的温度要求，确定误差信号；PID控制器模块用于对接收到的误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；电流监控模块用于调节TEC制冷片中的电流的大小和方向。本申请通过对目标芯片的瞬态温度调控，从而稳定控制目标芯片的温度，降低了温度对目标芯片工作性能和稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN116913938A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311139281.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种低噪声高密度集成光电探测阵列芯片及其制备方法，低噪声高密度集成光电探测阵列芯片包括：基体，包括在厚度方向上相对设置的第一表面和第二表面，具有由第一表面向第二表面延伸的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构将基体分隔为阵列排布的多个像元；其中，浅沟槽隔离结构包括隔离层及包裹隔离层的界面态钝化层；增透层，形成在基体的第一表面，具有多个通孔，各通孔位于各像元内；第一欧姆接触电极，形成在各通孔内，并与基体的第一表面接触；第二欧姆接触电极，形成在基体的第二表面。本申请的低噪声高密度集成光电探测阵列芯片，可以解决器件后脉冲高、噪声大的问题，提升器件的工作性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116885029A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311132320.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种高效率PIN光电探测器及其制备方法，高效率PIN光电探测器包括：衬底，包括光吸收层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层的至少部分结构位于光吸收层内，第二欧姆接触层形成于光吸收层的第二表面，并与第一欧姆接触层间隔开，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂类型相反；增透层，形成于衬底的第一表面；界面态钝化层，由衬底和增透层形成的界面态沿水平方向的至少部分结构掺杂形成，界面态钝化层与第二欧姆接触层的掺杂类型相同；第一欧姆接触电极，与第一欧姆接触层连接，并与增透层同层布置；第二欧姆接触电极，与第二欧姆接触层连接。根据本发明的高效率PIN光电探测器，可以提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN115084307A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210989618.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京邮电大学 , 无锡中微晶园电子有限公司 , 北京中盾安民分析技术有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法，抗辐照加固单光子探测器包括衬底、钝化层、雪崩层、补偿层、第一欧姆接触复合层和第二欧姆接触复合层；第二欧姆接触复合层、衬底和钝化层依次层叠设置，第一欧姆接触复合层包括第一接触电极和第一欧姆接触层，雪崩层和第一欧姆接触层均位于衬底内，雪崩层与第一欧姆接触层朝向第二欧姆接触复合层的一面连接；第一接触电极与钝化层同层设置，且第一接触电极与第一欧姆接触层连接；补偿层位于衬底内，补偿层背离第二欧姆接触复合层的一面与钝化层接触，补偿层用于预补偿辐照损伤在衬底中感应的电荷。本发明的抗辐照加固单光子探测器结构简单、抗辐照损伤效果明显。
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公开(公告)号：CN113284963B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110438832.1
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例提供一种叉指型导模光电探测器。其中，探测器包括光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层沿第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；多个P型欧姆接触区和多个N型欧姆接触区，为芯层顶部的掺杂部分，均沿垂直于第一方向的第二方向延伸，且沿第一方向交替排列；以及，P型和N型电极，沿第一方向延伸；P型电极设有并列的多个第一枝节，每一个第一枝节与一个P型欧姆接触区贴合；N型电极设有并列的多个第二枝节，每一个第二枝节与一个N型欧姆接触区贴合。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN113284964A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110438858.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例提供一种导模光电探测器。其中，导模光电探测器包括：光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层延第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；目标入射光进入光波导结构后以导模光的形式沿第一方向传播；P型欧姆接触区和N型欧姆接触区，为芯层两侧的掺杂部分，均沿第一方向延伸；以及，P型电极和N型电极，沿第一方向延伸，并且P型电极与P型欧姆接触区的侧面贴合，N型电极与N型欧姆接触区的侧面贴合，用于收集目标入射光与芯层相互作用所产生的光生载流子。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN109192799B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811025273.6
申请日：2018-09-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供了一种石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器及其制备方法。其中，所述石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器包括：铜衬底、氧化亚铜层、石墨烯层以及欧姆接触电极；所述氧化亚铜层处于所述铜衬底和所述石墨烯层之间；所述欧姆接触电极设置于所述石墨烯层表面。本发明实施例提供的石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器选用以铜作为石墨烯的衬底，将氧化亚铜层作为光吸收面，实现了光电信号的转换，并且石墨烯层、氧化亚铜层以及铜衬底均具有良好的柔性以及电学性质，与现有的集成电路工艺兼容性较好，同时有适用于可能发生较大形变电子设备的潜力，如柔性可穿戴电子设备。
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