公开(公告)号：CN119364880B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411896873.5

申请日：2024-12-23

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 刘巧莉 ,  高麦伦 ,  张炜 ,  李少斌 ,  李凯凯 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H10F30/225 ,  H10F71/00 ,  H10F77/20 ,  H10F77/14

Abstract: 本申请实施例提供一种雪崩光电探测器及其制备方法。雪崩光电探测器包括雪崩光电二极管和提取结构，雪崩光电二极管包括依次设置的第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层；第一接触层、提取结构具有第一掺杂类型，电荷层和光吸收层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型不同，第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层共同形成第一电场；提取结构位于雪崩光电二极管沿第二方向的外侧，提取结构和光吸收层共同形成第二电场，第一方向与第二方向相交；第一电场与第二电场不接触。通过在原有的雪崩光电探测器的电场区外侧引入提取结构，提取结构可以吸引外侧的载流子，减少载流子扩散进入电场区以引入额外的扩散电流，从而降低器件噪声。

公开(公告)号：CN119364880A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411896873.5

申请日：2024-12-23

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 刘巧莉 ,  高麦伦 ,  张炜 ,  李少斌 ,  李凯凯 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H10F30/225 ,  H10F71/00 ,  H10F77/20 ,  H10F77/14

Abstract: 本申请实施例提供一种雪崩光电探测器及其制备方法。雪崩光电探测器包括雪崩光电二极管和提取结构，雪崩光电二极管包括依次设置的第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层；第一接触层、提取结构具有第一掺杂类型，电荷层和光吸收层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型不同，第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层共同形成第一电场；提取结构位于雪崩光电二极管沿第二方向的外侧，提取结构和光吸收层共同形成第二电场，第一方向与第二方向相交；第一电场与第二电场不接触。通过在原有的雪崩光电探测器的电场区外侧引入提取结构，提取结构可以吸引外侧的载流子，减少载流子扩散进入电场区以引入额外的扩散电流，从而降低器件噪声。