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公开(公告)号:CN114447593A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202111632924.X
申请日:2021-12-29
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种磁流可控的天线阵列装置,包括:天线平面;金属天线,设置在天线平面上方;馈电单元,与金属天线连接;磁流控制单元,包括:电学加载单元,电学加载单元的一端与天线平面连接;开关,开关的一端通过金属连接线与电学加载单元的另一端连接,开关的另一端与金属天线连接,开关断开时金属天线边缘处的电场保持长磁流的状态,开关导通时电学加载单元接入天线平面与金属天线之间,金属天线边缘处的电场的磁流由长磁流变为短磁流。通过磁流控制单元控制金属天线磁流的长度,实现金属天线辐射方向图的控制,不需要改变原有的天线的馈电网络或者添加任何天线寄生单元,简便的实现了常规磁流天线的波束可重构,具有很高的实用价值。
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公开(公告)号:CN111865232B
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202010712028.3
申请日:2020-07-22
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了基于氮化镓的融合滤波功能的宽带功率放大器及射频系统,通过将第一切比雪夫滤波电路与前端设备、第一电源以及功放管连接,使得第一切比雪夫滤波电路接收前端设备传输的待处理信号,在第一电源供电时将前端设备的阻抗与功放管的基极的阻抗相匹配,并将待处理信号通过基极传输至功放管;由功放管对该待处理信号进行功率放大;通过将第二切比雪夫滤波电路与功放管、第二电源以及后端设备连接,使得该功放管将功率放大后的信号输出至第二切比雪夫滤波电路;在第二电源供电时,第二切比雪夫滤波电路将集电极的阻抗与后端设备的阻抗相匹配,并将功率放大后的信号通过第二切比雪夫滤波电路输出至后端设备。以提高功率放大器的性能。
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公开(公告)号:CN114024641A
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN202111238242.0
申请日:2021-10-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04B17/391 , H04B10/90 , H04B7/0413
Abstract: 本发明提供一种基于实测数据的太赫兹MIMO信道建模方法和系统,该方法包括:基于待测太赫兹频带的中心频率、预设的发射端与接收端之间的通信距离和接收端虚拟天线的数量计算光学系统的衍射极限分辨率,从而确定MIMO信道模型的发送端天线阵列中相邻发射天线之间以及接收端天线阵列中相邻接收天线之间的距离;利用单输入单输出信道测试设备分次测试发送端每一发射天线与接收端每一阵列单元之间的视距信道频率响应,从而获得实测MIMO信道矩阵;基于实测MIMO信道矩阵得到MIMO信道的性能参数指标;基于MIMO信道矩阵计算信道冲击响应,信道冲击响应得到相邻信道的时频相关性;基于时频相关性得到信道路径损耗,基于信道路径损耗得到太赫兹信道的频率选择性结果。
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公开(公告)号:CN111525906B
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202010237446.1
申请日:2020-03-30
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供的基于薄膜IPD技术的N77与N79带通滤波器芯片,包括:带通滤波器电路,以及用于承载带通滤波器电路的基底层,其中,带通滤波器电路是采用薄膜集成无源器件IPD技术在基底层上生成的,并由第一端口、第二端口及连接于第一端口与第二端口之间谐振器网络构成的,其中第一端口,用于接收输入的信号;谐振器网络,用于对信号在带通的频率范围以外的频率进行阻断,其中,带通的频率范围为3.3GHz到4.2GHz或者带通的频率范围为4.4GHz到5.0GHz;第二端口,用于输出经谐振器网络处理信号以后,处于带通的频率范围的信号。
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公开(公告)号:CN113451727A
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN202110679645.2
申请日:2021-06-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种基于多层封装集成基片间隙波导毫米波环形耦合器,属于电气领域,具体为:构建三层介质,最底层为下表面涂了金属铜的PMC层,该层内周期排列若干金属过孔,上边紧顶圆形金属贴片,下边与金属铜相连,组成蘑菇型EBG阵列;中间层为一层介质板;最上层为间隙层,下表面印刷有混合环耦合微带线,上表面涂了一层金属铜;微带线包括四节微带线作为端口,以及七节微带线组成两段式混合环;通过对不同端口进行激励,两段式混合环结构使得带宽增强到50%;三层介质板中最上层的金属铜以及最下层的蘑菇型EBG阵列形成基片间隙波导,工作频段分布在24GHz至40GHz,覆盖大部分的5G毫米波频段。本发明传输损耗低,结构紧凑,易于加工集成。
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公开(公告)号:CN113131112B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN202110435942.2
申请日:2021-04-22
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请实施例提供了一种内嵌SIR枝节的小型化带通LTCC滤波器,包括:第一端口、第一耦合微带线和第一SIR枝节;第一耦合微带线包括第一子微带线和第二子微带线;第一子微带线和第二子微带线位于不同结构层,且第一子微带线和第二子微带线垂直耦合;第二端口、第二耦合微带线和第二SIR枝节;第二耦合微带线包括第三子微带线和第四子微带线;第三子微带线和第四子微带线位于不同结构层,且第三子微带线和第四子微带线垂直耦合;第二SIR枝节包括第三枝节微带线和第四枝节微带线;第二子微带线通过信号通孔连接第四子微带线;第一接地端口和第二接地端口均通过信号通孔连接接地导体层。解决带通滤波器芯片集成度低的技术问题。
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公开(公告)号:CN107819176B
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN201610838606.1
申请日:2016-09-14
IPC: H01P1/213
Abstract: 本发明公开了一种双频耦合器和宽带的双频耦合器,属于多频耦合器领域。其中双频耦合器和宽带的双频耦合器是由一节或多节对称阶梯阻抗平行耦合线构成。所述对称阶梯阻抗平行耦合线是由三段平行耦合线级联而成的;其中首段和末段具有相同的电长度和奇偶模特性阻抗,中段具有不同的奇偶模特性阻抗,中段的电长度可以等于或不等于首段的电长度,并且三段总电长度在较低的工作频段处小于等于四分之一波长。基于对称阶梯阻抗平行耦合线的双频耦合器和宽带的双频耦合器实现了频率比可调,且易于获得较大的频率比;任意耦合系数,较小的体积,同时该结构易于级联和实现宽带特性并且在低频带中获得了多倍频带宽。
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公开(公告)号:CN111162381B
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN202010004256.5
申请日:2020-01-03
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双频八单元MIMO终端天线,属于通信领域。该天线包括介质板和介质基板;介质板侧壁内层上印刷有八个单层结构的辐射单元,辐射单元为倒F天线的变型,包括六节微带线。枝节1微带线,枝节2微带线与枝节4微带线主要影响低频覆盖,其他条件不变时,调节枝节1微带线或枝节2微带线的长度能改变天线的低频段覆盖频率。枝节3微带线主要影响高频覆盖,其他条件不变时,调节枝节3的长度能改变天线的高频段覆盖频率;枝节5微带线与枝节6微带线起接地作用;同时通过空间分集的方法提高隔离度,使全频段隔离度高于10dB。本发明占用空间小,可以同时覆盖3250MHz‑3800MHz与4750‑5080MHz频段,双频覆盖且频段较宽,全频段隔离度优于10dB,满足国内5G通信的需求。
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公开(公告)号:CN112909461B
公开(公告)日:2021-08-03
申请号:CN202110094584.3
申请日:2021-01-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种互补双工结构全频段吸收双频带通滤波器,属于电气领域;整体结构由双频带通滤波结构和左右对称的互补双频带阻吸收支路组成;双频带通滤波结构包括耦合线c以及与其连接的微带线s1;微带线s1分别连接左右互补双频带阻吸收支路,同时也与输入端口和输出端口相连;互补双频带阻吸收支路包括吸收枝节和阶梯阻抗开路枝节;阶梯阻抗开路枝节包括串联的微带线s3和s4;吸收枝节包括串联的微带线s5和接地电阻R1;当信号从第一端口输入时,带内信号通过双频带通滤波结构传输至输出端口,带外信号通过互补双频带阻吸收支路吸收,经耗能元件电阻将电流转化为能量消散。本发明避免无用信号反射到与之连接的设备中,对通信系统的性能造成干扰。
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公开(公告)号:CN111600103B
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN202010448107.8
申请日:2020-05-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于印制脊间隙波导的滤波器,其特征在于,包括:接地层113、介质基板114、空气层板115和金属平行板116;其中:介质基板114包括滤波器微带线结构117和蘑菇床阵列118,蘑菇床阵列118包括多个金属单元121,介质基板114位于接地层113和空气层板115之间;接地层113包括输入端口111和输出端口112,输入端口111通过穿过介质基板114的馈电导体与金属平行板116相连,输出端口112通过穿过介质基板114的馈电导体与金属平行板116相连;空气层板115为具有预设形状通孔的基板,空气层板115位于金属平行板116和介质基板114之间。
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