一种三模冗余防护结构FPGA单粒子翻转失效概率的评估方法

    公开(公告)号:CN104462658A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410638260.1

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种三模冗余防护结构FPGA单粒子翻转失效概率的评估方法,根据FPGA器件中划分的功能模块,将待评估的FPGA器件划分成多组,每个组包括三个具有相同比特位数的单元,由此模拟三模冗余防护结构,分别计算器件的单粒子本征翻转率和无防护时的失效率,最后得到带有三模冗余防护结构的失效概率,为抗单粒子效应的评估提供一套实用的理论方法,同时得到的失效概率能够真实反映三模冗余防护结果抗单粒子翻转性能。

    一种三模冗余防护结构FPGA单粒子翻转失效概率的评估方法

    公开(公告)号:CN104462658B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201410638260.1

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种三模冗余防护结构FPGA单粒子翻转失效概率的评估方法,根据FPGA器件中划分的功能模块,将待评估的FPGA器件划分成多组,每个组包括三个具有相同比特位数的单元,由此模拟三模冗余防护结构,分别计算器件的单粒子本征翻转率和无防护时的失效率,最后得到带有三模冗余防护结构的失效概率,为抗单粒子效应的评估提供一套实用的理论方法,同时得到的失效概率能够真实反映三模冗余防护结果抗单粒子翻转性能。

    一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法

    公开(公告)号:CN104881519B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510217843.1

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法,结合空间重离子与SRAM器件的物理相互作用过程,建立理论模型。通过电路仿真的形式,获得SRAM器件电信号故障模式的响应结果,能够分析不同重离子类型、不同粒子入射倾角等条件下器件能否发生单粒子翻转效应。本发明方法不需要地面重离子试验,仅仅通过电路仿真的形式即可判定在空间辐射环境下,不同条件下的粒子能否引起电路发生单粒子翻转,判别方法直观简便。

    一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法

    公开(公告)号:CN104881519A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510217843.1

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 一种基于电路仿真的单粒子翻转效应判别方法,结合空间重离子与SRAM器件的物理相互作用过程,建立理论模型。通过电路仿真的形式,获得SRAM器件电信号故障模式的响应结果,能够分析不同重离子类型、不同粒子入射倾角等条件下器件能否发生单粒子翻转效应。本发明方法不需要地面重离子试验,仅仅通过电路仿真的形式即可判定在空间辐射环境下,不同条件下的粒子能否引起电路发生单粒子翻转,判别方法直观简便。

    一种确定元器件单粒子效应试验中的重离子LET值的方法

    公开(公告)号:CN104406998A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410637372.5

    申请日:2014-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种确定元器件单粒子效应试验中的重离子LET值的方法,该方法屏蔽层数目不受限制,适应现代器件工艺条件下,金属布线层逐渐增多带来的屏蔽层数目超过8层的问题;可直接得到重离子经过多层屏蔽后在硅材料中的LET值,由于目前主流半导体工艺是基于硅衬底的,单粒子试验中的LET值均指重离子在硅中的LET值,直接输出该结果可避免非粒子物理专业试验人员错误计算LET值,确保了试验参数的正确性。

    一种系统级单粒子效应影响表征参数的评价方法

    公开(公告)号:CN105893664B

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201610192270.6

    申请日:2016-03-30

    Abstract: 本发明公开了一种系统级单粒子效应影响表征参数及评价方法:根据系统功能分析,建立以元器件为底事件的系统功能模型,结合元器件单粒子敏感性分析,建立系统单粒子效应影响功能模型;基于单粒子效应试验数据,计算分析敏感元器件的单粒子事件率,采用故障注入、重离子辐照试验法或系统历史数据分析方法确定系统各层次间单粒子效应影响传递因子;基于单粒子事件的叠加性原理,计算系统单粒子事件率;结合单粒子效应影响中断时间,计算系统单粒子效应危害度和可用性。本发明采用定量的方法表征单粒子效应对系统的影响,并评价系统单粒子效应的影响后果,该方法可用于指导系统级单粒子效应风险的量化控制。

    一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法

    公开(公告)号:CN104732031B

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201510145019.X

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,步骤如下:确定质子能量;确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度;确定器件敏感区的材料和厚度;分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱;将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱;计算器件在质子辐照下的翻转截面。本发明考虑了器件金属布线层、氧化层中核反应的影响,使得该方法更适合现代工艺条件下的器件,使得器件对质子影响的计算更加准确,可靠性大大增强。

    一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法

    公开(公告)号:CN105866573A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610183676.8

    申请日:2016-03-28

    CPC classification number: G01R31/00

    Abstract: 本发明一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法,涉及一种基于加速器试验数据的系统单粒子防护效果验证的重离子和质子等效试验验证领域;包括:(1)采用基于LET值确定的地面加速器重离子试验;(2)分析质子静态翻转截面;(3)分析系统在任意工作模式下的敏感位因子;(4)分析系统在重离子辐照下的动态翻转截面;(5)分析系统在质子辐照下的动态翻转截面;本发明提供一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法,该方法可用于单粒子防护效果验证,解决国内加速器时间紧张以及难以实现高能质子试验的问题。

    一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法

    公开(公告)号:CN104732031A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201510145019.X

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,步骤如下:确定质子能量;确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度;确定器件敏感区的材料和厚度;分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱;将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱;计算器件在质子辐照下的翻转截面。本发明考虑了器件金属布线层、氧化层中核反应的影响,使得该方法更适合现代工艺条件下的器件,使得器件对质子影响的计算更加准确,可靠性大大增强。

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