公开(公告)号：CN119530754A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411681576.9

申请日：2024-11-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  朱棋 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  孙嘉彬 ,  刘欢 ,  钟雪亮 ,  殷君豪 ,  袁政 ,  翁帆 ,  张玉龙 ,  申奥

IPC: C23C16/30 ,  B32B15/01 ,  B32B15/20 ,  B32B33/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B38/00

Abstract: 本发明公开了一种高导电二硫化钼铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决二硫化钼铜复合材料制备过程中二硫化钼层状均匀分散的问题，本发明包括有以下步骤：S1：在铜箔的两侧表面上分别沉积多层二硫化钼，以形成单元材料二硫化钼包覆铜箔；S2：将不少于两块的步骤S1中生成的所述二硫化钼包覆铜箔置于热压腔室内的热压模具中，利用叠层热压工艺，将多块所述二硫化钼包覆铜箔热压成型，以制得高导电二硫化钼铜复合材料。

公开(公告)号：CN119170344A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411254040.9

申请日：2024-09-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  钟雪亮 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  孙嘉彬 ,  刘欢 ,  朱棋 ,  殷君豪 ,  袁政

IPC: H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于原位共沉积法制备高导电石墨烯铜复合材料的方法，涉及铜基复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决现有制备石墨烯铜复合材料的方法难以提升电导率的问题，本发明包括有以下步骤：S1：采用原位共沉积法制备高导电石墨烯铜复合箔片；S2：将多片所述步骤S1中制得的高导电石墨烯铜复合箔片叠层热压，进而制备出高导电的石墨烯铜复合材料。