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公开(公告)号:CN102353690A
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN201110192697.3
申请日:2011-07-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N23/22 , G01N23/20 , G01N23/203
Abstract: 本发明一种辨别热轧TRIP钢中贝氏体和计算其三相比例的方法。这种方法利用扫描电镜上配备的电子背散射衍射装置对热轧TRIP钢的FCC相(残余奥氏体)及BCC相(铁素体+贝氏体)进行定量测量,并对EBSD花样数据作处理,利用小角度晶界的添加将贝氏体组织从BCC相中区别出来。用ImageTool软件对热轧TRIP钢的三相组织相区分图进行统计计算,得出铁素体的含量,最终确定热轧TRIP钢中残余奥氏体、铁素体、贝氏体三相的比例。本发明的有益效果是:相组织标定准确,便于计算各相组织,使用EBSD技术所获得的取向信息还可以根据自身研究需要来做各种数据处理,因此研究人员并没有增加额外的工作就准确的标定了控轧控冷多相组织钢中的各相组织。
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公开(公告)号:CN111157448A
公开(公告)日:2020-05-15
申请号:CN202010010273.X
申请日:2020-01-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种新型定量表征氧化铁皮与钢基体结合力的方法,涉及金属材料表面测量技术领域,能够定量地准确判定氧化层与基体结合力的大小,为氧化铁皮与基体结合力的表征提供依据;该方法步骤包括:S1、制备表面带有氧化铁皮的钢试样;S2、对所述钢试样进行打磨,仅保留待检测面的氧化铁皮;S3、采用金刚石划针在氧化铁皮表面进行刻划直至发生破裂,记录破裂时的临界载荷Lc作为结合力的值;结合显微分析的同时,以刻划过程中声信号突变或摩擦力突变时对应的载荷作为临界载荷Lc。本发明提供的技术方案适用于氧化铁皮与基体结合力表征的过程中。
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公开(公告)号:CN109112409B
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201811131983.7
申请日:2018-09-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种低屈强比薄规格F+P钢板控轧控冷生产工艺,属于轧钢领域。采用添加少量硅、铜、镍、铬的成份设计,对坯料进行两阶段控轧。再结晶区轧制,在较高温度下对奥氏体再结晶区大压下的反复轧制获得较小的奥氏体晶粒;未再结晶区轧制,在未再结晶区的充分变形,有利于提高有效应变累积的百分数,促进铁素体形核、增强相变驱动力,获得均匀细小的“铁素体+珠光体”组织。缓冷冷却采用6~15℃/s的冷却速度,始冷温度控制在Ar1以上15℃~35℃,快冷冷速为15‑25℃/s,返红温度在620℃~670℃范围内。冷却后的轧件尽快下线空冷至室温。最终得到均匀的铁素体和珠光体组织,“铁素体+珠光体”的微区硬度差在14以上,最终产品的屈强比(<0.73)。
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公开(公告)号:CN109755148B
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201811565080.X
申请日:2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于InP、GaN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法,属于材料检测技术领域。该方法包括以下步骤:在试样表面转移石墨烯;将试样放置于二次离子质谱仪的样品腔室内,并抽真空;从试样溅射出二次离子;调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数;收集所述二次离子;对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度分布图像;根据质谱图和二次离子深度分布图像获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案的可检测的痕量杂质元素种类多,体浓度检测极限可以达到ppb级,杂质元素测试精度可达10%以下,杂质元素分布的分辨率<10nm。
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公开(公告)号:CN109755148A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201811565080.X
申请日:2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于InP、GaN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法,属于材料检测技术领域。该方法包括以下步骤:在试样表面转移石墨烯;将试样放置于二次离子质谱仪的样品腔室内,并抽真空;从试样溅射出二次离子;调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数;收集所述二次离子;对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度分布图像;根据质谱图和二次离子深度分布图像获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案的可检测的痕量杂质元素种类多,体浓度检测极限可以达到ppb级,杂质元素测试精度可达10%以下,杂质元素分布的分辨率<10nm。
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公开(公告)号:CN109580688B
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201811565087.1
申请日:2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及材料检测技术领域,提供了一种用于GaN中痕量杂质元素浓度及分布的高精度检测方法,包括:制备样品,样品包括M个测试区域,不同的测试区域的GaN的厚度不同,使用入射电子束入射至样品的第1个测试区域,使入射电子束中的电子发生弹性散射和非弹性散射,获取电子能量损失谱,根据电子能量损失谱分析第1个测试区域内的杂质原子的种类以及杂质原子的数量;按照相同的方式分析第2~M个测试区域;根据第1~M个测试区域内的杂质原子的数量,得到样品中痕量杂质元素的深度纵向分布。本发明能够对半导体GaN中的痕量杂质元素的种类和浓度进行高精度检测,体浓度检测极限可以达到ppb级,杂质元素测试精度可达10%。
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公开(公告)号:CN109632925A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201811578076.7
申请日:2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种用于AlN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法,属于材料检测技术领域。该方法包括:在试样表面转移石墨烯;将转移石墨烯的试样放置于二次离子质谱仪的样品室内,并抽真空;向样品室内通入氧气;从试样溅射出二次离子;调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数;收集所述二次离子;对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度剖析图;获得试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案能够对AlN中痕量杂质元素浓度及分布进行高精度检测,可检测的痕量杂质元素种类多,体浓度检测极限达到ppb级,杂质元素测试精度可达10%以下,杂质元素分布的分辨率<10nm。
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公开(公告)号:CN109580688A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811565087.1
申请日:2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及材料检测技术领域,提供了一种用于GaN中痕量杂质元素浓度及分布的高精度检测方法,包括:制备样品,样品包括M个测试区域,不同的测试区域的GaN的厚度不同,使用入射电子束入射至样品的第1个测试区域,使入射电子束中的电子发生弹性散射和非弹性散射,获取电子能量损失谱,根据电子能量损失谱分析第1个测试区域内的杂质原子的种类以及杂质原子的数量;按照相同的方式分析第2~M个测试区域;根据第1~M个测试区域内的杂质原子的数量,得到样品中痕量杂质元素的深度纵向分布。本发明能够对半导体GaN中的痕量杂质元素的种类和浓度进行高精度检测,体浓度检测极限可以达到ppb级,杂质元素测试精度可达10%。
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公开(公告)号:CN104328259B
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:CN201410538252.X
申请日:2014-10-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种GCr15高碳铬轴承钢在线快速球化退火工艺,属材料工程领域。所述GCr15轴承钢按质量比组成为:C:0.95~1.05%,Cr:1.30~1.65%,Mn:0.20~0.40%,Si:0.15~0.35%,S≤0.015%,P≤0.02%,余量为Fe。工艺步骤如下:随炉升温至1150~1250℃保温;快速降温至920~960℃的范围内施加应力发生40~60%压缩变形;接着快速降温至740~780℃,发生30~50%压缩变形;再以0.3~0.5℃/s的冷速缓慢冷却至500~600℃范围;最后快冷至室温。本发明工艺简单,热变形后,组织为铁素体基体上弥散分布着细小、均匀的球状碳化物,适合于后续的加工,为最终的淬火+回火做好组织准备。
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公开(公告)号:CN104561812B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201410827950.1
申请日:2014-12-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于汽车用冷轧高铝热镀锌超高强钢板技术领域,涉及一种抗拉强度1000MPa级汽车用高铝热镀锌双相钢及其制备方法,化学成分质量百分数为:C:0.10%~0.18%、Mn:1.4%~1.9%、Cr:0.20%~0.60%、Mo:0.10%~0.40%、Si:≤0.050%、Al:0.50%~0.90%、S:≤0.0030%、P:≤0.0090%、N:≤0.0050%;其余为铁和不可避免的杂质元素。本发明采用以Al代替Si,从而避免Si由于在钢板表面富集氧化导致的漏镀等镀锌缺陷。同时通过添加Mn、Cr、Mo来提高钢的强度和韧性,使得钢具有良好的强韧性配比和使用性,强度级别可以达到1000MPa以上。
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