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公开(公告)号：CN101538062A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910082124.8
申请日：2009-04-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得所需要的产物。在两次溶液法生长过程中可以对ZnO进行掺杂，实现ZnO半导体结的阵列化，且能实现在单个ZnO微米柱上生长纳米ZnO阵列。本方法不仅能够实现ZnO同质结阵列的生长，也可用来生长ZnO异质结阵列，且生长温度低，设备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN101070614A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710099799.4
申请日：2007-05-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: C30B29/16 , C30B25/02 , B82B3/00 , H01L21/365
Abstract: 一种单晶氧化锌纳米柱阵列及其制备方法，属于氧化物半导体纳米材料技术领域。ZnO纳米柱阵列为六方纤维锌矿结构。工艺为：将硅片分别在丙酮和酒精中超声清洗25～30min，并用去离子水冲洗干净；然后在硅片上蒸镀一层0.5～2nm厚的金催化剂薄膜；将高纯Zn粉作为蒸发源放在石英舟中，镀有金膜的硅衬底斜放在距蒸发源7～9mm处；将石英舟放置在水平管式炉中，充入流量为150～200标准毫升/分钟的氩气作为保护气氛；将管式炉升温至470～520℃，蒸发150～200min后，硅片表面的灰白色沉积物为ZnO纳米柱阵列。优点在于，制备出的ZnO纳米柱阵列的取向性非常高，纳米柱为单晶，设备简单，原料廉价，工艺简单易行，成本很低，产率高。
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公开(公告)号：CN1908250A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610088915.8
申请日：2006-07-26
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 常永勤
Abstract: 一种制备室温铁磁性Zn1－xMnxO纳米线的方法，属于稀磁半导体纳米材料制备领域。工艺为：将硅片分别采用HCl和丙酮清洗干净；将Zn粉和MnCl2粉末作为蒸发源，相邻放置在石英舟中，硅片作为接收衬底，垂直放在两种蒸发源的交界处，硅片与蒸发源的垂直距离为6～8mm；将石英舟放入管式炉中，系统入口处通入气体，气体在出口处用橡胶管导入水中；系统通入300～400毫升/分钟的氩气，5～8min后将氩气流量改为30～50毫升/分钟；将管式炉加热到800～830℃，系统压强维持在大气压状态，保温120～150min后自然冷却至室温，得到大面积分布均匀的Zn1－xMnxO纳米线。优点在于：制备的Zn1－xMnxO纳米线具有很强的铁磁性，居里温度高于室温。
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公开(公告)号：CN109518021B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201811354506.7
申请日：2018-11-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高强度铁钴镍合金的制备方法，涉及高强度合金材料制备领域。本发明首先按照一定质量比称取一定铁粉、钴粉、镍粉，随后将以上粉末混合并在惰性气体保护下进行球磨，实现合金化，然后再将合金化粉末通过放电等离子烧结或热等静压烧结进行烧结成型，对烧结后的样品进行热轧或热挤压，最后通过热处理去除应力并均匀化组织，最终得到高强度铁钴镍合金。本发明制备的铁钴镍合金组织均匀，晶粒平均粒径在300nm左右，强度超过700Mpa，优于熔炼方法制备的铁钴镍合金。
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公开(公告)号：CN108866418B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201810588877.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化物弥散强化铁钴镍中熵合金的制备方法，弥散强化相为氧化钇。以六水合三氯化铁作为铁源，以六水合氯化钴作为钴源，以六水合氯化镍作为镍源，以六水合硝酸钇作为钇源，以氢氧化钠稀溶液作为沉淀剂，使铁、钴、镍、钇离子生成相应的氢氧化物共沉淀。随后将得到的沉淀物进行洗涤、干燥、煅烧，使沉淀物中的氢氧化铁、氢氧化钴、氢氧化镍和氢氧化钇分解成相应的氧化物。将煅烧完毕后的氧化物粉末在氢气气氛下高温还原，由于氧化钇无法被还原，所以最终得到铁、钴、镍和氧化钇的混合物粉末。将得到的粉末进行烧结，得到氧化物弥散强化铁钴镍中熵合金。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108251671B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201810014534.8
申请日：2018-01-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种掺杂氧化石墨烯增强ODS铜的制备方法，属于铜基复合材料制备技术领域。以雾化的Cu‑Al合金粉作为原料，向其中掺杂氧化石墨烯引入氧，与基体中的Al扩散结合形成Al2O3纳米粒子均匀分散在基体中，同时失去含氧官能团的石墨烯作为第二增强相分散在基体中，结合粉末冶金技术及后续塑性加工获得致密、强度高、加工性能优良的石墨烯增强ODS铜复合材料。本发明技术在提高铜基复合材料强度的同时又保证了其传导性能，石墨烯的加入也改善了传统ODS铜难加工的问题，适合大批量工业化生产。
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公开(公告)号：CN109518021A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811354506.7
申请日：2018-11-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高强度铁钴镍合金的制备方法，涉及高强度合金材料制备领域。本发明首先按照一定质量比称取一定铁粉、钴粉、镍粉，随后将以上粉末混合并在惰性气体保护下进行球磨，实现合金化，然后再将合金化粉末通过放电等离子烧结或热等静压烧结进行烧结成型，对烧结后的样品进行热轧或热挤压，最后通过热处理去除应力并均匀化组织，最终得到高强度铁钴镍合金。本发明制备的铁钴镍合金组织均匀，晶粒平均粒径在300nm左右，强度超过700Mpa，优于熔炼方法制备的铁钴镍合金。
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公开(公告)号：CN104528822B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410816703.1
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法，属于纳米晶薄膜材料制备技术领域。本发明以氧氯化锆为锆源，硝酸钇为掺杂剂，草酸为沉淀剂，来制备8％摩尔钇掺杂的稳定立方相氧化锆溶胶(记作8YSZ)。溶胶的制备过程均在室温下进行，使得操作更为简便。用单晶Si片作为衬底，结合旋转涂膜，然后退火处理的方法，制备出了立方相的ZrO2薄膜。薄膜表面平整无裂纹，在相对较低的热处理温度下就可以获得纯的立方相，并且薄膜的晶粒非常小，而且分布均匀。
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公开(公告)号：CN102225871B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110099863.5
申请日：2011-04-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，属于光电子信息功能材料领域，涉及一种掺杂ZnO纳米材料的制备技术。本发明采用化学气相沉积的方法，通过Sn的催化，在镀有金膜的硅片上获得大量Ga掺杂ZnO纳米线，纳米线的直径约25~90nm，长度为10~20μm。Ga的掺杂含量为0.5~15at.％，Sn的含量为0.5~6at.%。本发明通过控制Sn的含量，在有效改善ZnO形貌的同时，又保证了Ga掺杂ZnO纳米线的发光性能，扩大了ZnO原有领域的应用范围；由于采用的气流量比较小，生长时间相对比较短，其操作简单，成本低，效率高，并且对环境无污染。
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公开(公告)号：CN101554993B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910084730.3
申请日：2009-05-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备主相为NaZn13型结构的大磁熵材料氢化物的方法，属于磁制冷材料技术领域，其特征在于：将具有变磁转变的主相为NaZn13型结构的大磁熵材料在低于一个大气压的热处理气氛中进行氢气气氛热处理，使得氢原子进入材料的间隙占据间隙位置，形成主相为NaZn13型结构的大磁熵材料氢化物，在磁场变化为1T下，磁熵随温度变化的曲线上，最大磁熵变化值大于3J/Kg.K；最大磁熵变化值的一半对应的温度宽度ΔT乘以最大磁熵变化值大于60J/kg。由于氢原子在低压的条件下进入材料的间隙，使得在低场下同时具有大的磁熵变和宽的温度范围ΔT，并且降低了磁制冷材料在磁制冷循环中的损耗。
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