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公开(公告)号：CN106784279B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611195895.4
申请日：2016-12-22
Applicant: 北京科技大学 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 一种制备高性能掺杂型钛酸锶钙钛矿氧化物热电薄膜的方法。本发明通过控制等离子体性质以及衬底条件，实现掺杂型钛酸锶薄膜材料在与之晶格体结构相同且参数失配的氧化物单晶衬底表面的外延共格生长，并产生界面应力场。通过薄膜材料中的应力场与材料晶格畸变程度调节薄膜材料晶体结构性质、电子结构性质、极化特性、以及薄膜与衬底间界面性质，从而实现对材料电导率与赛贝克系数等热电传输性能的大幅同时提高。所制备的掺杂型钛酸锶薄膜材料的室温热电功率因子在50‑10000μW/(cm*K2)。本方法所制备的高性能掺杂型钛酸锶薄膜材料可以进一步应用于热电器件的设计与制备，从而大幅提高所制备热电器件在实现温差发电、制冷、温度传感等功能时的热能电能转换效率。
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公开(公告)号：CN109778315A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910002918.2
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种自支撑稀土镍基钙钛矿无衬底薄膜的制备方法。通过利用可溶解的碱金属卤化物作为晶种与衬底层,在碱金属卤化物表面生长处于热力学亚稳态的稀土镍基钙钛矿薄膜前驱体并通过适当的热处理过程使其结晶；进一步通过含有羟基的溶剂将碱金属卤化物溶解从而实现其与稀土镍基钙钛矿薄膜材料的分离。利用本发明方法所制备薄膜可通过剪裁等直接加工方法制备出器件所需的形状，并转移到器件所需的位置，从而更好地满足电子器件、能源器件、探测器件等制备需求。所制备薄膜材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，热敏电阻特性，以及质子导体特性。该技术在制备功能电子器件、传感器、燃料电池、热敏电阻、红外探测敏感材料等方面具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN109297608A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811095654.1
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于掺杂钛酸锶基氧化物的微区热扰动双向锁定探测方法。该发明结合掺杂钛酸锶材料的高电阻温度系数(TCR)与高热电赛贝克系数两个特点，在对微区热扰动的探测中，同时测量以下两个物理量：1)由热扰动引起的掺杂钛酸锶热敏电阻阻值的改变；2)由热扰动引起微小温差下引起的赛贝克电压。通过利用该两个物理量改变量的综合表征与判断结合数学上的交叉验证从而实现对热扰动信号的精准锁定与探测。该方法可实现对微小热扰动信号的精准探测，在红外探测、微测辐射热、温度探测与传感方面具有可观的应用价值与宽广的应用前景。
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公开(公告)号：CN109269662A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811096534.3
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种应用于红外信号探测的稀土镍基钙钛矿氧化物热敏电阻材料，属于红外探测领域。利用具有高电阻温度系数的稀土镍基钙钛矿氧化物绝缘体相(或半导体相)作为红外探测技术中的热敏电阻材料；通过调节稀土镍基钙钛矿氧化物材料中稀土元素的种类、稀土镍基材料所受应力、稀土镍基材料中稀土元素与镍元素及氧元素的化学计量比等方法对稀土镍基钙钛矿氧化物热敏电阻的金属绝缘体相转变温度进行调节，从而实现对红外探测温度范围的调节；通过稀土镍基钙钛矿氧化物与不同载体材料的结合与集成实现器件制备，从而实现在10K-500K温度范围内实现对红外信号的探测。本发明在红外探测、微测辐射热、温度探测与传感方面具有可观的应用价值与宽广的应用前景。
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公开(公告)号：CN106480413A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611141905.6
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种稀土镍基氧化物多晶薄膜材料的制备方法，属于无机非金属薄膜材料领域，本发明是在衬底材料表面生长具有与稀土镍基钙钛矿氧化物材料晶格参数相近的氧化物材料缓冲层；在缓冲层表面进一步利用真空沉积法沉积稀土镍基钙钛矿氧化物薄膜。所述稀土镍基钙钛矿氧化物材料的晶体结构为ABO3的钙钛矿结构ReNiO3：Re位为单一稀土元素或多种稀土元素的组合；所述缓冲层材料的组分优选：锶铷氧、钛酸锶、镧掺杂钛酸锶、钕掺杂钛酸锶、钛酸钡、钛酸钙。本发明提供了一种简便高效制备稀土镍基钙钛矿氧化物多晶薄膜材料的方法，所制备的薄膜材料具有优异的温致与氢致性能，可以进一步应用于功能电子器件、燃料电池、红外探测器件等领域。
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公开(公告)号：CN102129863B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010608783.3
申请日：2010-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种通过电场方式调节磁电阻的自旋阀结构，其特征在于：以多铁性材料取代传统自旋阀中的反铁磁层，制备出多铁性反铁磁层\钉扎层\非磁层\自由层的自旋阀结构，通过反铁磁层来对整个自旋阀的磁电阻进行调控。本发明还公开了上述结构的制备工艺。本发明的优点在于：传统自旋阀的调节方式为通过外磁场改变自由层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，而我们的自旋阀则利用多铁性材料的磁电耦合效应，通过施加外电压改变电域方向进而改变其磁域方向，来影响钉扎层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，即可被电场读写的磁性自旋阀。
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公开(公告)号：CN101752051A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010119180.7
申请日：2010-03-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01F10/10
Abstract: 一种垂直磁各向异性多层膜[Ni(x)/Co2MZ(y)]n，其易磁化轴方向垂直于薄膜平面，属于磁性材料领域。其特征在于：Co2MZ为L21、B2或A2结构的半金属Heusler合金组分，M为Fe、Cr、Mn等元素，Z为Al、Si、Ge、B等元素，各层膜厚度x、y为0.6nm＜x＜20nm，0.4nm＜y＜5nm，[Ni(x)/Co2MZ(y)]周期结构的重复数目为2＜n＜20。本发明的优点在于：该薄膜具有高垂直磁各向异性场，可以通过控制Ni层与Co2MZ层的厚度调节矫顽力，并显著低于传统垂直磁各向异性膜的矫顽力，因此它可以用作垂直自旋阀或磁隧道结中的铁磁层，应用时能够克服小尺寸下的磁卷缩和涡旋磁畴结构，且矫顽力可调，能够满足超高灵敏度和存储密度的磁传感器或存储器的使用要求。
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公开(公告)号：CN101276879B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810103181.5
申请日：2008-04-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，属于磁随机存储技术领域，所提供的双自由层垂直铁磁性隧道结(MTJ)结构的最底层为底电极层，从底往上依次为反铁磁层、钉扎层、为绝缘层、第1自由层、第2自由层、顶电极层。第1自由层和第2自由层构成双自由层结构。所述钉扎层和第1自由层为磁各向异性易轴垂直膜面材料，第2自由层为各向异性值大于35KA/m的面内磁各向异性材料。这种结构具有低写入电流特性，可实现超高存储密度，将被广泛应用到新型磁传感器或磁随机存储器件等器件中。
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公开(公告)号：CN100438115C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410009937.1
申请日：2004-12-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结及其制备方法。磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成磁性隧道结。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌层和绝缘层的组合，大幅度地提高隧道结在室温下的磁电阻效应。
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