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公开(公告)号：CN116844989B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311127742.6
申请日：2023-09-04
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片领域，公开了一种MAP生成方法、芯片失效原因的识别方法及系统。所述MAP生成方法包括：基于第一测试厂对晶圆的最后一个测试流程的测试结果，生成所述晶圆的第一MAP，其中，所述第一MAP包括：表征测试通过的第一标志，以及表征测试未通过的第二标志；基于第二测试厂对所述晶圆的第一个测试流程的测试结果，生成第二MAP；以及基于预设合并规则合并所述第一MAP与所述第二MAP，以获取目标MAP，其中，所述基于预设合并规则合并所述第一MAP与所述第二MAP包括：在所述第一MAP中的第一芯片的标志为所述第二标志的情况下，将所述第一芯片标注为特定标志。本发明可有效避免失效芯片被错误归类的情况，从而提升测试数据分析的准确性。
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公开(公告)号：CN116844989A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311127742.6
申请日：2023-09-04
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片领域，公开了一种MAP生成方法、芯片失效原因的识别方法及系统。所述MAP生成方法包括：基于第一测试厂对晶圆的最后一个测试流程的测试结果，生成所述晶圆的第一MAP，其中，所述第一MAP包括：表征测试通过的第一标志，以及表征测试未通过的第二标志；基于第二测试厂对所述晶圆的第一个测试流程的测试结果，生成第二MAP；以及基于预设合并规则合并所述第一MAP与所述第二MAP，以获取目标MAP，其中，所述基于预设合并规则合并所述第一MAP与所述第二MAP包括：在所述第一MAP中的第一芯片的标志为所述第二标志的情况下，将所述第一芯片标注为特定标志。本发明可有效避免失效芯片被错误归类的情况，从而提升测试数据分析的准确性。
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公开(公告)号：CN109147862A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811003043.X
申请日：2018-08-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种NVM测试加速方法及系统，该NVM测试加速方法包括如下步骤：通过测试命令打入第一NVM操作指令，其中，第一NVM操作指令包括数据和地址信息；对第一NVM操作指令进行解码和处理以提取出数据和地址信息；基于第一NVM操作指令，产生满足NVM存储器擦、写以及读操作时序信息的第一控制信号，其中，基于第一NVM操作指令，第一控制信号被选择为并行控制多个NVM存储器；基于第一控制信号，并根据数据和地址，进行NVM存储器的对应操作并生成输出数据；以及基于第一NVM操作指令，对输出数据进行比较处理，并输出代表比较结果的失败信号。本发明的NVM测试加速方法能够大幅降低测试时间，从而降低测试成本，并显著提升测试效率。
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公开(公告)号：CN108345752A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810157646.9
申请日：2018-02-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法。该方法是在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估。所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。所述晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法的测试时间短，效率高，而且可实现大量同测，便于数据收集统计分析。
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公开(公告)号：CN118746319A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410747504.3
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明实施例提供一种旋转变压器的相位补偿方法、装置及芯片，属于芯片技术领域。所述方法包括：S1，获取旋转变压器的激励信号以及关联于反馈信号的合成信号；S2，将所述激励信号与所述合成信号相乘，以得到相应的乘积信号；S3，对所述乘积信号进行基于一个周期的积分处理，以得到相应的积分值；以及S4，将所述当前激励调整角度调整为基于预设步长的下一激励调整角度，并重复执行上述步骤至遍历全部激励调整角度，以确定最大积分值，并将所述最大积分值对应的激励调整角度确定为最佳相位补偿角度。本发明实施例不需要利用MCU，且通过遍历激励调整角度和周期性积分处理，实现了针对相位补偿的全周期覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115863310A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211194240.0
申请日：2022-09-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种多芯片封装结构、多芯片封装结构的制造方法，所述多芯片封装结构包括：第一芯片单元、第二芯片单元、基板以及互联桥；基板，位于第一芯片单元和第二芯片单元的下方，与第一芯片单元和第二芯片单元连接；互联桥，位于第一芯片单元和第二芯片单元的上方，互联桥的一端与第一芯片单元电连接，互联桥的另一端与所述第二芯片单元电连接。该多芯片封装结构无需在基板上挖腔以嵌入硅桥，可以通过设置在两个芯片单元的上表面的互联桥，以电连接两个芯片单元，实现多个芯片的互连，从而使得多芯片封装结构的制造工艺的难度降低，进而降低了该多芯片封装结构的制造成本。
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公开(公告)号：CN115728622A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211419682.0
申请日：2022-11-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/28 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片的修调测试方法、控制装置、存储介质及修调测试机，属于芯片技术领域。所述修调测试方法包括：根据量产测试中芯片的实际修调值，构建修调输入集和修调输出集；根据反向误差神经网络算法，构建修调模型；根据所述修调输入集和所述修调输出集，训练所述修调模型；基于训练后的修调模型，对芯片进行修调测试。本发明实施例基于大量真实的测试数据来建立BP神经网络修调模型，再将该修调模型运用到同产品其他片晶圆测试中，可以大大节省测试时间、提高修调精度，并改善量产测试效率。
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公开(公告)号：CN114334857A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111364409.8
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，所述芯片封装结构包括堆叠的封装基板和一个或多个芯片单元；每个芯片单元包括一个芯片和一个散热盖，散热盖的一个表面与芯片的一个表面贴合；在至少一个芯片单元中，所述散热盖包裹所述芯片的周边；芯片单元的芯片与所述封装基板电连接。本发明实现了多芯片堆叠封装，提高了芯片的散热性能。
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公开(公告)号：CN114325301A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111368082.1
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明实施例提供一种用于ADC芯片的测试设备及方法，属于芯片测试技术领域。所述设备包括：电源变换模块、运算放大器、以及ATE，所述电源变换模块用于将所述ATE的DPS模块输出的单电源电压变换成满足所述运算放大器的驱动电源需求的双电源电压；所述运算放大器用于对所述ATE输出的第一测试信号进行放大以生成第二测试信号，所述第二测试信号满足被测ADC芯片的输入幅度需求；所述被测ADC芯片对所述第二测试信号进行模数转换并将模数转换后的信号输入至所述ATE；以及所述ATE用于基于所述模数转换后的信号获得并输出所述被测ADC芯片的测试参数。所述技术方案能够实现要求高摆幅输入的ADC芯片的测试。另外，具有成本低、体积小、易于编程控制等优点。
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公开(公告)号：CN108345752B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201810157646.9
申请日：2018-02-24
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法。该方法是在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估。所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。所述晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法的测试时间短，效率高，而且可实现大量同测，便于数据收集统计分析。
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