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公开(公告)号：CN119936132A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510119423.3
申请日：2025-01-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于TGV技术的室温气体探测器结构及制作方法涉及气体传感技术领域，特别是一种基于TGV结构的气体探测器件。本发明提出了一种新型基于通孔结构的气体探测器，该探测器利用通孔内的薄膜作为气体传感层，实现传感功能表面的增大和结构的紧凑性，从而作为微纳气体探测器，并于集成化信号处理模块连接，构建完整的探测器结构。该探测器具有高灵敏度、准确性高，并灵活应用于航空、航天、环境检测及危险环境预警等多种场景。
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公开(公告)号：CN118314228A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410337209.0
申请日：2024-03-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06T11/00 , G06T7/11 , G06T7/136 , G06T5/90 , G06T5/77 , G06F17/11 , G06F16/51 , G06N3/049 , G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种红外遥感背景图像仿真及数据库建立方法，所述方法包括以下步骤：首先分析计算地表与外界环境的热量交换和物体红外辐射对地表温度场建模；其次使用脉冲耦合神经网络分割可见光遥感图像中不同材质区域并制作标签数据；然后根据标签数据计算各部分辐射效应量化辐射亮度以替换标签并输出仿真红外图像；最后通过归一化和细节调制处理对仿真红外图像进行真实度增强，构建红外遥感背景样本库。通过该方法可以基于可见光图像生成各种红外遥感场景，得到的红外仿真数据具有较高的细节和真实度，同时能够不断增加样本数量，能够有效降低获取此类红外数据的成本。
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公开(公告)号：CN111206236B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010024893.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/511 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法。本发明提出采用元素掺杂的方法实现了GaN纳米线制备及其结构与形貌的调控。本发明采用MPCVD系统，以N2为N源，Ga2O3作为Ga源，MgO作为掺杂源，选择合适的还原剂防止氧化，选择合适工艺参数，通过调控Mg：Ga原子比例，可实现所制备的GaN纳米线截面在三方、四方及六方形结构进行调控。通过Mg掺杂调控实现了在常规GaN纳米线制备方法难以获得的四方形GaN纳米线，所制备的纳米线具有良好的结晶质量，在新型的GaN纳米线光电器件上具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113078479A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110403946.2
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于复合硅半球/石墨烯宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料技术领域。该太赫兹超材料吸收器，包括金属反射层、介质层、石墨烯层和硅半球层。所述金属反射层为一层连续的金属薄膜，其厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层位于金属反射层和石墨烯层之间，为聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜；未图案化的石墨烯层之上负载着硅半球层，由复合的半椭球和半圆球周期性排列而成，且每个周期包含旋转对称的四个半椭球和中心的一个半圆球结构。本发明通过合理设计硅半球的几何尺寸以及石墨烯外加电压值，可以实现对垂直入射到超材料表面的电磁波完全吸收的特性。本发明结构简单、无需多层叠加结构，且具有宽频带高吸收的特性。
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公开(公告)号：CN111747383A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010444535.3
申请日：2020-05-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 一种Ruddlesden-Popper层状钙钛矿结构单相铁电光伏材料涉及新型功能材料领域。Ruddlesden-Popper层状钙钛矿结构单相铁电材料其化学式为Sr3Hf2Se7，其晶体结构为正交钙钛矿结构，属于正交晶系，空间群为A21am，晶胞参数其铁电极化来源于HfSe6八面体旋转导致的离子位移，其铁电极化方向为 方向，铁电极化值为10.53μC/cm2，相比同类材料，其铁电极化值可能提3-4倍，能带带隙小于同类材料。
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