公开(公告)号：CN110310984A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910575002.6

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  郭斌 ,  张万荣 ,  那伟聪 ,  陈蕊 ,  杨邵萌

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/735 ,  H01L29/737 ,  H01L27/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管仅具有一个Si发射区(24)以及多个数量相等的Si集电区(22)和SiGe基区(23)来构成多个子晶体管共用一个发射区的晶体管。各子晶体管的Si集电区(22)与SiGe基区(23)均以Si发射区(24)为对称中心呈中心对称分布，将有利于减小各子晶体管之间的热耦合，改善各子晶体管的散热能力，进而降低各子晶体管的热阻，实现所述晶体管等温分布的目的。与常规的横向SiGe异质结双极晶体管相比，在相同的环境温度、工作电压以及总集电极电流情况下，所述晶体管中各子晶体管的热阻更小，峰值结温更低，且所述晶体管的温度分布和电流分布更加均匀，从而有利于所述晶体管的热稳定工作。

公开(公告)号：CN107302037B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201710436742.2

申请日：2017-06-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  吴佳辉 ,  刘芮 ,  孙丹 ,  马佩 ,  高杰 ,  张万荣

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0288

Abstract: 基区Ge组分分段分布的SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾可见光和近红外光波段的探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si次集电区、Si集电区、Ge组份分段分布的SiGe基区/吸收层和多晶Si发射区；多晶Si发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。光窗口设计在基区台面，避免了光窗口在发射区台面时对入射光的损耗。因为不同Ge组份的SiGe材料对可见光波段和近红外光波段入射光的吸收系数和吸收长度不同，采用了Ge组份分段分布的基区/吸收层可以分别对应吸收波长短的可见光和波长长的近红外光，均衡可见光和近红外光波段内的吸收效率。

公开(公告)号：CN106208997B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610589625.5

申请日：2016-07-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  孙丹 ,  张良浩 ,  刘硕 ,  张万荣

IPC: H03G3/30

Abstract: 超宽带双重增益控制电路实现了超宽带增益可变双重控制技术，该电路包括一个超宽频带内大范围增益可变电路和一个超宽频带内动态信号增益可变电路。该电路可以用于超宽带接收系统中，共同作用实现超宽带可变增益放大器的大范围增益可变和超宽频带内良好的增益平坦度。其中超宽频带内大范围增益可变电路为后级恒定增益放大单元提供可变的直流偏置，实现大范围增益变化；超宽频带内动态信号增益可变电路作为恒定增益放大电路的反馈支路提供特定频带内的增益微调，实现平坦度的改善。

公开(公告)号：CN106169498B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201610617990.2

申请日：2016-07-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  赵馨仪 ,  张万荣 ,  郭燕玲 ,  陈蕊 ,  王利凡

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开了一种具有高热稳定性的超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，其上分别外延生长弛豫Si1‑yGey次集电区、弛豫Si1‑yGey集电区、应变Si1‑xGex基区和应变Si发射区。所述晶体管通过在弛豫Si1‑yGey集电区引入与应变Si1‑xGex基区平行的超结p型层达到改善集电结空间电荷区电场分布、降低峰值电子温度、抑制碰撞电离和提高器件击穿电压的目的。同时，超结p型层的引入，将有效降低弛豫Si1‑yGey集电区的掺杂浓度和声子散射几率、提高弛豫Si1‑yGey集电区热导率。所述晶体管兼具大电流增益和高击穿电压特性，且内部温度分布显著降低，特征频率温度敏感性得到改善，可在较宽的工作温度范围内实现高热稳定性工作。

公开(公告)号：CN107240616B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710436715.5

申请日：2017-06-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  马佩 ,  刘硕 ,  高杰 ,  吴佳辉 ,  刘芮 ,  张万荣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/11

Abstract: 本发明提供了一种具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器。该探测器衬底材料为InP，从衬底往上依次为：InP缓冲层、In0.53Ga0.47As集电区、In0.53Ga0.47As本征层、In0.53Ga0.47As基区、InP发射区、InP帽层、In0.53Ga0.47As欧姆接触层。集电极在In0.53Ga0.47As集电区台面上；基极和基区光窗口在In0.53Ga0.47As基区台面上；发射极在In0.53Ga0.47As欧姆接触层上。本发明的基区和集电区之间存在In0.53Ga0.47As本征层，在集电极偏置为2V时完全耗尽，大大增加了集电结耗尽层的厚度，使大部分进入探测器的入射光被集电结耗尽层吸收。在集电结耗尽层产生的光生电子‑空穴对被其中的强电场分离，从而产生光生电流。因此，本发明具有比无本征层探测器更高的量子效率和光生电流。

公开(公告)号：CN108010962A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711227122.4

申请日：2017-11-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  王利凡 ,  张万荣 ,  陈蕊 ,  郭燕玲 ,  郭斌 ,  陈虎

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有高特征频率-击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N+埋层结构来显著提高N-集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的集电区串联电阻来降低集电结空间电荷区延迟时间，达到提高器件特征频率的目的。所述晶体管采用p型超结层结构来改善集电结空间电荷区的电场分布，使得集电结空间电荷区电场分布趋于平缓，从而可以降低峰值电子浓度，抑制碰撞电离，达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，同时兼顾了器件的高频特性和高击穿特性，从而保持了高的特征频率-击穿电压优值(fT×BVCEO)，可有效拓展功率异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。

公开(公告)号：CN105207664B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510580528.5

申请日：2015-09-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  刘鹏 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  赵彦晓

IPC: H03K19/094

Abstract: 本发明提供了三个负跨导放大器构成的大电感值、高Q值可调节有源电感。第一电流源与第三负跨导放大器连接，并为第三负跨导放大器提供偏置电流，第二电流源与第一负跨导放大器连接，并为第一负跨导放大器提供偏置电流，第三电流源与第二负跨导放大器连接，并为第二负跨导放大器提供偏置电流。有源反馈电阻跨接在第一负跨导放大器与第三负跨导放大器之间，源极负反馈与第一负跨导放大器相连接。本发明实现大电感值和高Q值，采用源极负反馈，来扩展有源电感的带宽，采用有源反馈电阻，来进一步提高等效电感值和品质因子Q值。通过对三个电流源的控制电压和有源反馈电阻的控制电压的协同调节，实现有源电感的电感值和Q值的可调节。

公开(公告)号：CN104898761B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510357334.9

申请日：2015-06-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 赵彦晓 ,  张万荣 ,  张良浩 ,  谢红云 ,  黄鑫 ,  邓蔷薇 ,  金冬月

IPC: G05F3/28

Abstract: 本发明提供了一种晶体管合成电感，包括：隔直流电容，第一跨导放大器，第二跨导放大器，反馈晶体管，第一电流镜，第二电流镜。两个跨导放大器分别为一个正跨导放大器与一个负跨导放大器，两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器把第二跨导放大器的输入电容回转为等效电感。两个电流镜与反馈晶体管构成的电流镜反馈环路跨接在两个跨导放大器的输入端之间，用来减小因输入信号幅度的变化而引起的品质因子Q值的变化。本发明中的晶体管合成电感，当输入信号的幅度变化时，Q值基本保持恒定。具有恒定Q值的晶体管合成电感用于电压控制(电流控制)振荡器中，能够降低振荡器的相位噪声。

公开(公告)号：CN104362987B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410559718.4

申请日：2014-10-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  张良浩 ,  刘硕 ,  张万荣 ,  赵飞义 ,  邓蔷薇 ,  江之韵

IPC: H03F3/04 ,  H03G3/20

Abstract: 超宽带可变增益放大器涉及射频集成电路技术领域。该放大器包括Cascode输入级，电流复用放大级，输出缓冲级和电流镜增益控制级。本发明采用Cascode结构实现输入匹配和噪声匹配，同时获得高增益。本发明采用两级电流复用结构将放大级和输出缓冲级连接起来，有效地降低该放大器的功耗。本发明采用电流镜增益控制结构实现增益可控，同时保证了电路的良好线性度和功率效率。

公开(公告)号：CN105226129B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510680838.4

申请日：2015-10-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘硕 ,  张良浩 ,  孙丹 ,  张万荣

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028

Abstract: 一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾效率和速度的可见光及近红外光探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si亚集电区、Si集电区/吸收层、Ge组份非均匀分布的SiGe基区/吸收层、多晶硅发射区和多晶硅吸收层；多晶硅发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。器件分离光探测吸收和光电流放大两个功能区，分别优化载流子的传输速度和电流放大功能。光电流放大区是基于标准SiGe BiCMOS工艺的SiGe HBT；在其光吸收区，利用HBT的发射结和集电结作为吸收区的浅结和深结，分别对应吸收长度短的可见光波段和吸收长度长的近红外波段，均衡全波段内的响应度。