公开(公告)号：CN110310984B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201910575002.6

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  郭斌 ,  张万荣 ,  那伟聪 ,  陈蕊 ,  杨邵萌

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/735 ,  H01L29/737 ,  H01L27/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管仅具有一个Si发射区(24)以及多个数量相等的Si集电区(22)和SiGe基区(23)来构成多个子晶体管共用一个发射区的晶体管。各子晶体管的Si集电区(22)与SiGe基区(23)均以Si发射区(24)为对称中心呈中心对称分布，将有利于减小各子晶体管之间的热耦合，改善各子晶体管的散热能力，进而降低各子晶体管的热阻，实现所述晶体管等温分布的目的。与常规的横向SiGe异质结双极晶体管相比，在相同的环境温度、工作电压以及总集电极电流情况下，所述晶体管中各子晶体管的热阻更小，峰值结温更低，且所述晶体管的温度分布和电流分布更加均匀，从而有利于所述晶体管的热稳定工作。

公开(公告)号：CN110310984A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910575002.6

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  郭斌 ,  张万荣 ,  那伟聪 ,  陈蕊 ,  杨邵萌

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/735 ,  H01L29/737 ,  H01L27/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管仅具有一个Si发射区(24)以及多个数量相等的Si集电区(22)和SiGe基区(23)来构成多个子晶体管共用一个发射区的晶体管。各子晶体管的Si集电区(22)与SiGe基区(23)均以Si发射区(24)为对称中心呈中心对称分布，将有利于减小各子晶体管之间的热耦合，改善各子晶体管的散热能力，进而降低各子晶体管的热阻，实现所述晶体管等温分布的目的。与常规的横向SiGe异质结双极晶体管相比，在相同的环境温度、工作电压以及总集电极电流情况下，所述晶体管中各子晶体管的热阻更小，峰值结温更低，且所述晶体管的温度分布和电流分布更加均匀，从而有利于所述晶体管的热稳定工作。