-
公开(公告)号：CN103401140A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310303707.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通；腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角，腐蚀后上限制层的四角不贯通；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构，形成侧向弱折射率波导结构，有效地抑制了光束在水平方向上的发散。
-
公开(公告)号：CN102593719A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210061698.9
申请日：2012-03-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台两侧光栅结构的引入改善了有源区光场分布，抑制了注入电流的横向扩展，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
-
公开(公告)号：CN102157507A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110027068.5
申请日：2011-01-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/00 , H05B37/02
Abstract: 本发明涉及一种LED集成模块的封装结构及其制备工艺，其包括红光LED芯片7和蓝光LED芯片8、具有独立电极3、4、5的LED支架1、陶瓷基板6、荧光粉10、硅胶11，红色LED芯片7和蓝色LED芯片8被固定与LED支架1内，在芯片上均匀涂覆荧光粉10和硅胶11。本发明提供的一种色温和显色指数可调的白光LED集成模块，可以在需要不同的色温时和显色指数的环境下，随时调整红光LED芯片的亮度来实现色温和显色指数的改变，不必使用多个独立的不同色温的LED集成模块，从而能简化灯具的设计，而且减少了荧光粉的使用量，减少了控制电源的数量，大幅度降低了成本。
-
公开(公告)号：CN114883914A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210689649.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种高铝组分的AlGaAs层湿法氧化的方法，属于半导体光电子技术领域。许多光电器件的制备中都涉及对高铝组分的AlGaAs层的湿法氧化，如垂直腔面发射激光器。由于湿法氧化工艺变量多、对台面侧壁完整性要求较高等原因，常导致氧化形状不规则。本发明通过在常规湿法氧化工艺中增加湿法钝化工艺的方式，改善台面侧壁完整性，从而解决由于台面侧壁完整性差导致的氧化形状不规则的问题。
-
公开(公告)号：CN112906854A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011205437.0
申请日：2020-11-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于高斯分布特征的深层卷积神经网络压缩加速方法，适用于深度神经网络模型的压缩。首先训练好一个原始的卷积神经网络，然后逐层对该网络进行高斯分析，根据分析的结果选择保留还是删除的卷积核，之后进训练，直到模型剪枝完成。本发明在进行压缩剪枝过程中，采用的技术方案是根据分布收敛特征进行剪枝，在压缩的过程中没有引入其他的剪枝约束超参数，因此压缩的过程是自动化搜索的。本发明的压缩结果是直接压缩出更小的模型，没有引入mask对权重进行操作，压缩的结果可以不依赖于相关的加速库而直接产生加速效果，始终让模型的性能保证在原来的基础上，即没有出现任何的精度损失下进行的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107681462B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710818871.8
申请日：2017-09-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片自对准摆片，属于光电子技术领域，可应用于半导体发光器件芯片的摆放与对准。对准条沿硅片底座的表面纵向设置，在硅片底座上设置一系列相同的刻蚀槽，刻蚀槽沿硅片底座的表面横向设置；热沉摆放到硅片底座上，翻转板放置在热沉上。热沉的侧部边缘与放在刻蚀槽中的管芯侧部边缘对准。本发明结构更加简单、设计制作成本更加低廉低。整体器件简洁，无其他冗余的器件，整个装置的体积要远远小于常规的摆片夹具，这样整个器件就可以放置在氮气罩中操作，减少了腔面氧化现象，同时设备所用器件不含金属操作更加洁净。
-
公开(公告)号：CN108110615A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711227103.1
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种小孔径垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种小孔径的垂直腔半导体激光器结构，包括衬底上的N面电极、N型DBR、有源区、P型DBR、SiO2层、ZnO透明电极和P面电极，实现了小出光孔径。解决了传统垂直腔半导体激光器以氧化物限制难以实现小出光孔径的问题。该发明在ZnO透明电极的作用下能够达到亚微米的出光孔径，以实现亚波长出光的目的，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
-
公开(公告)号：CN104966705B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510409480.1
申请日：2015-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体器件散热模块的焊料分布结构，该结构包括热沉、第一焊料层、第二焊料层、芯片；第一焊料层设置在热沉上方，第二焊料层设置在热沉的侧面并与第一焊料层连接，芯片设置在第一焊料层上方，为上下电极结构。通过在热沉一侧面也生长了一层第二焊料层，第二焊料层的作用主要是在烧结过程中引导隆起的第一焊料层向热沉一侧流动，从而有效的阻止了第一焊料层向管芯方向攀爬，这样便可以有效的防止由于第一焊料层向管芯方向攀爬造成管芯短路或者挡光的问题，提高了器件的成品率、可靠性和稳定性。
-
公开(公告)号：CN103401140B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310303707.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通；腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角，腐蚀后上限制层的四角不贯通；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构，形成侧向弱折射率波导结构，有效地抑制了光束在水平方向上的发散。
-
公开(公告)号：CN104605817A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410802193.2
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61B5/00
CPC classification number: A61M5/427 , A61B5/0077
Abstract: 一种医学静脉寻找眼镜,包括镀有滤光膜镜片、眼镜腿、眼镜框、光源控制开关、两种若干发光波段不同的光源，所述光源控制开关可打开或关断所有光源，且所述光源控制开关可以调节所有光源的所发出光的亮度，所述第一种光源和第二种光源均发出不同波长的光，且所述两个光源均与光源控制开关电连接。本发明公开了一种医学静脉寻找眼镜，包括镀膜镜片、眼镜腿、眼镜框、光源控制开关、两种若干发光波段不同的光源。所述的镀膜眼镜片镀有滤光膜，所述两种光源均与光源控制开关电相连接，且开关可控制两个光源的光强亮度。本发明造价低廉且血管显影成像效果好，使用快捷方便。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.02 seconds)
