一种基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置及方法

    公开(公告)号:CN117626435A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311667754.8

    申请日:2023-12-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置及方法,其中,基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置包括装有熔体的反应釜以及加热组件;反应釜内的第一通道的顶端部与第二通道的顶端部通过第一横道相连通,第一通道的底端部与第二通道的底端部通过第二横道相连通;第一通道与第二通道内分别安装有第一特斯拉阀和第二特斯拉阀。上述设计中,第一特斯拉阀以及第二特斯拉阀具有单向流通特征,在温场的条件下,熔体在第一横道、第一特斯拉阀、第二横道以及第二特斯拉阀依次循环流动,熔体内的氮离子也随着熔体循环流动,第一特斯拉阀以及第二特斯拉阀防止熔体出现湍流或者对流现象,有利于氮离子在熔体中的均匀流动,从而籽晶表面的氮化镓生长速率分布更加均匀。

    一种自动补气装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115929960A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211686084.X

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种自动补气装置,包括基体和通气柱,基体内部为一圆柱形腔体,所述通气柱上段套设有套筒、弹簧、O型垫圈和螺帽,所述通气柱下段设有旁道;所述通气柱的内部设有通气道,所述通气道的上部是进气通道,所述通气道的下部是进气辅道;所述进气通道连通外部高压腔体,所述进气辅道连通旁道,通气道的底部密封,通气柱在基体内部上下滑动。本发明装置不仅可实现反应釜的自动补气功能,使釜内外压力差处于可控范围之内,而且旁道结构可阻碍釜内蒸汽的外溢,保证了反应运行的稳定性与实验结果的可靠性。

    一种金刚石薄膜复合导热片及其制备方法

    公开(公告)号:CN119589189A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411875542.3

    申请日:2024-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜复合导热片及其制备方法,制备方法包括:选取金刚石薄膜,金刚石薄膜具有预定的厚度;对金刚石薄膜进行表面平整处理;在金刚石薄膜表面镀一层金属或者涂敷一层含有金属活性成分的焊料,在金属镀层或者焊料上表面贴放金属材质片,将金属材质片与金刚石薄膜的金属镀层金金键合在一起,或者将金属材质片与金刚石薄膜用焊料加热焊接在一起;利用与金刚石薄膜结合在一起的金属材质片将金刚石薄膜从异质衬底上剥离下来,形成金刚石薄膜复合导热片。本发明既保持金刚石薄膜完整无裂纹,又能一次性将金刚石薄膜从衬底上完整剥离下来,且将金刚石薄膜的光滑度高的一面暴露出来,兼容下一步的贴合工艺等工业应用。

    一种氮化镓单晶生长装置和方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118516739A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410702912.7

    申请日:2024-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置和方法,其包括轴承件、搅拌件和反应釜,轴承件包括内圈、外圈以及设于内圈和外圈之间的滚珠,内圈包括内圈上部和内圈下部,外圈的圆心到内圈上部内壁的间距不小于外圈的圆心到内圈下部内壁的间距,内圈上部的壁厚小于内圈下部的壁厚,固定部连接内圈下部,并设有凹槽,籽晶限位于凹槽,固定槽、籽晶、连接件、内圈的总体的重心要低于反应釜的转轴,再加上滚珠的无摩擦滑动,反应釜旋转时,固定槽和籽晶能保持水平状态,外圈的圆心在反应釜转轴上,搅拌件连接反应釜,反应釜带动搅拌件和外圈转动,其解决了籽晶随反应釜翻转进而影响氮化镓单晶生长方向性的问题,促进了氮气的解离并使氮离子在熔体均匀分布。

    一种基于毛细作用的自循环装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117626434A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311636207.3

    申请日:2023-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于毛细作用的自循环装置,包括毛细管以及装有熔体的反应釜;毛细管包括依次连接的进口端部、中段部以及出口端部,其中,进口端部浸入于熔体的液面下方,出口端部位于熔体的液面上方,毛细管的内部沿进口端部至出口端部的方向依次填充有毛细填料以及引流填料。在上述结构中,熔体在毛细管的毛细作用下沿填料的微孔道反重力上升,直至流动到引流填料,在引流填料的作用下回流至反应釜内。这样有效加快熔体的循环流动速度,增加熔体的对流,进而加快熔体中的氮离子传质,起到调节氮化镓单晶生长质量的作用。

    一种提高多片机晶圆生长均匀性的装置

    公开(公告)号:CN217869190U

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202222244009.X

    申请日:2022-08-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种提高多片机晶圆生长均匀性的装置,包括支撑杆和设置于所述支撑杆上的载盘,所述支撑杆受驱旋转时,所述载盘随之旋转,所述载盘上设有用于放置晶圆的托盘,所述载盘和所述托盘之间设有导气盘,借由所述导气盘向所述托盘提供气流驱动所述托盘转动。通过支撑杆带动载盘进行公转,通过导气盘向托盘提供倾斜气流驱动托盘自转,进而实现卫星旋转,最终实现晶圆厚度成环状均匀分布,且晶圆中心与边缘厚度也均匀分布。

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