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公开(公告)号：CN109440189A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811615323.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种光调制局部加强的晶体生长装置，包括反应釜、激光光源、设置在反应釜内的坩埚、装载在坩埚内反应溶液、浸在反应溶液内的籽晶以及光束整型元器件，反应釜设有入射窗口，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件设于入射窗口与籽晶之间，通过光束整型元器件可将光束汇聚在籽晶的局部位置或通过光束整型元器件可减弱籽晶局部位置的光束，与现有技术相比，本发明增设有光束整型元器件，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件可汇聚或减弱光束，光束通过光束整型元器件后在籽晶背面形成明暗区域，从而实现籽晶局部位置的光强度和温度调整，有效局部地增强或减弱晶体生长速率。
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公开(公告)号：CN109263130A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811095976.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 一种石墨烯合金线材的制造方法，包括以下步骤：将变压器用绝缘漆加入纯度为99.99%以上的石墨粉中，掺和搅拌成浆料混合物，绝缘漆和石墨粉的重量比为5-40%；将浆料混合物倒入挤压机料筒内，采用连续挤压机组拉丝以获得石墨烯线坯；对于石墨烯线坯进行若干次拉丝处理，使石墨烯线坯的线径缩小至预设规格；清洗石墨烯线坯，去除石墨烯线坯表面杂质；将石墨烯线坯送入静电喷涂设备，在石墨烯线坯表面喷涂金属层，烘烤固化后获得线径为16-55μm的石墨烯线材成品。本发明制备的线材不仅能兼具良好的抗氧化能力、伸线作业性、PCT可靠度以及u-HAST可靠度，且具有优异的柔韧性、导电性能、热传导性能以及低制造成本。
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公开(公告)号：CN109262797A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811095977.0
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种集成封装发光器件的3D打印方法，包括步骤：设计模型，转换成可识别的文件格式，在铜基底上打印具有散热通道的陶瓷基板，以及打印出凹槽和线槽，然后在凹槽内打印电子元器件，线槽中打印石墨烯线路，再打印一层陶瓷薄料层，将电子元器件和石墨烯线路覆盖，根据分层切片信息，直到散热通道、电子元器件和线路打印完毕；接着打印晶片焊盘、电源外接焊盘及相关表层线路；打印碗杯，碗杯内壁喷涂反光层材料，在晶片焊接处打印一层焊料，固上晶片加热固定；然后再次打印键合丝、荧光粉胶，后续装上透镜完成封装。本发明不仅极大简化了传统工艺、缩短了生产周期、降低了制造成本，而且在产品尺寸微型化、复杂化提供了更多的选择。
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公开(公告)号：CN108834319A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810853545.5
申请日：2018-07-30
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: H05K3/0011 , H05K1/0306 , H05K3/1275
Abstract: 一种陶瓷基板多层电路的3D打印方法，包括以下步骤，根据设计要求用三维作图软件画出模型，转换成3D打印设备能够识别的文件格式；在铜基底上打印一层预设厚度的平整陶瓷浆料层形成陶瓷基板，以支撑下一步所需要打印的线路；再按照打印路径移动打印喷头，在陶瓷基板上喷射出一层导电浆料层，向导电浆料层照射紫外光，使导电浆料层固化成型为线路；再在线路上喷射出陶瓷浆料打印一层陶瓷薄料层，该陶瓷薄料层覆盖整个线路；按照预设要求，在陶瓷薄料层上设置芯片焊盘、电源外接焊盘及连接线路；在陶瓷薄料层上设置碗杯，然后在碗杯内壁周围喷一层反射层材料；将陶瓷基板从3D打印设备中移出。本发明生产效率高，能够实现多层电路的加工。
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公开(公告)号：CN209555412U
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201822224956.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种可控悬浮晶体生长反应釜，包括反应釜体、籽晶和设置在该反应釜体内的坩埚，所述坩埚内装载有反应溶液，所述籽晶设于反应溶液内，还包括位于坩埚内的悬浮装置，所述籽晶与所述悬浮装置连接，所述悬浮装置可在反应溶液内上升或下降以调整所述籽晶在反应溶液内的位置，本实用新型通过增加了悬浮装置，通过调节悬浮装置在反应溶液中的位置，籽晶可以随悬浮装置连动而上浮或下沉到反应溶液内任意位置，由此可根据生长过程调整籽晶在反应溶液中的位置，有利于籽晶生长的各方面可控，保证籽晶一直处在最佳的反应溶液环境，进而大大加速晶体材料的生长效率和获得质量较佳的晶体材料。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210296404U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921568207.3
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构，本实用新型的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本实用新型提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209555411U
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201822224679.9
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及一种光气耦合晶体生长装置，包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶，籽晶设于坩埚内，坩埚一侧开设有坩埚通光口，激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播，与现有技术相比，本实用新型的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内，激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播，促使输入的激光光源与氮气充分耦合，高效激发更多的氮电离，从而加速氮溶入反应溶液中，提高反应溶液中的氮含量，进而大大提升晶体生长效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209307515U
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201822245239.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及一种光调制局部加强的晶体生长装置，包括反应釜、激光光源、设置在反应釜内的坩埚、装载在坩埚内反应溶液、浸在反应溶液内的籽晶以及光束整型元器件，反应釜设有入射窗口，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件设于入射窗口与籽晶之间，通过光束整型元器件可将光束汇聚在籽晶的局部位置或通过光束整型元器件可减弱籽晶局部位置的光束，与现有技术相比，本实用新型增设有光束整型元器件，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件可汇聚或减弱光束，光束通过光束整型元器件后在籽晶背面形成明暗区域，从而实现籽晶局部位置的光强度和温度调整，有效局部地增强或减弱晶体生长速率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209298159U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201822183170.4
申请日：2018-12-25
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及LED光源封装技术领域，具体涉及一种垂直结构的LED封装结构，包括LED基板、LED芯片、金属电极和导电薄膜，LED基板设有电路层，LED芯片和金属电极安装于电路层，LED芯片设有第一电极和第二电极，第一电极与电路层连接，导电薄膜设有导电层，导电薄膜设有导电层一侧分别与金属电极和第二电极贴合，本实用新型采用导电薄膜热压对LED芯片进行封装，可以提高LED电流密度并能有效保证LED工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN210424890U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921558919.7
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: F21V9/08 , F21V9/32 , F21V9/40 , F21V13/14 , F21Y115/30
Abstract: 本实用新型涉及LD技术领域，具体涉及一种基于LD的双色温照明装置，包括外壳、LD光源和电源，LD光源与电源电性连接，还包括热沉、活动反光单元和双色荧光单元，热沉装设于壳体内侧底部，双色荧光单元装设于壳体内侧顶部，LD光源贴合热沉设置，活动反光单元设于LD光源与双色荧光单元之间，热沉、LD光源、活动反光单元和双色荧光单元的中心位于同一中心轴线，本实用新型使用LD光源，其具有体积小，光线平行度高，可以很好的减少光线损失，旋转反光单元可以改变激光方向，从而实现色温调整，使用效果好。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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