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公开(公告)号：CN209555412U
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201822224956.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种可控悬浮晶体生长反应釜，包括反应釜体、籽晶和设置在该反应釜体内的坩埚，所述坩埚内装载有反应溶液，所述籽晶设于反应溶液内，还包括位于坩埚内的悬浮装置，所述籽晶与所述悬浮装置连接，所述悬浮装置可在反应溶液内上升或下降以调整所述籽晶在反应溶液内的位置，本实用新型通过增加了悬浮装置，通过调节悬浮装置在反应溶液中的位置，籽晶可以随悬浮装置连动而上浮或下沉到反应溶液内任意位置，由此可根据生长过程调整籽晶在反应溶液中的位置，有利于籽晶生长的各方面可控，保证籽晶一直处在最佳的反应溶液环境，进而大大加速晶体材料的生长效率和获得质量较佳的晶体材料。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210296333U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921567990.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/673 , H01L33/48
Abstract: 本实用新型涉及显示技术领域，具体涉及一种用于MicroLED显示的巨量转移结构，包括基板和设于基板上的若干个用于容置发光二极管芯片的容置槽，容置槽匹配发光二极管芯片的大小设置，还包括送料装置，送料装置一端贴合基板设有容置槽的一面设置，送料装置设有送料轨道，送料轨道对应容置槽设置，送料装置贴合基板的一端，送料轨道与容置槽连通，送料装置未贴合基板的一端，设有防止来料掉落的挡板，本实用新型结构简单，设计合理，便于通过送料轨道，将巨量的发光二极管芯片送入容置槽。
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公开(公告)号：CN210296316U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921568500.X
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置，包括剥离室和激光器，剥离室顶部设有光学窗口，剥离室底部设有样品托盘装置，还包括光强调节装置，光强调节装置装设于剥离室内，光强调节装置位于样品托盘装置上方，激光剥离时，激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室，进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后，再照射至样品托盘装置的待剥离样品，进行激光剥离，本实用新型通过调整激光光强，形成光强的强弱分布，实现样品表面光强可调，有效控制激光剥离过程，避免样品炸裂。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210296404U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201921568207.3
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构，本实用新型的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本实用新型提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209555411U
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201822224679.9
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及一种光气耦合晶体生长装置，包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶，籽晶设于坩埚内，坩埚一侧开设有坩埚通光口，激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播，与现有技术相比，本实用新型的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内，激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播，促使输入的激光光源与氮气充分耦合，高效激发更多的氮电离，从而加速氮溶入反应溶液中，提高反应溶液中的氮含量，进而大大提升晶体生长效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209307515U
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201822245239.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及一种光调制局部加强的晶体生长装置，包括反应釜、激光光源、设置在反应釜内的坩埚、装载在坩埚内反应溶液、浸在反应溶液内的籽晶以及光束整型元器件，反应釜设有入射窗口，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件设于入射窗口与籽晶之间，通过光束整型元器件可将光束汇聚在籽晶的局部位置或通过光束整型元器件可减弱籽晶局部位置的光束，与现有技术相比，本实用新型增设有光束整型元器件，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件可汇聚或减弱光束，光束通过光束整型元器件后在籽晶背面形成明暗区域，从而实现籽晶局部位置的光强度和温度调整，有效局部地增强或减弱晶体生长速率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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