公开(公告)号：CN117205303A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311409923.8

申请日：2023-10-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩文玲 ,  李兮爔 ,  杨秀兰 ,  程迎迎 ,  张凯 ,  王平章 ,  李婷 ,  胡玉喆 ,  段虹宇 ,  李若瑜 ,  马大龙

IPC: A61K38/19 ,  A61K45/00 ,  A61P17/06

Abstract: 本发明属于生物医药技术领域，具体涉及一种细胞因子CSBF在治疗银屑病及其并发症中的应用。本发明建立高纯度的人和小鼠CSBF蛋白的表达纯化方法，构建IMQ诱导小鼠银屑病模型，针对银屑病中角质细胞的内在分子机制展开深入研究。本发明明确了新细胞因子CSBF在银屑病中发挥保护作用，可有效减轻银屑病皮肤炎症，是角质细胞中的潜在银屑病治疗靶点。本发明完善了银屑病的免疫学机制，为银屑病及其并发症免疫治疗提供了新的思路和方向。

公开(公告)号：CN116585458A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310477833.6

申请日：2023-04-28

Applicant: 北京大学第一医院

Inventor： 张凯 ,  韩文玲 ,  李若瑜 ,  李婷 ,  王平章 ,  李兮爔

IPC: A61K38/19 ,  A61P31/10 ,  A61P37/04 ,  C12N15/62 ,  C07K14/52

Abstract: 本发明属于生物技术领域，具体涉及一种LYG1在制备抗真菌药物中的应用及其纯化方法。本发明研究发现细胞因子LYG1在真菌感染中具有保护作用，是潜在的真菌免疫治疗药物，过表达LYG1可有效减少肾脏炎性细胞浸润以及肾脏菌丝侵袭，并降低血清中TNF‑α等炎性细胞因子的含量。同时，本发明还建立了高纯度LYG1的表达纯化方法，通过在293F细胞中瞬时过表达pcDB‑LYG1‑myc‑his质粒，转染后收集细胞培养上清，并用镍柱纯化获得大量的LYG1重组蛋白。本研究对真菌感染的预防和治疗具有重要意义。

公开(公告)号：CN106365107B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201510427299.3

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  杨芳 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种提取梁刻蚀垂直度的方法及系统，基于静电驱动梁扭转的原理，利用新设计的片上检测结构、电学信号施加装置和垂直位移检测装置组成的系统，提取梁的刻蚀垂直度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测，也可用来预测器件的机械可靠性。方法简单，易于通用。

公开(公告)号：CN110386587A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201810350030.3

申请日：2018-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨芳 ,  张大成 ,  郭俊敏 ,  姜博岩 ,  李婷 ,  罗葵 ,  王玮 ,  范泽新

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法，其步骤包括：准备待腐蚀的硅片；采用ALD技术在所述硅片表面上淀积一层硅湿法腐蚀掩膜；对所述掩膜进行减薄，直至露出下方的硅片表面；利用湿法腐蚀溶液对所述硅片进行腐蚀，获得微结构。本发明利用ALD技术制备硅湿法腐蚀掩膜，淀积温度低，残余应力小，制备的掩膜材质致密，保形覆盖性好，抗腐蚀时间长，可以实现对带有金属、不能经受高温或应力敏感、有高深宽比结构或可动结构的硅片的腐蚀保护。

公开(公告)号：CN109148685A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710451317.0

申请日：2017-06-15

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孟鸿 ,  曹菊鹏 ,  闫丽佳 ,  贺玉 ,  魏潇赟 ,  朱亚楠 ,  李婷

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明涉及一种高介电常数的复合材料以及以该材料为介电层的有机薄膜晶体管的制备方法。通过溶胶‑凝胶法，让含端基的硅烷偶联剂在催化剂作用下水解形成含功能端基的硅溶胶，再与有机聚合物交联形成复合溶胶，作为有机薄膜晶体管介电层的材料。再用旋涂、浸涂、喷墨打印、3D打印等溶液法形成薄膜，经固化后形成介电层；然后再分别制备半导体层、电极层，制得有机薄膜晶体管器件。本发明中基于复合介电材料的有机薄膜晶体管其迁移率达5cm2/V·s，远超以SiO2为介电层的迁移率，并具有低阈值电压，无迟滞效应等特点。相对于SiO2热氧化等传统制备工艺，该方法具有工艺简单、成本低、可大面积制备等优点，具有很好的市场应用价值。

公开(公告)号：CN106477517A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510551503.2

申请日：2015-09-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨芳 ,  张大成 ,  何军 ,  张立 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种表征硅片表面粗糙度的方法，通过测特定条件下的电流值来表征硅片表面的粗糙度。此方法具备方法简单、不需要大型高精密仪器的优点，有利于MEMS加工环境中的现场测量。

公开(公告)号：CN106370520A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510427296.X

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  杨芳 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: G01N3/08

Abstract: 本发明公开了一种提取微锚腿扭转键合强度的方法，通过新设计的片上检测结构中的热驱结构对微锚腿产生扭转作用的力偶矩使锚腿断裂，记录断裂时的驱动位移并计算扭转键合强度值。此方法可用来进行键合工艺的监测和评价，也可用来预测器件的机械可靠性。具备自定位、自测力能力；方法简单，不需要大型高精密仪器。

公开(公告)号：CN102963861B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210450745.9

申请日：2012-11-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法，其步骤包括：采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层；在所述结构层上淀积金属层；湿法腐蚀所述牺牲层，通过观测所述金属层中金属的脱落情况确定腐蚀完成时间。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率。

公开(公告)号：CN102980695B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210500895.6

申请日：2012-11-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄贤 ,  张大成 ,  赵丹淇 ,  林琛 ,  何军 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: G01L1/18 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列，另外两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面光刻定义P型重掺杂的引线接触区，进行离子注入和高温热退火；在基片正面光刻定义槽的形状并刻蚀四边形槽；通过P型离子注入轻掺杂进行侧壁上压敏电阻的掺杂，并进行高温热退火；制作引线孔和金属引线；划片。本发明不含应变膜，能够降低传感器的芯片尺寸，显著增加传感器的抗过载能力，提高了工艺的可靠性与器件的成品率。

公开(公告)号：CN102583224B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210060342.3

申请日：2012-03-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  林琛 ,  何军 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后，刻蚀氧化硅保护层形成引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后去除MEMS区域的牺牲层，释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备，采用IC-MEMS交叉工艺，通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力，从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响，工艺简单可靠。