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公开(公告)号：CN109148685A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710451317.0
申请日：2017-06-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及一种高介电常数的复合材料以及以该材料为介电层的有机薄膜晶体管的制备方法。通过溶胶‑凝胶法，让含端基的硅烷偶联剂在催化剂作用下水解形成含功能端基的硅溶胶，再与有机聚合物交联形成复合溶胶，作为有机薄膜晶体管介电层的材料。再用旋涂、浸涂、喷墨打印、3D打印等溶液法形成薄膜，经固化后形成介电层；然后再分别制备半导体层、电极层，制得有机薄膜晶体管器件。本发明中基于复合介电材料的有机薄膜晶体管其迁移率达5cm2/V·s，远超以SiO2为介电层的迁移率，并具有低阈值电压，无迟滞效应等特点。相对于SiO2热氧化等传统制备工艺，该方法具有工艺简单、成本低、可大面积制备等优点，具有很好的市场应用价值。
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公开(公告)号：CN109423696B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201710736116.5
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及一种多层有机单晶结构的生长装置，利用多种有机半导体材料生长pn结、异质结、量子阱、多量子阱等多层有机单晶结构。该设备特征为：1.至少具有两个温度控制区域，分别用于材料的升华和单晶的生长；2.两个温度控制区域相邻平行，温度可快速、独立调控；3.第一层单晶生长结束后，无需单晶表面与空气接触即可完成源材料的更换，进行后续第二层单晶生长。
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公开(公告)号：CN109148685B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201710451317.0
申请日：2017-06-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及一种高介电常数的复合材料以及以该材料为介电层的有机薄膜晶体管的制备方法。通过溶胶‑凝胶法，让含端基的硅烷偶联剂在催化剂作用下水解形成含功能端基的硅溶胶，再与有机聚合物交联形成复合溶胶，作为有机薄膜晶体管介电层的材料。再用旋涂、浸涂、喷墨打印、3D打印等溶液法形成薄膜，经固化后形成介电层；然后再分别制备半导体层、电极层，制得有机薄膜晶体管器件。本发明中基于复合介电材料的有机薄膜晶体管其迁移率达5cm2/V·s，远超以SiO2为介电层的迁移率，并具有低阈值电压，无迟滞效应等特点。相对于SiO2热氧化等传统制备工艺，该方法具有工艺简单、成本低、可大面积制备等优点，具有很好的市场应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108417713A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810166052.4
申请日：2018-02-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种含双层介电层的有机薄膜晶体管及其制备方法，其中，有机薄膜晶体管从下至上依次包括：栅极衬底、第一介电层、第二介电层、有机半导体层和电极；所述第一介电层的材料为无机介电材料或者介电常数大于5的聚合物材料；所述第二介电层的材料为含氟聚酰亚胺；所述有机半导体层和所述第二介电层均与所述电极搭接。本发明利用上层含氟聚酰亚胺的疏水性来降低电荷被陷阱俘获的概率，同时利用含氟聚酰亚胺较匹配的热膨胀系数以及良好的延展性来提升晶体管的热稳定性；而下层介电层则用于降低器件暗电流，抑制阈值电压的正向漂移。本发明通过设计双层介电层，改善了有机薄膜晶体管的热稳定性和电稳定性。
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公开(公告)号：CN108318148A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810111558.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了基于石墨基底的有机晶体管温度传感器及其制备方法，其中，有机晶体管温度传感器从下至上依次包括：石墨基底、介电层、有机半导体层和电极，所述有机半导体层和所述介电层均与所述电极搭接。本发明的有机晶体管温度传感器，采用具有高热导率和电导率的石墨同时作为基底、热传导层和栅极，并基于有机半导体对温度的高度敏感性，采用有机半导体材料作为半导体层，不仅简化了器件的结构，而且降低了热传导过程中的热阻，使器件能对温度变化进行直接、快速、灵敏的响应。
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公开(公告)号：CN108318148B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810111558.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了基于石墨基底的有机晶体管温度传感器及其制备方法，其中，有机晶体管温度传感器从下至上依次包括：石墨基底、介电层、有机半导体层和电极，所述有机半导体层和所述介电层均与所述电极搭接。本发明的有机晶体管温度传感器，采用具有高热导率和电导率的石墨同时作为基底、热传导层和栅极，并基于有机半导体对温度的高度敏感性，采用有机半导体材料作为半导体层，不仅简化了器件的结构，而且降低了热传导过程中的热阻，使器件能对温度变化进行直接、快速、灵敏的响应。
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公开(公告)号：CN109423696A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710736116.5
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及一种多层有机单晶结构的生长装置，利用多种有机半导体材料生长pn结、异质结、量子阱、多量子阱等多层有机单晶结构。该设备特征为：1.至少具有两个温度控制区域，分别用于材料的升华和单晶的生长；2.两个温度控制区域相邻平行，温度可快速、独立调控；3.第一层单晶生长结束后，无需单晶表面与空气接触即可完成源材料的更换，进行后续第二层单晶生长。
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公开(公告)号：CN208383342U
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201820966693.3
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01K11/16
Abstract: 本实用新型公开了一种可视化温度监测装置及包装物，其中，可视化温度监测装置包括相互之间通过电连接的电源、晶体管温度传感器和温度指示单元，所述晶体管温度传感器用于感应被测物的温度，当被测物的温度超过阈值时，所述温度指示单元发出可视化指示信号。本实用新型采用晶体管温度传感器和温度指示单元相结合，实现对食品质量的监测和温度异常可视化提示；本装置结构简单，并且可以微型化，方便集成。
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