一种双硼荧光材料及其制备方法、OLED器件

    公开(公告)号:CN108342192B

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201810440310.3

    申请日:2018-05-10

    Abstract: 本发明公开一种双硼荧光材料及其制备方法、OLED器件,所述材料的分子结构通式为其中,Ar为芳环取代基,X为氧原子、硫原子或中的一种。本发明提供的双硼荧光材料因存在明显的HOMO和LOMO能级分离,使其具有热延迟荧光材料的特性,可以实现高量子效率的荧光发射;同时双硼基团通过与苯环、萘环、蒽环、芘环、屈环、并五苯和菲环等稳定的发光母核进行结合,可有效提高双硼荧光材料的稳定性。

    判断有机半导体材料载流子传输各向异性程度的方法

    公开(公告)号:CN109902263A

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201711283539.2

    申请日:2017-12-07

    Abstract: 本申请提供一种判断有机半导体材料载流子传输各向异性程度的方法,使用理论模型判断有机半导体材料内部载流子传输各向异性程度。该模型特征为:1.通过数学关系式,准确表达了有机半导体材料的各向异性比和材料结构参数的关系.2.通过等值线图的方式实现了预测结果的可视化,直观体现材料的各向异性程度随材料结构参数变化的趋势,为寻找新的各向同性有机半导体材料提供依据。经实践,该模型能成功地解释已知材料的各向异性,并能够成功预测新型材料的各向异性程度。

    一种高介电常数的复合材料及其应用

    公开(公告)号:CN109148685B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201710451317.0

    申请日:2017-06-15

    Abstract: 本发明涉及一种高介电常数的复合材料以及以该材料为介电层的有机薄膜晶体管的制备方法。通过溶胶‑凝胶法,让含端基的硅烷偶联剂在催化剂作用下水解形成含功能端基的硅溶胶,再与有机聚合物交联形成复合溶胶,作为有机薄膜晶体管介电层的材料。再用旋涂、浸涂、喷墨打印、3D打印等溶液法形成薄膜,经固化后形成介电层;然后再分别制备半导体层、电极层,制得有机薄膜晶体管器件。本发明中基于复合介电材料的有机薄膜晶体管其迁移率达5cm2/V·s,远超以SiO2为介电层的迁移率,并具有低阈值电压,无迟滞效应等特点。相对于SiO2热氧化等传统制备工艺,该方法具有工艺简单、成本低、可大面积制备等优点,具有很好的市场应用价值。

    判断有机半导体材料载流子传输各向异性程度的方法

    公开(公告)号:CN109902263B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN201711283539.2

    申请日:2017-12-07

    Abstract: 本申请提供一种判断有机半导体材料载流子传输各向异性程度的方法,使用理论模型判断有机半导体材料内部载流子传输各向异性程度。该模型特征为:1.通过数学关系式,准确表达了有机半导体材料的各向异性比和材料结构参数的关系.2.通过等值线图的方式实现了预测结果的可视化,直观体现材料的各向异性程度随材料结构参数变化的趋势,为寻找新的各向同性有机半导体材料提供依据。经实践,该模型能成功地解释已知材料的各向异性,并能够成功预测新型材料的各向异性程度。

    一种双硼荧光材料及其制备方法、OLED器件

    公开(公告)号:CN108342192A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201810440310.3

    申请日:2018-05-10

    Abstract: 本发明公开一种双硼荧光材料及其制备方法、OLED器件,所述材料的分子结构通式为其中,Ar为芳环取代基,X为氧原子、硫原子或 中的一种。本发明提供的双硼荧光材料因存在明显的HOMO和LOMO能级分离,使其具有热延迟荧光材料的特性,可以实现高量子效率的荧光发射;同时双硼基团通过与苯环、萘环、蒽环、芘环、屈环、并五苯和菲环等稳定的发光母核进行结合,可有效提高双硼荧光材料的稳定性。

    一种高介电常数的复合材料及其应用

    公开(公告)号:CN109148685A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201710451317.0

    申请日:2017-06-15

    Abstract: 本发明涉及一种高介电常数的复合材料以及以该材料为介电层的有机薄膜晶体管的制备方法。通过溶胶‑凝胶法,让含端基的硅烷偶联剂在催化剂作用下水解形成含功能端基的硅溶胶,再与有机聚合物交联形成复合溶胶,作为有机薄膜晶体管介电层的材料。再用旋涂、浸涂、喷墨打印、3D打印等溶液法形成薄膜,经固化后形成介电层;然后再分别制备半导体层、电极层,制得有机薄膜晶体管器件。本发明中基于复合介电材料的有机薄膜晶体管其迁移率达5cm2/V·s,远超以SiO2为介电层的迁移率,并具有低阈值电压,无迟滞效应等特点。相对于SiO2热氧化等传统制备工艺,该方法具有工艺简单、成本低、可大面积制备等优点,具有很好的市场应用价值。

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