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公开(公告)号：CN110386587A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810350030.3
申请日：2018-04-18
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法，其步骤包括：准备待腐蚀的硅片；采用ALD技术在所述硅片表面上淀积一层硅湿法腐蚀掩膜；对所述掩膜进行减薄，直至露出下方的硅片表面；利用湿法腐蚀溶液对所述硅片进行腐蚀，获得微结构。本发明利用ALD技术制备硅湿法腐蚀掩膜，淀积温度低，残余应力小，制备的掩膜材质致密，保形覆盖性好，抗腐蚀时间长，可以实现对带有金属、不能经受高温或应力敏感、有高深宽比结构或可动结构的硅片的腐蚀保护。
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