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公开(公告)号：CN113628944A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110686254.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种场电子发射阴极的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；将形成有纳米晶金刚石薄膜的衬底在含氧气氛中退火，从而得到金刚石纳米毛刺结构；以及将所述金刚石纳米毛刺结构的表面处理为氢终端。本发明方法可制备具有纳米级密排结构的纳米晶金刚石薄膜，该薄膜生长速率快，并且利用该薄膜通过高选择比氧化反应可容易地获得大长径比、高密度的金刚石纳米毛刺结构，其可大大提高场增强因子。本发明方法中的高选择比的氧化反应使得金刚石消耗量小。另外，本发明方法无需图形化掩膜工艺，因此相关设备和工艺简单，可大大降低加工成本。
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公开(公告)号：CN113418904A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110686257.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明涉及一种表面增强拉曼散射基底，包括：衬底；金刚石纳米毛刺结构，设置于所述衬底的上表面；以及金属膜，设置于所述金刚石纳米毛刺结构的表面。本发明还涉及所述表面增强拉曼散射基底的制备方法。本发明的表面增强拉曼散射基底具有显著增加的基底比表面积，大大增加了纳米金属颗粒的数量，从而提供更多的待测物附着点。本发明的表面增强拉曼散射基底能够产生大的局域场增强效应，同时兼具纳米金属颗粒电磁场耦合以及金刚石选择性化学的双增强效应。
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公开(公告)号：CN110164581A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910283992.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: G21H1/02
Abstract: 本发明公开了一种平面电极半导体薄膜PN结贝塔辐射伏特电池，属于微型核电池领域。该电池从下至上依次是放射性贝塔同位素源、半导体薄膜、掺杂区、欧姆接触重掺杂区、绝缘钝化层、平面电极；PN结是由半导体薄膜与掺杂区构成；平面电极包含正负电极，与欧姆接触重掺杂区采用点接触方式实现电学导通。本发明的半导体薄膜的厚度与放射性贝塔同位素源的最大输入深度匹配，减小了电池体积，放射性贝塔同位素源制备于背面，避免了重掺杂层对辐射能的损耗，提高了电池的功率密度以及转换效率。
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公开(公告)号：CN103523742B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310508920.X
申请日：2013-10-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明公开了一种MOS结构的辐射剂量探测器及其制备方法，该辐射剂量探测器从上到下依次包括顶电极，复合氧化层，衬底和底电极，所述复合氧化层又包括热氧化层和淀积层。该复合氧化层由于通过刻蚀和淀积技术制备的结构，从而使本发明辐射剂量探测器的MOS结构具有高缺陷密度、大厚度的氧化层。利用本发明MOS结构的辐射剂量探测器，测量时在较低电压下就可以获得较大的电流，提高了灵敏度，降低了测量难度。
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公开(公告)号：CN102290968A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110164362.0
申请日：2011-06-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种微发电机，包括收集电极结构和驻极体结构，设置在收集电极结构和驻极体结构之间作为轴承的微型球，其中，所述收集电极结构包括：一衬底；设置在衬底上且与衬底绝缘的若干金属电极对；设置在衬底上与金属电极对垂直分布的深槽；所述驻极体结构包括：一衬底；设置在衬底上成条状间隔平行排布的驻极体条；设置在衬底上与驻极体条垂直分布的深槽；收集电极结构上的深槽和驻极体结构上的深槽相对放置，微型球放置在相对的深槽中，驻极体条与电极条相互平行。本发明以微型球作为轴承支撑，可以通过槽深或槽宽来控制金属电极与驻极体之间的间距，有利于提高微型发电机的输出功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101256105B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810101680.0
申请日：2008-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅横向MEMS微型皮拉尼计及其制备方法，该微型皮拉尼计包括衬底和一硅结构，硅结构分为两部分，一为散热结构，包括两个相互对称的散热体，每个散热体由一个锚点和与锚点固定连接的若干个梳齿构成，散热体之间的梳齿相互咬合，散热结构通过上述锚点与衬底固定；另一部分为加热结构，包括一根环绕在散热体梳齿间的弯曲加热体，在上述加热体的两端分别设置锚点和金属电极，加热结构通过加热体两端的锚点与衬底固定。本发明采用单晶硅材料，微型皮拉尼计的加热体的高度与散热体梳齿和加热体的间距的比值高，其制备采用高深宽比体硅MEMS工艺，成品率高、工艺简单、可靠性高、可批量生产。
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公开(公告)号：CN113604792B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110687993.4
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/56 , B82Y40/00 , C23C16/02
Abstract: 本发明涉及一种金刚石纳米毛刺结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；以及将形成有纳米晶金刚石薄膜的衬底在含氧气氛中退火，得到金刚石纳米毛刺结构。本发明方法可制备具有纳米级密排结构的纳米晶金刚石薄膜，该薄膜生长速率快，并且利用该薄膜通过高选择比的氧化反应可容易地获得大长径比、高密度的金刚石纳米毛刺结构。本发明方法中的高选择比的氧化反应使得金刚石消耗量小。另外，本发明方法的设备和工艺简单，可大大降低加工成本。
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公开(公告)号：CN113604792A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110687993.4
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/56 , B82Y40/00 , C23C16/02
Abstract: 本发明涉及一种金刚石纳米毛刺结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；以及将形成有纳米晶金刚石薄膜的衬底在含氧气氛中退火，得到金刚石纳米毛刺结构。本发明方法可制备具有纳米级密排结构的纳米晶金刚石薄膜，该薄膜生长速率快，并且利用该薄膜通过高选择比的氧化反应可容易地获得大长径比、高密度的金刚石纳米毛刺结构。本发明方法中的高选择比的氧化反应使得金刚石消耗量小。另外，本发明方法的设备和工艺简单，可大大降低加工成本。
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公开(公告)号：CN103325433A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310247435.1
申请日：2013-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种单壁碳纳米管PN结同位素电池及其制备方法。该同位素电池的换能单元包括衬底I、背电极、图形化的绝缘层和位于绝缘层上的金属电极对，以及定向排列在金属电极对间与衬底I接触的半导体性单壁碳纳米管；所述单壁碳纳米管的两端分别与两个金属电极形成欧姆接触，中间部分与衬底I接触形成PN结；辐射源包括衬底II和放射性同位素膜；所述辐射源和换能单元面对面对准封接在一起，二者接触的部位间电学隔离，所述放射性同位素膜和单壁碳纳米管位于封接形成的空腔内，所述衬底I上表面中的一个金属电极和背电极构成电池电极。该同位素电池具有体积小、结构简单，易于实现的特点，且转换效率较高，可以长时间工作于各种复杂的环境。
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公开(公告)号：CN102313625B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110140216.4
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了碳纳米管皮拉尼真空计及其真空度检测方法，该真空计主要包括衬底、相对设置的电极对和碳纳米管；其中，电极对制作在衬底上，碳纳米管搭载在电极对之间；通过电极对给碳纳米管加恒定的电流或电压加热，由于真空度不同气体热传导特性不同，因此碳纳米管恒定温度不同，又碳纳米管电阻随温度而变化，通过测量碳纳米管电阻测得真空度。本发明的碳纳米管皮拉尼真空计结构简单，体积小，性能稳定，采用的碳纳米管具有较高的电阻温度系数和导电性，因此响应快、气压测量范围宽、灵敏度高、功耗低。而且其制造工艺简单、成本低、成品率高、可靠性高。
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